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1989年 第11卷 第3期
1989, 11(3): 225-235.
摘要:
本文从理想均匀静电场偏转系统三级几何象差的公式出发,导出了由两对互相垂直的偏转板组成的平行平板偏转系统的三级几何象差公式。这些公式不但可用来快速估算偏转象差,还可用来作为校验数字计算程序的理论模型。从水平和垂直方向偏转象散和场曲的影响应相同这一要求出发,提出了一种优化设计方法。在给定偏转区总长度和两对偏转板之间的距离后,可以计算出每对偏转板的最佳长度。文中给出了设计数表,并比较了平行平板偏转系统和八极偏转系统的优缺点。
本文从理想均匀静电场偏转系统三级几何象差的公式出发,导出了由两对互相垂直的偏转板组成的平行平板偏转系统的三级几何象差公式。这些公式不但可用来快速估算偏转象差,还可用来作为校验数字计算程序的理论模型。从水平和垂直方向偏转象散和场曲的影响应相同这一要求出发,提出了一种优化设计方法。在给定偏转区总长度和两对偏转板之间的距离后,可以计算出每对偏转板的最佳长度。文中给出了设计数表,并比较了平行平板偏转系统和八极偏转系统的优缺点。
1989, 11(3): 236-243.
摘要:
本文对电磁聚焦移象系统中静电聚焦场的逆设计进行了研究,利用多电极系统静电场的电位迭加原理,建立了数学模型,用最优化方法对系统的静电聚焦场进行了设计计算。
本文对电磁聚焦移象系统中静电聚焦场的逆设计进行了研究,利用多电极系统静电场的电位迭加原理,建立了数学模型,用最优化方法对系统的静电聚焦场进行了设计计算。
1989, 11(3): 244-249.
摘要:
在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm2T2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用单晶面测量时,理论和实验值便相符了。事实上发射来源于已穿透进势垒的表面电子。这些电子既不能进入真空,也不能在金属导带中自由运动,否则不同晶面便不可能有不同的逸出功。异族元素的吸附增加表面电子的数目和能量,因而使逸出功下降。
在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm2T2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用单晶面测量时,理论和实验值便相符了。事实上发射来源于已穿透进势垒的表面电子。这些电子既不能进入真空,也不能在金属导带中自由运动,否则不同晶面便不可能有不同的逸出功。异族元素的吸附增加表面电子的数目和能量,因而使逸出功下降。
1989, 11(3): 250-257.
摘要:
本文对Nakano简化的曲线天线积分方程核做了更便于数值计算的处理;运用矩量法分析,计算了谐振式四臂螺旋天线的圆极化方向图、增益、轴比、前后比及赋形特性等,并研究了馈电方法和导电板对天线性能的影响。
本文对Nakano简化的曲线天线积分方程核做了更便于数值计算的处理;运用矩量法分析,计算了谐振式四臂螺旋天线的圆极化方向图、增益、轴比、前后比及赋形特性等,并研究了馈电方法和导电板对天线性能的影响。
1989, 11(3): 258-266.
摘要:
本文以声呐为例讨论了应用啾声(Chirp)信号于线阵的问题。文章研究了在接收机输入端混有噪声的条件下线性调频脉冲阵的波束形成的可能性。理论分析和计算机模拟表明,系统具有良好的距离分辨率、角度分辨率和高的信噪比增益。
本文以声呐为例讨论了应用啾声(Chirp)信号于线阵的问题。文章研究了在接收机输入端混有噪声的条件下线性调频脉冲阵的波束形成的可能性。理论分析和计算机模拟表明,系统具有良好的距离分辨率、角度分辨率和高的信噪比增益。
1989, 11(3): 267-274.
摘要:
文中引入完全超树和主子超图的概念,并提出产生线性有源网络之符号网络函数的一个新方法主子超图法。它是主子图法[1]的改进。它的表达式很紧凑,计算时间复杂度为O(venl)。通常叶总数nl远小于主子图数np,所以它的计算效率高于主子图法。
文中引入完全超树和主子超图的概念,并提出产生线性有源网络之符号网络函数的一个新方法主子超图法。它是主子图法[1]的改进。它的表达式很紧凑,计算时间复杂度为O(venl)。通常叶总数nl远小于主子图数np,所以它的计算效率高于主子图法。
1989, 11(3): 275-283.
摘要:
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的压磁电效应。利用准平面拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同栅电压、漏电压以及n沟道硅器件不同宽长比的压力灵敏度和磁灵敏度。在P0,B=0,器件宽长比为W/L=1/2-1时,电流性压力灵敏度约为:2.5％cm2/N。据此,提出了一种有良好工作稳定性及噪声性能的力学量敏感器件结型场效应力敏管(Junction field effect-pressure sensor)。
本文用标准的松弛方法研究了结型场效应晶体管的压磁电效应。利用准平面拉普拉斯方程及有限差分法计算了不同栅电压、漏电压以及n沟道硅器件不同宽长比的压力灵敏度和磁灵敏度。在P0,B=0,器件宽长比为W/L=1/2-1时,电流性压力灵敏度约为:2.5％cm2/N。据此,提出了一种有良好工作稳定性及噪声性能的力学量敏感器件结型场效应力敏管(Junction field effect-pressure sensor)。
1989, 11(3): 284-289.
摘要:
在研究硅n+-p结中金深受主能级EA的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1s时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于EA同时具有多子及少子两种响应区的结果。
在研究硅n+-p结中金深受主能级EA的DLTS信号强度(峰高)与多子脉冲的关系中发现,当脉冲宽度宽于1s时,峰高反而随着脉冲宽度增加而单调下降。给出了典型的实验结果,并指出这是由于EA同时具有多子及少子两种响应区的结果。
1989, 11(3): 290-298.
摘要:
本文综述了迅速发展中的微带天线理论和技术的新进展。侧重评述了基本理论和圆极化、宽频带、多频段及馈电等技术的进展,并介绍了毫米波微带天线阵和有源固态相控阵等新型微带阵列。最后展望了发展方向。
本文综述了迅速发展中的微带天线理论和技术的新进展。侧重评述了基本理论和圆极化、宽频带、多频段及馈电等技术的进展,并介绍了毫米波微带天线阵和有源固态相控阵等新型微带阵列。最后展望了发展方向。
1989, 11(3): 299-302.
摘要:
本文推导出了以衬底光功率流为参数的非线性衬底光波导TE模的本征值方程,且采用简单的图解法求解。
本文推导出了以衬底光功率流为参数的非线性衬底光波导TE模的本征值方程,且采用简单的图解法求解。
1989, 11(3): 303-307.
摘要:
本文讨论了加鳍波导高次模的特性,并用传输矩阵(TLM)方法计算了前七个模式的截止波长,还指出了如何修正TLM方法的误差。
本文讨论了加鳍波导高次模的特性,并用传输矩阵(TLM)方法计算了前七个模式的截止波长,还指出了如何修正TLM方法的误差。
1989, 11(3): 308-313.
摘要:
本文导出标准直角、圆柱和圆球矢量波函数的坐标变换关系,为实际使用提供了方便。
本文导出标准直角、圆柱和圆球矢量波函数的坐标变换关系,为实际使用提供了方便。
1989, 11(3): 314-319.
摘要:
本文介绍由长缝隙耦合的端头对接的波导接头的电特性。利用伽略金法求解缝隙口面上等效磁流,获得散射场及其等效参量的通用表达式。波导尺寸,缝隙尺寸和位置是任意的。给出了数值计算实例和实验数据,二者相吻合。
本文介绍由长缝隙耦合的端头对接的波导接头的电特性。利用伽略金法求解缝隙口面上等效磁流,获得散射场及其等效参量的通用表达式。波导尺寸,缝隙尺寸和位置是任意的。给出了数值计算实例和实验数据,二者相吻合。
1989, 11(3): 320-323.
摘要:
本文通过保角变换研究了垂直带状线中等位线的特性,结果表明其中有一根非常近似于圆的等位线。据此导出了开放平板线的特性阻抗。这个方法物理概念清晰,所得结果可信并和已有的结果吻合较好。
本文通过保角变换研究了垂直带状线中等位线的特性,结果表明其中有一根非常近似于圆的等位线。据此导出了开放平板线的特性阻抗。这个方法物理概念清晰,所得结果可信并和已有的结果吻合较好。
1989, 11(3): 324-327.
摘要:
本文简要地叙述了H形阻抗变换器的设计方法,重点讨论了H形波导的截止波长应如何正确选择,才能使在调谐频率范围内磁控管的输出功率比较均匀。最后进行了装管热测,结果与予期目标较符合。
本文简要地叙述了H形阻抗变换器的设计方法,重点讨论了H形波导的截止波长应如何正确选择,才能使在调谐频率范围内磁控管的输出功率比较均匀。最后进行了装管热测,结果与予期目标较符合。
1989, 11(3): 328-332.
摘要:
本文利用滞回电阻实现了滞回电感,然后研究了包含该滞回电感的二阶非自激动态电路中的分叉和浑沌行为。计算机模拟和实验结果是定性相似的。系统的分叉结果具有应用价值。
本文利用滞回电阻实现了滞回电感,然后研究了包含该滞回电感的二阶非自激动态电路中的分叉和浑沌行为。计算机模拟和实验结果是定性相似的。系统的分叉结果具有应用价值。
1989, 11(3): 333-336.
摘要:
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
