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1983年 第5卷 第4期
1983, 5(4): 201-209.
摘要:
本文叙述了一种微带天线阵的设计方法。给出了微带天线(元)分析表达式以及天线阵输入导纳近似公式。设计了两个天线阵。它的副瓣、驻波比、交叉极化、增益等都是较好的。从而验证了本方法的正确性。
本文叙述了一种微带天线阵的设计方法。给出了微带天线(元)分析表达式以及天线阵输入导纳近似公式。设计了两个天线阵。它的副瓣、驻波比、交叉极化、增益等都是较好的。从而验证了本方法的正确性。
1983, 5(4): 210-213.
摘要:
本文定义了一种二分图,称之为互补划分图。利用此图容易证明有关互补划分的定理,并可得到一个判别是否是本性互补划分的较弱的条件。
本文定义了一种二分图,称之为互补划分图。利用此图容易证明有关互补划分的定理,并可得到一个判别是否是本性互补划分的较弱的条件。
1983, 5(4): 214-220.
摘要:
m序列相位编码信号最小峰值旁瓣滤波器(LP滤波器)的冲激响应序列可以通过解线性规划问题求得。对于15位和31位全部m序列的计算结果表明,LP滤波器对峰值旁瓣有较大的抑制。对[4,3,0]反馈连接的起始状态为1001的15位码,它的长度为15的LP滤波器的峰值旁瓣电平降到21.47dB,比用匹配滤波器改善7.49dB;对[5,3,2,1,0]反馈连接的起始状态为11101的31位码,它的长度为31的LP滤波器的峰值旁瓣电平降到23.80dB,比用匹配滤波器改善6.01dB。当滤波器的长度增加时,LP滤波器可把峰值旁瓣抑制到更低电平。
m序列相位编码信号最小峰值旁瓣滤波器(LP滤波器)的冲激响应序列可以通过解线性规划问题求得。对于15位和31位全部m序列的计算结果表明,LP滤波器对峰值旁瓣有较大的抑制。对[4,3,0]反馈连接的起始状态为1001的15位码,它的长度为15的LP滤波器的峰值旁瓣电平降到21.47dB,比用匹配滤波器改善7.49dB;对[5,3,2,1,0]反馈连接的起始状态为11101的31位码,它的长度为31的LP滤波器的峰值旁瓣电平降到23.80dB,比用匹配滤波器改善6.01dB。当滤波器的长度增加时,LP滤波器可把峰值旁瓣抑制到更低电平。
1983, 5(4): 221-227.
摘要:
本文研究了低温条件下Zn向GaAs中的扩散。实验是用ZnAs2源在抽真空的石英管中进行的。研究了结深Xj,扩散温度T和扩散时间t的关系。结果表明,表面层电阻Rs随Xj,的增加而降低;表面浓度Cs随1/T的增加而降低;迁移率随Cs的增加而降低。将Cs对1/(RsXj)作图表明,Cs随1/(RsXj)的增加而增加。这一关系可作为判断多层GaAlAs/GaAs外延层扩Zn后表面浓度的简便方法。文中讨论了Zn在GaAs和InP中的扩散机理,比较了Zn在InP和GaAs扩散层中的参数。 该扩散工艺可获得表面光亮、无损伤的高浓度表面层,并已在GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结发光管的制备工艺中应用。制得了光输出功率为24mW、串联电阻为35、压降为2.4V的GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结发光管。
本文研究了低温条件下Zn向GaAs中的扩散。实验是用ZnAs2源在抽真空的石英管中进行的。研究了结深Xj,扩散温度T和扩散时间t的关系。结果表明,表面层电阻Rs随Xj,的增加而降低;表面浓度Cs随1/T的增加而降低;迁移率随Cs的增加而降低。将Cs对1/(RsXj)作图表明,Cs随1/(RsXj)的增加而增加。这一关系可作为判断多层GaAlAs/GaAs外延层扩Zn后表面浓度的简便方法。文中讨论了Zn在GaAs和InP中的扩散机理,比较了Zn在InP和GaAs扩散层中的参数。 该扩散工艺可获得表面光亮、无损伤的高浓度表面层,并已在GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结发光管的制备工艺中应用。制得了光输出功率为24mW、串联电阻为35、压降为2.4V的GaAs/Ga1-xAlxAs双异质结发光管。
1983, 5(4): 238-246.
摘要:
本文采用一维单周期时间积分模型计算速调管输出段的电子与高频场的能量交换过程,比较简单地解决了距离积分向时间积分的过渡以及输出段中电子圆盘间空间电荷力的计算问题。用DJS-6自动化语言编写了计算程序,用该程序计算了C波段宽带速调管,计算结果与实测值基本一致。利用该程序对输出段的重要参数如阻抗、间隙渡越角等对效率的影响作了研究。
本文采用一维单周期时间积分模型计算速调管输出段的电子与高频场的能量交换过程,比较简单地解决了距离积分向时间积分的过渡以及输出段中电子圆盘间空间电荷力的计算问题。用DJS-6自动化语言编写了计算程序,用该程序计算了C波段宽带速调管,计算结果与实测值基本一致。利用该程序对输出段的重要参数如阻抗、间隙渡越角等对效率的影响作了研究。
1983, 5(4): 247-258.
摘要:
本文研究了横向及纵向动量离散对电子迴旋谐振脉塞的影响。文中求得了扰动分布函数的一般表达式和TEmn模的任意次迴旋谐波与电子注互作用的色散方程。作为两种特例,即当动量离散趋于零和m=0时,本文结果与有关文献基本一致。
本文研究了横向及纵向动量离散对电子迴旋谐振脉塞的影响。文中求得了扰动分布函数的一般表达式和TEmn模的任意次迴旋谐波与电子注互作用的色散方程。作为两种特例,即当动量离散趋于零和m=0时,本文结果与有关文献基本一致。
1983, 5(4): 259-264.
摘要:
正 (一)引言 在光电发射体以及光电器件的研究中,都要应用碱金属源。碱金属源分为中性源和离子源两大类。在研究ⅢⅤ族光电发射体中多用离子源作为碱金属源。碱金属离子源还用于原子碰撞和离子碰撞研究中以及在低气压(p10-5)托)情况下伴随电击穿现象的研究中,此时把平稳的离子流作为研究用的一种探针。所以,研究如何获得碱金属离子源是有意义的。我们为了研究光电发射体的需要,研究了一种铯离子源。 (二)离子源的描述 把高纯度的Al2O3电泳于钨螺旋上作为载体,将其浸入
正 (一)引言 在光电发射体以及光电器件的研究中,都要应用碱金属源。碱金属源分为中性源和离子源两大类。在研究ⅢⅤ族光电发射体中多用离子源作为碱金属源。碱金属离子源还用于原子碰撞和离子碰撞研究中以及在低气压(p10-5)托)情况下伴随电击穿现象的研究中,此时把平稳的离子流作为研究用的一种探针。所以,研究如何获得碱金属离子源是有意义的。我们为了研究光电发射体的需要,研究了一种铯离子源。 (二)离子源的描述 把高纯度的Al2O3电泳于钨螺旋上作为载体,将其浸入
