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逸出功的某些特性

张恩虬

张恩虬. 逸出功的某些特性[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 244-249.
引用本文: 张恩虬. 逸出功的某些特性[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(3): 244-249.
Zhang Enqiu. SOME PROPERTIES OFTHE WORK FUNCTION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(3): 244-249.
Citation: Zhang Enqiu. SOME PROPERTIES OFTHE WORK FUNCTION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(3): 244-249.

逸出功的某些特性

SOME PROPERTIES OFTHE WORK FUNCTION

  • 摘要: 在实用热阴极中,测量得的发射常数值经常小于120A/cm2T2。这是由于逸出功有一分布所致,而不是由于电子遇到表面势垒时的反射。用单晶面测量时,理论和实验值便相符了。事实上发射来源于已穿透进势垒的表面电子。这些电子既不能进入真空,也不能在金属导带中自由运动,否则不同晶面便不可能有不同的逸出功。异族元素的吸附增加表面电子的数目和能量,因而使逸出功下降。
  • В.С.Фоменко,эмиссионные свойства ма териалов,Справочник,Киев,Наукова Думка,1981.[2]D. Jones, D.Mcneely, L. W. Swanson, Applications of Surf. Sci., 2 (1979), 232.[3]刘学悫,阴极电子学,科学出版社,1980.[4]G. A. Hass, R. E. Thomas, Surf Sci., 4 (1966), 64.[5]卞彭,电子学通讯,1977年,总39期,第10页.[6]曾海山,杨凌云,叶毓林,电子科学学刊,10(1988)2, 167-175.[7]王宁,王鼎盖,电子科学学刊,8(1986)6, 408-415.
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-04-13
  • 修回日期:  1988-08-02
  • 刊出日期:  1989-05-19

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