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大电流时晶体管电流增益下降的物理原因

林昭(火回) 许惠英

林昭(火回), 许惠英. 大电流时晶体管电流增益下降的物理原因[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(4): 315-318.
引用本文: 林昭(火回), 许惠英. 大电流时晶体管电流增益下降的物理原因[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(4): 315-318.
Lin Zhaohui, Xu Huiying. VERIFICATION OF THE PHYSICAL REASON FOR THE CURRENT GAIN FALL-OFF AT HIGH CURRENTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(4): 315-318.
Citation: Lin Zhaohui, Xu Huiying. VERIFICATION OF THE PHYSICAL REASON FOR THE CURRENT GAIN FALL-OFF AT HIGH CURRENTS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(4): 315-318.

大电流时晶体管电流增益下降的物理原因

VERIFICATION OF THE PHYSICAL REASON FOR THE CURRENT GAIN FALL-OFF AT HIGH CURRENTS

  • 摘要: 正 1.引言 众所周知,晶体管的电流增益与收集极电流有关,开始它随收集极电流增大而增大,达到一最大值后,它又随收集极电流的进一步增大而逐渐减小。所谓大电流时电流增益下降,就是指收集极电流大于电流增益达最大值所对应的收集极电流后电流增益下降的现象。 关于大电流时电流增益下降的物理原因,过去有两种解释:一是由Webster提出的基区电导调制效应;另一是由Kirk提出的有效基区展宽效应
      关键词:
    •  
  • W. M. Webster, Proc. IRE, 42(1954), 914.[2]C. T. Kirk, IEEE Trans. on ED, ED-9(1962), 164.[3]R. J. Whitter and D. A. Tremere, ibid., ED16 (1969), 39.[4]D. L. Bowler and F. A. Lindholm, ibid, ED-20(1973), 257.[5]P. L. Hower, ibid, ED-20 (1973), 426.[6]R. Kumar and L. P. Hunter, ibid., ED-22(1975), 1031.[7]G. Rey, F. Dupuy and J. P. Bailbe, Solid-State Electron. 18(1975), 863.[8]C. B. Norris and J. F. Gibbons, IEEE Trans. on ED, ED-14(1967), 38.[9]F. J. Morin, Phys. Rev., 93(1954), 62.[10]E. I. Ruder, ibid, 90(1951), 766.[11]C, Kittel, Introduction to Solid State Physics, p. 94, New York, John Wiley and Sons., Inc.,1956.[12]H. F. Wolf, Silicon Semiconductor Data, Signetics Corporation, 1969, p. 32.
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-06-13
  • 修回日期:  1984-11-08
  • 刊出日期:  1985-07-19

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