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1986年 第8卷 第4期
1986, 8(4): 241-246.
摘要:
本文用几何绕射理论分析计算了矩形反射柱体近旁偶极子和双环天线的水平辐射特性。研究了到达场点的直达波、反射波和柱体稜边各次绕射波之间的量值关系。分析了柱体边长、天线与柱体之间的相对位置和天线的馈电方式对合成场强方向图的影响。计算结果表明,需要对天线系统的有关参数进行优化设计,以得到最佳的全向辐射特性,本文的分析方法和结果为这类天线系统的优化设计提供了手段和依据。
本文用几何绕射理论分析计算了矩形反射柱体近旁偶极子和双环天线的水平辐射特性。研究了到达场点的直达波、反射波和柱体稜边各次绕射波之间的量值关系。分析了柱体边长、天线与柱体之间的相对位置和天线的馈电方式对合成场强方向图的影响。计算结果表明,需要对天线系统的有关参数进行优化设计,以得到最佳的全向辐射特性,本文的分析方法和结果为这类天线系统的优化设计提供了手段和依据。
1986, 8(4): 247-254.
摘要:
本文应用萨温(Г.Н.Савин)扰动形式的映射函数处理电磁波绕射导体的二维问题。提出了渐近求解这一问题的一般方法及相应的渐近公式,特别是基于圆柱形导体的渐近,文中给出了0级及1级渐近解的具体算式。
本文应用萨温(Г.Н.Савин)扰动形式的映射函数处理电磁波绕射导体的二维问题。提出了渐近求解这一问题的一般方法及相应的渐近公式,特别是基于圆柱形导体的渐近,文中给出了0级及1级渐近解的具体算式。
1986, 8(4): 255-264.
摘要:
本文概述了设计二维数字滤波器的已有的几种主要的设计方法,提出了一种简单的设计方法组合设计法。这种方法具有计算代价低、易于实现线性相移、便于向多维推广等优点。实验结果表明:这种方法比二维窗口法计算代价还低、设计效果更好。它不仅适于在图像处理或其他计算机系统中作为应用软件使用,也适于在涉及二维或多维数字滤波的研究工作中采用。
本文概述了设计二维数字滤波器的已有的几种主要的设计方法,提出了一种简单的设计方法组合设计法。这种方法具有计算代价低、易于实现线性相移、便于向多维推广等优点。实验结果表明:这种方法比二维窗口法计算代价还低、设计效果更好。它不仅适于在图像处理或其他计算机系统中作为应用软件使用,也适于在涉及二维或多维数字滤波的研究工作中采用。
1986, 8(4): 265-271.
摘要:
本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/Au-Zn体系的合金化条件对比接触电阻(c)的影响。在 450℃热处理12 min或在 350℃热处理30 min,均可得到较低的比接触电阻,这表明界面处的互扩散程度是决定比接触电阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸发和热处理的过程中,Zn趋向于凝集在最表面层,而不能充分发挥它在InP中的受主作用,这是该体系的c值偏高的原因之一。
本文用俄歇电子能谱和扫描电子显微镜等方法研究了p-InP与Au-Zn,Ti/Au,Pd/Au和Ti/Pd/Au接触在热处理过程中的互扩散现象.结果表明:Au较Ti、Pd易向p-InP内扩散。研究了 p-InP/Au-Zn体系的合金化条件对比接触电阻(c)的影响。在 450℃热处理12 min或在 350℃热处理30 min,均可得到较低的比接触电阻,这表明界面处的互扩散程度是决定比接触电阻的重要因素。Au-Zn合金在蒸发和热处理的过程中,Zn趋向于凝集在最表面层,而不能充分发挥它在InP中的受主作用,这是该体系的c值偏高的原因之一。
1986, 8(4): 272-278.
摘要:
本文提出了用MOS恒流准静态小信号技术同时测量MOS的准静态电容、高频电容和半导体表面势的新方法。用此方法可以快速、准确地确定Si/SiO2系统的低界面态密度分布。采用同步限幅差放技术,使界面态密度的测量灵敏度提高了一个量级。
本文提出了用MOS恒流准静态小信号技术同时测量MOS的准静态电容、高频电容和半导体表面势的新方法。用此方法可以快速、准确地确定Si/SiO2系统的低界面态密度分布。采用同步限幅差放技术,使界面态密度的测量灵敏度提高了一个量级。
1986, 8(4): 279-286.
摘要:
本文介绍一种随线式微波测湿系统。本系统所用传感器灵敏度较高,线性较好,适合于在传送带上测量碎屑伏电介质的含水量。由于采用了可编程计算器采集和处理数据,提高了测量准确度。本系统已在上海焦化厂精煤传送带上做了动态实验,所得结果与实际含水量基本相符。
本文介绍一种随线式微波测湿系统。本系统所用传感器灵敏度较高,线性较好,适合于在传送带上测量碎屑伏电介质的含水量。由于采用了可编程计算器采集和处理数据,提高了测量准确度。本系统已在上海焦化厂精煤传送带上做了动态实验,所得结果与实际含水量基本相符。
1986, 8(4): 287-292.
摘要:
本文提出了解释镧-碳化钨(La-WC)阴极发射大和抗油蒸汽中毒能力强的一些设想,并通过实验,验证了所提出的设想。在La-WC阴极的工作温度范围内,La和 WC发生化学反应,生成La2C3。La2C3也是一种良好的发射材料,它具有与镧相近的逸出功。La2C3能与镧形成共熔体,对钨基底浸润良好,易形成较好的发射层,而使发射显著增大。La-WC阴极抗油蒸汽中毒是由于污染的碳与共熔体中的镧形成La2C3,而La2C3也是良好的发射物质的缘故。
本文提出了解释镧-碳化钨(La-WC)阴极发射大和抗油蒸汽中毒能力强的一些设想,并通过实验,验证了所提出的设想。在La-WC阴极的工作温度范围内,La和 WC发生化学反应,生成La2C3。La2C3也是一种良好的发射材料,它具有与镧相近的逸出功。La2C3能与镧形成共熔体,对钨基底浸润良好,易形成较好的发射层,而使发射显著增大。La-WC阴极抗油蒸汽中毒是由于污染的碳与共熔体中的镧形成La2C3,而La2C3也是良好的发射物质的缘故。
1986, 8(4): 293-302.
摘要:
本文讨论了应用频域远区近似夫累涅尔-基尔霍夫公式计算瞬态辐射场的局限性。指出在瞬态信号激励下,必须用严格的夫累涅尔-基尔霍夫公式来计算辐射场,否则将丢失许多重要的瞬态特性。
本文讨论了应用频域远区近似夫累涅尔-基尔霍夫公式计算瞬态辐射场的局限性。指出在瞬态信号激励下,必须用严格的夫累涅尔-基尔霍夫公式来计算辐射场,否则将丢失许多重要的瞬态特性。
1986, 8(4): 303-308.
摘要:
本文阐明了在使用口径天线在远场区的冲激响应的概念时,远场区是对激励天线的实际信号而言,并非对为求冲激响应而施加在天线上的函数而言;远场区的冲激响应在距离上的适用范围决定于激励信号的频率范围。
本文阐明了在使用口径天线在远场区的冲激响应的概念时,远场区是对激励天线的实际信号而言,并非对为求冲激响应而施加在天线上的函数而言;远场区的冲激响应在距离上的适用范围决定于激励信号的频率范围。
1986, 8(4): 309-315.
摘要:
正 一、引言 计算矩形同轴带状线的电容是相当困难的,迄今只见到尺寸满足一定条件时的近似解,尚未见到一般情况下的准确解。有关计算电容的已有近似公式大多是基于保角变换法导得的,例如,Tippet和Chang应用变换式t=sn2(mz,k)将Z平面上的O
正 一、引言 计算矩形同轴带状线的电容是相当困难的,迄今只见到尺寸满足一定条件时的近似解,尚未见到一般情况下的准确解。有关计算电容的已有近似公式大多是基于保角变换法导得的,例如,Tippet和Chang应用变换式t=sn2(mz,k)将Z平面上的O
1986, 8(4): 316-320.
摘要:
正 1.引言 一般文献在讨论如脉冲压缩、合成孔径等数字信号处理技术时,都假定系统中的振荡源是理想的,即认为它不存在相位噪声,因此不会对信号处理产生不良影响。这个假定当然与实际情况有出入,因此有必要加以研究和修正。但振荡起伏对信号处理的影响相当复杂,很多情况难以利用经典理论来解决。本文提出用蒙特卡罗计算机模拟法来估算这种影响,并以脉冲压缩为例来阐述这一思想。振荡源的相位噪声谱密度则以常用
正 1.引言 一般文献在讨论如脉冲压缩、合成孔径等数字信号处理技术时,都假定系统中的振荡源是理想的,即认为它不存在相位噪声,因此不会对信号处理产生不良影响。这个假定当然与实际情况有出入,因此有必要加以研究和修正。但振荡起伏对信号处理的影响相当复杂,很多情况难以利用经典理论来解决。本文提出用蒙特卡罗计算机模拟法来估算这种影响,并以脉冲压缩为例来阐述这一思想。振荡源的相位噪声谱密度则以常用
