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1985年 第7卷 第3期
1985, 7(3): 161-170.
摘要:
本文报道的是用边界元素法计算阶梯开口波导的反射系数。文中给出了用边界元素法求解波动方程问题的主要步骤和公式,并对本问题的一些计算细节作了说明。把在特殊状态下得到的结果与有关文献中的结果作了比较,从而看出这种方法的有效性。
本文报道的是用边界元素法计算阶梯开口波导的反射系数。文中给出了用边界元素法求解波动方程问题的主要步骤和公式,并对本问题的一些计算细节作了说明。把在特殊状态下得到的结果与有关文献中的结果作了比较,从而看出这种方法的有效性。
1985, 7(3): 171-179.
摘要:
本文利用作者前文(1984)给出的方法和技巧,求解了自由空间广义柱体并矢格林函数。所得公式在推导过程中未涉及柱体具体的横截面形状,故具有普遍适用的意义。作为具体运用实例,给出了完纯导电尖劈、半片和椭圆柱体的并矢格林函数去掉h积分的表示式。
本文利用作者前文(1984)给出的方法和技巧,求解了自由空间广义柱体并矢格林函数。所得公式在推导过程中未涉及柱体具体的横截面形状,故具有普遍适用的意义。作为具体运用实例,给出了完纯导电尖劈、半片和椭圆柱体的并矢格林函数去掉h积分的表示式。
1985, 7(3): 180-187.
摘要:
本文引入线性系统分析中不定矩阵的拓展伴随有向图。仅求出拓展伴随有向图的全部有向树,便同时得到了不定矩阵的一阶和二阶代数余子式,避免了通常求二阶代数余子式需找有向2树的运算,使不定矩阵的拓扑计算更易于计算机程序化。
本文引入线性系统分析中不定矩阵的拓展伴随有向图。仅求出拓展伴随有向图的全部有向树,便同时得到了不定矩阵的一阶和二阶代数余子式,避免了通常求二阶代数余子式需找有向2树的运算,使不定矩阵的拓扑计算更易于计算机程序化。
1985, 7(3): 188-194.
摘要:
有理谐波注入锁定比谐波注入锁定可以使电路更简单、更灵活。至今,尚未见有分析它的文章。本文分析并导出了有理谐波注入锁定同步(s/m)max)的通用公式。结果表明Ⅰ.施密迪格(Schinideg)(1971)给出的谐波注入锁定同步带公式只是一个特例。 本文还介绍了一种用全通网络来扩展有理谐波注入锁定同步带的办法。据此,制作了一个由集成块FZIC组成的2/3注入锁定甚高频分频器,其稳定性因子n=f(3/2)max)/f[-40+85℃]4,原始电路的n0.6,从而使有理谐波注入锁定有了更实用的价值。
有理谐波注入锁定比谐波注入锁定可以使电路更简单、更灵活。至今,尚未见有分析它的文章。本文分析并导出了有理谐波注入锁定同步(s/m)max)的通用公式。结果表明Ⅰ.施密迪格(Schinideg)(1971)给出的谐波注入锁定同步带公式只是一个特例。 本文还介绍了一种用全通网络来扩展有理谐波注入锁定同步带的办法。据此,制作了一个由集成块FZIC组成的2/3注入锁定甚高频分频器,其稳定性因子n=f(3/2)max)/f[-40+85℃]4,原始电路的n0.6,从而使有理谐波注入锁定有了更实用的价值。
1985, 7(3): 195-202.
摘要:
本文从锁相环的基本原理出发对用摄动法定量研究二阶锁相环的非线性性能一文中存在的几个问题,提出不同意见进行商榷。
本文从锁相环的基本原理出发对用摄动法定量研究二阶锁相环的非线性性能一文中存在的几个问题,提出不同意见进行商榷。
1985, 7(3): 203-212.
摘要:
本文对电流型开关倍频器的工作原理作了较详细的定量分析,给出了电流型开关倍频器的最佳工作状态与电路元器件参数间的关系式,进而提出了倍频器的最佳设计原则,并做了实验验证。此外,还探讨了微分电感的稳定性及寄生谐波对倍频器输出信号的稳定度的影响。
本文对电流型开关倍频器的工作原理作了较详细的定量分析,给出了电流型开关倍频器的最佳工作状态与电路元器件参数间的关系式,进而提出了倍频器的最佳设计原则,并做了实验验证。此外,还探讨了微分电感的稳定性及寄生谐波对倍频器输出信号的稳定度的影响。
1985, 7(3): 213-219.
摘要:
本文用一个计算机程序研究了实际的高低掺杂变容二极管的工作情况,确定该器件作为参放的优劣程度。还给出了工作频率范围、偏置电压、泵浦功率以及相应的负阻值等主要的电气参量,从而为参放的结构设计提供了依据。
本文用一个计算机程序研究了实际的高低掺杂变容二极管的工作情况,确定该器件作为参放的优劣程度。还给出了工作频率范围、偏置电压、泵浦功率以及相应的负阻值等主要的电气参量,从而为参放的结构设计提供了依据。
1985, 7(3): 220-226.
摘要:
用改进了的射频溅射仪,在GaAs/GaAlAs DH面发光管的窗口上沉积一层厚度近于/4的Al2O3抗反射层后,其输出光功率增高了3066％。而在相同涂层条件下,退化发光管输出光功率的提高则不到30％,这可能与其体内形成缺陷有关。
用改进了的射频溅射仪,在GaAs/GaAlAs DH面发光管的窗口上沉积一层厚度近于/4的Al2O3抗反射层后,其输出光功率增高了3066％。而在相同涂层条件下,退化发光管输出光功率的提高则不到30％,这可能与其体内形成缺陷有关。
1985, 7(3): 227-231.
摘要:
正 (一)引言 串馈波导窄边缝隙阵天线是一种广泛应用的天线。波导缝隙电导与缝隙几何尺寸的关系是设计这种天线的基础,而缝隙导纳的频率特性则是分析天线频率特性所必不可少的依据。设计波导缝隙阵天线,虽有理论分析公式可以应用,但所得结果与实际情况还有出入;因此,设计之前,先测得波导缝隙的电导值。由于单个缝隙的电导值相当小,难以测准,加之缝隙之间又存在相互耦合,因此,人们都是测量多个(至少20个)缝隙的阵中的缝隙电导值。一般是采用测量S参量的方法,即测量波节点的移动,通过作图求得电导值。这种测量方法非常繁琐,而且精度也难保证。也有人采用行波功率法,但只能得到谐振频率上的电导值。至今尚未见到关于测量缝隙导纳的频率特性的简捷方
正 (一)引言 串馈波导窄边缝隙阵天线是一种广泛应用的天线。波导缝隙电导与缝隙几何尺寸的关系是设计这种天线的基础,而缝隙导纳的频率特性则是分析天线频率特性所必不可少的依据。设计波导缝隙阵天线,虽有理论分析公式可以应用,但所得结果与实际情况还有出入;因此,设计之前,先测得波导缝隙的电导值。由于单个缝隙的电导值相当小,难以测准,加之缝隙之间又存在相互耦合,因此,人们都是测量多个(至少20个)缝隙的阵中的缝隙电导值。一般是采用测量S参量的方法,即测量波节点的移动,通过作图求得电导值。这种测量方法非常繁琐,而且精度也难保证。也有人采用行波功率法,但只能得到谐振频率上的电导值。至今尚未见到关于测量缝隙导纳的频率特性的简捷方
1985, 7(3): 232-237.
摘要:
正 (一)引言 Stratton说过:事物在表面上极其复杂多样,这激励人们从中发现经常出现的一致性。例如可以设计出这样的电路,使其性能与力学系统的振荡能用同样的微分方程组描写,两者具有一一对应的关系。1936年,波导传输实验成功,从此开始了微波技术的历史。次年,Schelkunoff即采用等效电压、电流概念,对自由空间的横磁(TM)平面波作了分析,并第一次采用等效电路,即用分布式多节网络,模拟一个带有截止条件的波动过程。他在文献[4]中,把阻抗概念推广到电磁场领域,并从一维的传输线模拟开始,建立了基本理论基础。而阻抗本来是力学、声学、流体力学中的一个固有参数。 本世纪初量子理论的发展,使人们认识到电磁场具有波粒二象性
正 (一)引言 Stratton说过:事物在表面上极其复杂多样,这激励人们从中发现经常出现的一致性。例如可以设计出这样的电路,使其性能与力学系统的振荡能用同样的微分方程组描写,两者具有一一对应的关系。1936年,波导传输实验成功,从此开始了微波技术的历史。次年,Schelkunoff即采用等效电压、电流概念,对自由空间的横磁(TM)平面波作了分析,并第一次采用等效电路,即用分布式多节网络,模拟一个带有截止条件的波动过程。他在文献[4]中,把阻抗概念推广到电磁场领域,并从一维的传输线模拟开始,建立了基本理论基础。而阻抗本来是力学、声学、流体力学中的一个固有参数。 本世纪初量子理论的发展,使人们认识到电磁场具有波粒二象性
1985, 7(3): 238-240.
摘要:
正 (一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为812cm的111P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300m。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对
正 (一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为812cm的111P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300m。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对
