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多能量离子注入的研究

王德宁 王渭源

王德宁, 王渭源. 多能量离子注入的研究[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(3): 204-208.
引用本文: 王德宁, 王渭源. 多能量离子注入的研究[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(3): 204-208.
Wang Dening, Wang Weiyuan. THE INVESTIGATION OF MULTI-ENERGY IMPLANTATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(3): 204-208.
Citation: Wang Dening, Wang Weiyuan. THE INVESTIGATION OF MULTI-ENERGY IMPLANTATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(3): 204-208.

多能量离子注入的研究

THE INVESTIGATION OF MULTI-ENERGY IMPLANTATION

  • 摘要: 本文提出了一种新的多能量离子注入的计算方法等效面积法。应用这一方法可按器件的特殊要求,任意设计各种浓度分布。 本文应用这一方法,设计和计算了具有矩形杂质分布的Si-RAPD器件,具有低一高一低特殊分布的Si-RAPD和具有马头型结构的 GaAs M-ESPET器件,IMPATT器件,均得到了较为满意的结果。还对用这一方法设计新型器件的前景作了预测,最后把本文的计算结果与本纳德(R.H.Benhard)(1977)的实测值作了比较,结果是令人满意的。
      关键词:
    •  
  • 罗晋生,离子注入物理,1979, P. 522.[2]H. Kanbe and T. Kimura, IEEE Trans. on ED, ED-23(1976), 1337.[3]T. Kaneda, et al.,J.Appl. Phys., 47(1976), 3135.[4]王渭源等,半导体学报,3(1982)., 493.[5]H. Mish, et al., Fujitsu Sci. and Tech. J., 11(1975)4, 113.[6]王德宁等,物理学报,29(1980), 1452.[7]王渭源等,科技通讯,1982年,第3期,第90页.[8]R. H. Benhard, Solid-State Electron., 20(1977)4, 291.
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-08-22
  • 修回日期:  1985-06-11
  • 刊出日期:  1986-05-19

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