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GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级

张桂成

张爱民, 林京, 李秀林. 针对循环频率误差的稳健CAB算法[J]. 电子与信息学报, 2005, 27(9): 1393-1397.
引用本文: 张桂成, . GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 333-336.
Zhang Ai-min, Lin Jing, Li Xiu-lin. Robust Cyclic Adaptive Beamforming under Cycle Frequency Error[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2005, 27(9): 1393-1397.
Citation: Zhang Guicheng Wu Zheng Chen Ziyao Zhou Binglin. STUDY OF DEEP LEVELS IN Ga_(1-x)AlxAs/GaAs DH LEDs[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(3): 333-336.

GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级

STUDY OF DEEP LEVELS IN Ga_(1-x)AlxAs/GaAs DH LEDs

  • 摘要: 本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-04-15
  • 修回日期:  1987-09-14
  • 刊出日期:  1989-05-19

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