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1986年 第8卷 第3期
1986, 8(3): 161-168.
摘要:
本文提出了一种用场效应晶体管和双极型晶体管的互补型复合跟随器构成高Q模拟电感电路和低耗电容倍增器的新方案。这种电感电路和电容倍增器与以往的相比,它们具有电路简单、只用一组电源、温度特性可以互补、适于制作低频段的高感值电感电路和低耗电容倍增器(由于复合跟随器输入阻抗高)等优点。文中分析了这种模拟电感电路和低耗电容倍增器的工作原理;找出了模拟电感电路的Q与(角频率)、Q与r(补偿电阻);电容倍增器的Q与r、(电容倍增系数)与r、Re(损耗电阻)与r的关系;同时还介绍了这种模拟电感电路和电容倍增器的设计方法;并进行了实验验证。最后,导出了这种模拟电感电路的Q值灵敏度的表达式,给出了这种模拟电感电路应用的例子。
本文提出了一种用场效应晶体管和双极型晶体管的互补型复合跟随器构成高Q模拟电感电路和低耗电容倍增器的新方案。这种电感电路和电容倍增器与以往的相比,它们具有电路简单、只用一组电源、温度特性可以互补、适于制作低频段的高感值电感电路和低耗电容倍增器(由于复合跟随器输入阻抗高)等优点。文中分析了这种模拟电感电路和低耗电容倍增器的工作原理;找出了模拟电感电路的Q与(角频率)、Q与r(补偿电阻);电容倍增器的Q与r、(电容倍增系数)与r、Re(损耗电阻)与r的关系;同时还介绍了这种模拟电感电路和电容倍增器的设计方法;并进行了实验验证。最后,导出了这种模拟电感电路的Q值灵敏度的表达式,给出了这种模拟电感电路应用的例子。
1986, 8(3): 169-179.
摘要:
本文利用蒙特卡罗法估计电路产品合格率对元件参数中心值的一、二阶偏导数,再与牛顿最优化方法结合得到了一个电路中心设计的算法,为了提高偏导数估计值的精度,文中又给出了利用失败样本点的估计式。为了减少电路分析次数,作者提出了适用于蒙特卡罗分析的采样频率按权排序法,理论分析和算例表明:本文算法是成功的,适用于非凸、非单连通可行域,可进行中等规模电路的产品合格率估计和中心设计。
本文利用蒙特卡罗法估计电路产品合格率对元件参数中心值的一、二阶偏导数,再与牛顿最优化方法结合得到了一个电路中心设计的算法,为了提高偏导数估计值的精度,文中又给出了利用失败样本点的估计式。为了减少电路分析次数,作者提出了适用于蒙特卡罗分析的采样频率按权排序法,理论分析和算例表明:本文算法是成功的,适用于非凸、非单连通可行域,可进行中等规模电路的产品合格率估计和中心设计。
1986, 8(3): 180-187.
摘要:
在密特拉(R.Mittra)等作者(1979)对圆投影口径面天线所做工作的基础上,本文利用修正的雅可比多项式的独特递推关系,将面天线分析中的雅可比-贝塞尔级数方法推广到椭圆投影口径抛物面天线的远区场计算中。同时导出了级数展开系数pBmn的一层新的部分递推关系,使数值积分所用机时降低为原来的三分之一左右。
在密特拉(R.Mittra)等作者(1979)对圆投影口径面天线所做工作的基础上,本文利用修正的雅可比多项式的独特递推关系,将面天线分析中的雅可比-贝塞尔级数方法推广到椭圆投影口径抛物面天线的远区场计算中。同时导出了级数展开系数pBmn的一层新的部分递推关系,使数值积分所用机时降低为原来的三分之一左右。
1986, 8(3): 188-195.
摘要:
本文给出了在直、柱和球坐标系中的规则边界条件下的M和N类矢量波函数及其归一化积分的普遍形式,并由此得到了相应的格林函数的普遍形式。
本文给出了在直、柱和球坐标系中的规则边界条件下的M和N类矢量波函数及其归一化积分的普遍形式,并由此得到了相应的格林函数的普遍形式。
1986, 8(3): 196-203.
摘要:
本文是研究圆形波导有源区域并矢格林函数(DGF)的计算及其普遍性质的第Ⅱ部分。文中首先导出圆形波导中麦克斯韦方程的边界条件的并矢形式,并证明了圆形波导中横向电流源本征函数展开的完备性定理,然后验证作者1984年在另一文中解得的圆形波导有源区域DGF是否满足有源并矢麦克斯韦方程和电流连续性原理。文未给出了圆形波导有源区域电磁场的计算公式。
本文是研究圆形波导有源区域并矢格林函数(DGF)的计算及其普遍性质的第Ⅱ部分。文中首先导出圆形波导中麦克斯韦方程的边界条件的并矢形式,并证明了圆形波导中横向电流源本征函数展开的完备性定理,然后验证作者1984年在另一文中解得的圆形波导有源区域DGF是否满足有源并矢麦克斯韦方程和电流连续性原理。文未给出了圆形波导有源区域电磁场的计算公式。
1986, 8(3): 204-208.
摘要:
本文提出了一种新的多能量离子注入的计算方法等效面积法。应用这一方法可按器件的特殊要求,任意设计各种浓度分布。 本文应用这一方法,设计和计算了具有矩形杂质分布的Si-RAPD器件,具有低一高一低特殊分布的Si-RAPD和具有马头型结构的 GaAs M-ESPET器件,IMPATT器件,均得到了较为满意的结果。还对用这一方法设计新型器件的前景作了预测,最后把本文的计算结果与本纳德(R.H.Benhard)(1977)的实测值作了比较,结果是令人满意的。
本文提出了一种新的多能量离子注入的计算方法等效面积法。应用这一方法可按器件的特殊要求,任意设计各种浓度分布。 本文应用这一方法,设计和计算了具有矩形杂质分布的Si-RAPD器件,具有低一高一低特殊分布的Si-RAPD和具有马头型结构的 GaAs M-ESPET器件,IMPATT器件,均得到了较为满意的结果。还对用这一方法设计新型器件的前景作了预测,最后把本文的计算结果与本纳德(R.H.Benhard)(1977)的实测值作了比较,结果是令人满意的。
1986, 8(3): 209-216.
摘要:
本文利用蒙特卡罗模拟给出了电子束光刻中 30、50、100 keV 电子束垂直入射到厚衬底硅上的薄膜(0.4m)电子抗蚀剂聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模拟了理想点源和高斯圆束点源电子束情况下的膜中的径向散射和能耗,包括来自衬底的背散射,计算的电子数为三万到五万个。
本文利用蒙特卡罗模拟给出了电子束光刻中 30、50、100 keV 电子束垂直入射到厚衬底硅上的薄膜(0.4m)电子抗蚀剂聚甲基丙烯酸甲酯聚合物(PMMA)中的能量耗散剖面,模拟了理想点源和高斯圆束点源电子束情况下的膜中的径向散射和能耗,包括来自衬底的背散射,计算的电子数为三万到五万个。
1986, 8(3): 217-222.
摘要:
本文用光电导归一化法得出 -Si:H膜在低吸收区的光吸收系数谱;用电子从价带的指数尾态和导带边以下1.0 eV处,由悬挂键形成的局域态到导带扩展态的跃迁,解释了实验结果;并从而得出费米能级EF以下的隙态密度,通过对复合动力学的研究,还得到费米能级以上(EFn-EF)的局域态密度的平均值,从而得出费米能级以上部份的态密度。结果表明导带尾比价带尾窄。
本文用光电导归一化法得出 -Si:H膜在低吸收区的光吸收系数谱;用电子从价带的指数尾态和导带边以下1.0 eV处,由悬挂键形成的局域态到导带扩展态的跃迁,解释了实验结果;并从而得出费米能级EF以下的隙态密度,通过对复合动力学的研究,还得到费米能级以上(EFn-EF)的局域态密度的平均值,从而得出费米能级以上部份的态密度。结果表明导带尾比价带尾窄。
1986, 8(3): 223-227.
摘要:
正 一、简单的回顾 到目前为止,对背射天线具有高增益辐射特性的理论分析和物理解释已有多种,但说法各异。本文根据文献[1]的基本理论:背射天线可以近似地等效于曲面反射器天线,它具有等效焦点和等效焦距,并有下列关系式
正 一、简单的回顾 到目前为止,对背射天线具有高增益辐射特性的理论分析和物理解释已有多种,但说法各异。本文根据文献[1]的基本理论:背射天线可以近似地等效于曲面反射器天线,它具有等效焦点和等效焦距,并有下列关系式
1986, 8(3): 228-234.
摘要:
正 PAL制电视信号编码采用的是频谱交炽原理,如果仍利用以往的Y-C分离方法就难以达到完善的分离,会在图像上形成Y、C成分间的相互串扰,造成失真以及亮度和色度细节的损失。为了充分挖掘PAL制的潜力,获得高质量的重显图像,研究适合于此制式的、行之有效并易于实现的、新的Y-C分离方式是有实际意义的
正 PAL制电视信号编码采用的是频谱交炽原理,如果仍利用以往的Y-C分离方法就难以达到完善的分离,会在图像上形成Y、C成分间的相互串扰,造成失真以及亮度和色度细节的损失。为了充分挖掘PAL制的潜力,获得高质量的重显图像,研究适合于此制式的、行之有效并易于实现的、新的Y-C分离方式是有实际意义的
1986, 8(3): 235-240.
摘要:
正 一、前言 Cu-Al-Mg合金是一种新型的次级电子发射材料。这种合金最大的优点是不用专门活化处理就具有优良的次级发射性能。 众所周知,金属的次级发射系数是比较低的,最高也只有1.8;氧化物则具有较高的次级发射系数,如MgO的发射系数可大于8。合金型次级发射体,如Cu-Be等经过专门
正 一、前言 Cu-Al-Mg合金是一种新型的次级电子发射材料。这种合金最大的优点是不用专门活化处理就具有优良的次级发射性能。 众所周知,金属的次级发射系数是比较低的,最高也只有1.8;氧化物则具有较高的次级发射系数,如MgO的发射系数可大于8。合金型次级发射体,如Cu-Be等经过专门
