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doi: 10.11999/JEIT260413
摘要:
目前三值逻辑电路设计面临所需器件多、涉及无源元件以及与传统互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容性差等诸多挑战。对此,本文提出了一种基于量子隧穿与漂移扩散机制相结合的新型隧穿-漂移扩散场效应晶体管(Tunneling-Drift-Diffusion Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, TDMOSFET),该器件具有常数关态电流特性,适合于三值逻辑电路。本文分析了TDMOSFET工作原理,采用人工神经网络(Artificial Neural Network, ANN)对其建模,所建立ANN模型可以精确模拟器件电流-电压和电容-电压特性,预测精度高达99%。此外,将ANN模型转换为Verilog-A语言,嵌入到HSPICE工具中,仿真了基于TDMOSFET的标准三值反相器(Standard Ternary Inverter, STI)、负三值反相器(Negative Ternary Inverter, NTI)、正三值反相器(Positive Ternary Inverter, PTI)、三值与非门(Ternary NOT-AND gate, T-NAND)及三值或非门(Ternary NOT-OR gate, T-NOR)等基本单元电路,这些电路不涉及无源元件,可兼容于CMOS工艺,对于后续三值逻辑的研究具有重要参考意义。