La在Si/SiO2界面的电效应
ELECTRIC EFFECTS OF La AT THE Si/SiO2 INTERFACE
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摘要: 正 (一)引言 除金(Au)以外,作者们还曾详细地介绍过稀有金属钯(Pd)、钆(Gd)、铑(Rh)等在si/SiO2界面呈现的类似的负电效应。并且讨论过该效应的普遍性及其改善器件表面性质的可能性。近来我们在实验中,又观察到镧(La)也是具有负电效应的杂质,同样能引起MOS结构C-V曲线,包括高频和准静态曲线,沿正栅压方向明显移动。本文介绍的是掺La界面电特性的主要结果。 (二)实验 MOS样品是在电阻率为812cm的111P型Si单晶片上制成的。Si片是经研磨、SiO2胶体抛光和化学抛光制成的,厚度约为300m。在1150℃下HC1和干氧的混合气流中氧化30min,使Si片表面生成厚度约为1200的SiO2薄膜。去除Si片背面的SiO2后,在干氮下,从背面扩入La,进而在不同条件(温度、时间、气氛等)下,对
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关键词:
Abstract: The negative electric effects of La metai at the Si/SiO2 interface and the heat treatment behaviour of these effects are studied experimentally. In addition, the results of electron spectroscopy analysis of the La-doped interface are also presented. -
李思渊,李寿嵩等,半导体技术,1981年,第2期,第1页.[2]李思渊,张同军,李寿嵩,兰州大学学报,18(1982), 125.[3]李思渊,张同军,李寿嵩,半导体学报,4(1983), 606.[4]李思渊,张同军,李寿嵩,王毓珍,兰州大学学报,19(1983), 125.[5]S. D. Brotherton,J.Appl. Phys., 42(1971), 2085.[6]R. Holm and S. Store, Appl. Phys., 12(1977), 101.[7]K. S. Kim et al., Surface Science, 43(1974), 625.[8]Y. C. Cheng, Progress in Surface, 18 (1977), 181.[9]李思渊,张同军,李寿嵩,王毓珍,兰州大学学报,19(1983), 156.[10]E. Kooi, Philips. Res. Repts., 21 (1966), 477. -
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