2025, 47(3): 850-858.
doi: 10.11999/JEIT240294
摘要:
随着对太空的探索的深入,人们发现应用于航天领域的静态随机存取存储器(SRAM)易受到高能粒子轰击发生电节点翻转(SEU)和多节点翻转(SEMNU)。该文为解决SRAM的单粒子翻转问题提出一种16TSRAM单元可以用于SRAM的抗翻转应用,该单元包含3个敏感节点,使用金属氧化物半导体(MOS)管堆叠结构,较大提高了单元的稳定性。在65 nm CMOS工艺下仿真证明该单元可以解决SEU和SEMNU问题。相比于SARP12T, LWS14T, SAR14T, RSP14T, EDP12T和SIS10T, MNRS16T的保持静态噪声容限(HSNM)分别提升了1.4%, 54.9%, 58.9%, 0.7%, 59.1%和107.4%。相比于SARP12T, RH12T, SAR14T, RSP14T, S8N8P16T, EDP12T和SIS10T, MNRS16T的读取静态噪声容限(RSNM)分别提升了94.3%, 31.4%, 90.3%, 8.9%, 71.5%, 90.4%和90.3%。相较于SAR14T, RSP14T和EDP12T, MNRS16T的保持功率(Hpwr)降低了24.7%, 33.9% 和25.7%。