邮件订阅
1985年 第7卷 第4期
1985, 7(4): 241-246.
摘要:
本文利用横截面法并引入相位修正因子推导出非对称模式情况下的缓变截面圆波导和同轴波导开放腔的开放端的衍射反射系数。由此得到开放端口处的衍射边界条件,进而求得开放腔的主要参数,并求解了多模问题。文中比较了几种形式的开放腔,认为变截面同轴波导开放腔的本征频谱最稀。此外,本文还对模式竞争和工程计算方法作了简要讨论。
本文利用横截面法并引入相位修正因子推导出非对称模式情况下的缓变截面圆波导和同轴波导开放腔的开放端的衍射反射系数。由此得到开放端口处的衍射边界条件,进而求得开放腔的主要参数,并求解了多模问题。文中比较了几种形式的开放腔,认为变截面同轴波导开放腔的本征频谱最稀。此外,本文还对模式竞争和工程计算方法作了简要讨论。
1985, 7(4): 247-253.
摘要:
本文讨论了大功率、高增益、宽频带大功率速调管的设计和制造,还采用小信号增益和大信号效率计算程序,对宽频带速调管的群聚段进行了设计。当小信号增益大于50dB时,7腔速调管的群聚频宽宽于10％,8腔速调管的群聚频宽可达1015％ 给出了两类宽频带输出电路,即滤波器型输出电路和重叠模双间隙腔输出电路的设计方法和测试结果,结果表明:前一种输出电路的频宽可达7.510％,后一种输出电路的频宽可达1015％。 研制了两种类型速调管,采用滤波器型输出段的速调管的性能达到:1dB等激励频宽为7.5％,效率为38％,饱和增益大于43dB,输出功率大于2.5MW。采用双间隙腔输出段的速调管的1dB等激励频宽迟10％,工作稳定。
本文讨论了大功率、高增益、宽频带大功率速调管的设计和制造,还采用小信号增益和大信号效率计算程序,对宽频带速调管的群聚段进行了设计。当小信号增益大于50dB时,7腔速调管的群聚频宽宽于10％,8腔速调管的群聚频宽可达1015％ 给出了两类宽频带输出电路,即滤波器型输出电路和重叠模双间隙腔输出电路的设计方法和测试结果,结果表明:前一种输出电路的频宽可达7.510％,后一种输出电路的频宽可达1015％。 研制了两种类型速调管,采用滤波器型输出段的速调管的性能达到:1dB等激励频宽为7.5％,效率为38％,饱和增益大于43dB,输出功率大于2.5MW。采用双间隙腔输出段的速调管的1dB等激励频宽迟10％,工作稳定。
1985, 7(4): 254-266.
摘要:
本文提出了正(负)根完全有向树和正(负)根完全有向k树的概念和线性有源网络的正(负)根完全有向树分沂法。这个方法是完全树法与有向树法的统一。它没有符号问题与对消项问题。
本文提出了正(负)根完全有向树和正(负)根完全有向k树的概念和线性有源网络的正(负)根完全有向树分沂法。这个方法是完全树法与有向树法的统一。它没有符号问题与对消项问题。
1985, 7(4): 267-275.
摘要:
本文给出了实现单位元波开关电容滤波器适配器的几个新电路。这些新适配器电路仪用一个单位增益器和一个两相时钟信号,而且电路特性对主寄生电容效应极不敏感。文中还分析了次寄生电容(包括电容器上极板对衬底的寄生电容和开关的寄生电容)对电路特性的影响。分析表明,整个次寄生电容效应表现为对反射系数的影响。通过调整一个电容,就可以把这种本来就很小的影响降至更小。另外,本文的电路还非常适合用于实现程控滤波器,可以有效地进行实时语声综合。最后,给出了一个五阶切比雪夫低通滤波器的例子。实验结果与理论相符。
本文给出了实现单位元波开关电容滤波器适配器的几个新电路。这些新适配器电路仪用一个单位增益器和一个两相时钟信号,而且电路特性对主寄生电容效应极不敏感。文中还分析了次寄生电容(包括电容器上极板对衬底的寄生电容和开关的寄生电容)对电路特性的影响。分析表明,整个次寄生电容效应表现为对反射系数的影响。通过调整一个电容,就可以把这种本来就很小的影响降至更小。另外,本文的电路还非常适合用于实现程控滤波器,可以有效地进行实时语声综合。最后,给出了一个五阶切比雪夫低通滤波器的例子。实验结果与理论相符。
1985, 7(4): 276-287.
摘要:
本文介绍一种设计宽带高方向性定向耦合器的数值方法。此法经扩展后,可用以解决一系列与此类似的问题,还可以把计算结果编制成设计手册,以便于使用。
本文介绍一种设计宽带高方向性定向耦合器的数值方法。此法经扩展后,可用以解决一系列与此类似的问题,还可以把计算结果编制成设计手册,以便于使用。
1985, 7(4): 288-296.
摘要:
本文提出了一种利用B样条函数进行数字图象几何变换的算法。在给定一组特殊的规则控制栅格点的条件下,构成B样条变换式。此变换算法保证给出的控制栅格点的准确对应,可得较高的精度。在小型图象处理系统中可用一种专用的变换解算装置来实现。 本文还提出开窗几何变换的自动实现。
本文提出了一种利用B样条函数进行数字图象几何变换的算法。在给定一组特殊的规则控制栅格点的条件下,构成B样条变换式。此变换算法保证给出的控制栅格点的准确对应,可得较高的精度。在小型图象处理系统中可用一种专用的变换解算装置来实现。 本文还提出开窗几何变换的自动实现。
1985, 7(4): 297-303.
摘要:
本文介绍了在450700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(xj)的平方和时间(t)的比值(xj2/t)作为扩散速度的度量,并画出了xj2/t-1/T(温度)曲线。发现Cd源,特别是CdP2源的扩散速度较慢,容易控制它扩散的结深和浓度,昕以它是比较理想的扩散杂质源。利用Tien的中性复合体理论,解释了Cd和Zn在InP中扩散的复杂现象。
本文介绍了在450700℃的广阔温度范围内研究Cd和Zn向InP扩散的结果,并对结果作了比较。详细研究了Cd,Zn及其化合物等不同杂质源对扩散的影响。我们用结深(xj)的平方和时间(t)的比值(xj2/t)作为扩散速度的度量,并画出了xj2/t-1/T(温度)曲线。发现Cd源,特别是CdP2源的扩散速度较慢,容易控制它扩散的结深和浓度,昕以它是比较理想的扩散杂质源。利用Tien的中性复合体理论,解释了Cd和Zn在InP中扩散的复杂现象。
1985, 7(4): 304-310.
摘要:
本文研究了电子束光刻中电子能量(1030keV)和电荷剂量(10-610-3Ccm-2)对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10-3Ccm-2)电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达1012cm-2eV-1以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。
本文研究了电子束光刻中电子能量(1030keV)和电荷剂量(10-610-3Ccm-2)对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10-3Ccm-2)电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达1012cm-2eV-1以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。
1985, 7(4): 311-314.
摘要:
正 1.引言 近几年来由于约瑟夫逊隧道结在许多方面得到应用,特别是在新一代超级电子计算机上得到了应用,所以人们对制作小面积隧道结的技术产生了浓厚的兴趣。制作软金属超导隧道结,以IBM为代表已形成一套完整的工艺。但要用他们的办法重复地制作出实用的隧道结,必须有高级的专用设备和丰富的技术积累。一般单位在短期内是难以达到这样的技术水平的。1982年Gundlach(西德马克斯-普朗克学会)发表的文章仍在使用刀片制作的金属掩模。我们也曾经使用过这种掩模,但是用一般形式的金属掩模制作隧道结时,在氧化层势垒形成以后,必须打开镀膜机的钟罩,以便转换掩模制作上电极。这样氧化层势垒就容易受到大气污染。 为了克服这一缺点,我们用刀片拼装成的悬挂金属掩模来制作隧道结。这一技术具
正 1.引言 近几年来由于约瑟夫逊隧道结在许多方面得到应用,特别是在新一代超级电子计算机上得到了应用,所以人们对制作小面积隧道结的技术产生了浓厚的兴趣。制作软金属超导隧道结,以IBM为代表已形成一套完整的工艺。但要用他们的办法重复地制作出实用的隧道结,必须有高级的专用设备和丰富的技术积累。一般单位在短期内是难以达到这样的技术水平的。1982年Gundlach(西德马克斯-普朗克学会)发表的文章仍在使用刀片制作的金属掩模。我们也曾经使用过这种掩模,但是用一般形式的金属掩模制作隧道结时,在氧化层势垒形成以后,必须打开镀膜机的钟罩,以便转换掩模制作上电极。这样氧化层势垒就容易受到大气污染。 为了克服这一缺点,我们用刀片拼装成的悬挂金属掩模来制作隧道结。这一技术具
1985, 7(4): 315-318.
摘要:
正 1.引言 众所周知,晶体管的电流增益与收集极电流有关,开始它随收集极电流增大而增大,达到一最大值后,它又随收集极电流的进一步增大而逐渐减小。所谓大电流时电流增益下降,就是指收集极电流大于电流增益达最大值所对应的收集极电流后电流增益下降的现象。 关于大电流时电流增益下降的物理原因,过去有两种解释:一是由Webster提出的基区电导调制效应;另一是由Kirk提出的有效基区展宽效应
正 1.引言 众所周知,晶体管的电流增益与收集极电流有关,开始它随收集极电流增大而增大,达到一最大值后,它又随收集极电流的进一步增大而逐渐减小。所谓大电流时电流增益下降,就是指收集极电流大于电流增益达最大值所对应的收集极电流后电流增益下降的现象。 关于大电流时电流增益下降的物理原因,过去有两种解释:一是由Webster提出的基区电导调制效应;另一是由Kirk提出的有效基区展宽效应
1985, 7(4): 319-322.
摘要:
正 一、引言 在CaAs气相外延中,除了用各种掺杂剂制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延层的制备。鉴于P型材料可用作双漂移二极管和太阳能电池,本文在GaAsCl3-H2体系中采用元素Cd为掺杂剂,研究了Cd的掺杂行为并制得了各种结构的p-n材料
正 一、引言 在CaAs气相外延中,除了用各种掺杂剂制得n型材料外,也有少量工作述及P型外延层的制备。鉴于P型材料可用作双漂移二极管和太阳能电池,本文在GaAsCl3-H2体系中采用元素Cd为掺杂剂,研究了Cd的掺杂行为并制得了各种结构的p-n材料
