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1989年 第11卷 第5期
1989, 11(5): 449-457.
摘要:
本文论述了FD-TD法用于电磁辐射系统的近场计算问题,用该方法实现了对环形相控振子天线阵列的数字模拟。作为对方法的检验首先计算了单个振子天线上的电流分布,还计算了环中充满去离子水时阵列的近区场及其与人体躯干块状模型的相互作用。
本文论述了FD-TD法用于电磁辐射系统的近场计算问题,用该方法实现了对环形相控振子天线阵列的数字模拟。作为对方法的检验首先计算了单个振子天线上的电流分布,还计算了环中充满去离子水时阵列的近区场及其与人体躯干块状模型的相互作用。
1989, 11(5): 458-467.
摘要:
本文讨论了一种关于微带天线阵的设计技术,这种技术可用于设计任意波束指向的梳形微带行波阵。由于采用了行波结构和特殊设计,所以能够获得较宽的频带和较低的副瓣电子。文中给出了两个斜射波束梳形微带行波阵的设计实例,实验表明这种天线具有良好的电特性。
本文讨论了一种关于微带天线阵的设计技术,这种技术可用于设计任意波束指向的梳形微带行波阵。由于采用了行波结构和特殊设计,所以能够获得较宽的频带和较低的副瓣电子。文中给出了两个斜射波束梳形微带行波阵的设计实例,实验表明这种天线具有良好的电特性。
1989, 11(5): 468-476.
摘要:
本文提出了混合图关于二点对和超边分解的变形图的概念,应用它们和有向超图理论导出了参数抽取定理和子网络抽取定理的拓扑公式,进而导出了多端反馈有源网络的拓扑公式。公式中反馈子网络与基本子网络的参数是分开的,便于看出反馈参数的影响;而且由于把一个网络分解成二个较小的子网络,可以降低计算的时间复杂度和空间复杂度。
本文提出了混合图关于二点对和超边分解的变形图的概念,应用它们和有向超图理论导出了参数抽取定理和子网络抽取定理的拓扑公式,进而导出了多端反馈有源网络的拓扑公式。公式中反馈子网络与基本子网络的参数是分开的,便于看出反馈参数的影响;而且由于把一个网络分解成二个较小的子网络,可以降低计算的时间复杂度和空间复杂度。
1989, 11(5): 477-483.
摘要:
本文进一步研究了分元法与补元法在平面电路中的应用,导出了分元法广义节点电压方程。比较了分元法、补元法采用点匹配时二者的计算精度,用实例研究了将其用于短路型平面电路中的问题。
本文进一步研究了分元法与补元法在平面电路中的应用,导出了分元法广义节点电压方程。比较了分元法、补元法采用点匹配时二者的计算精度,用实例研究了将其用于短路型平面电路中的问题。
1989, 11(5): 484-489.
摘要:
用计算机绘图找到了满意的差分放大器输出特性的逼近式。用频域法导出了与实验相当吻合的差分型注入锁定的同步带,其中同频注入锁定的同步带是著名的Adler公式的 2/(0.372-0.019875 A2) 倍.
用计算机绘图找到了满意的差分放大器输出特性的逼近式。用频域法导出了与实验相当吻合的差分型注入锁定的同步带,其中同频注入锁定的同步带是著名的Adler公式的 2/(0.372-0.019875 A2) 倍.
1989, 11(5): 490-499.
摘要:
本文讨论了微波单栅FET的等效电路模型、本振大信号分析的谐波平衡法以及RF小信号分析的多频变换矩阵法。建立了一套完整的FET混频器的分析设计方法。试验设计表明,本方法是简便而有效的。
本文讨论了微波单栅FET的等效电路模型、本振大信号分析的谐波平衡法以及RF小信号分析的多频变换矩阵法。建立了一套完整的FET混频器的分析设计方法。试验设计表明,本方法是简便而有效的。
1989, 11(5): 500-508.
摘要:
本文首次找出了最佳二进阵列与高维Hadamard矩阵之间的密切关系,并用Fourier变换理论对最佳二进阵列的谱特性进行了研究,得到了几个有趣的新结果。文中还给出了最佳二进阵列研究中的几个未解决的问题。
本文首次找出了最佳二进阵列与高维Hadamard矩阵之间的密切关系,并用Fourier变换理论对最佳二进阵列的谱特性进行了研究,得到了几个有趣的新结果。文中还给出了最佳二进阵列研究中的几个未解决的问题。
1989, 11(5): 509-517.
摘要:
本文主要用最大熵方法对线性退化二值图象的复原进行了研究。利用原始图象的二值特性,提出了二值约束的最大熵复原方法,并对其解的存在性和唯一性进行了论述,对双约束最大熵的求解问题给出了算法;运用最大有界熵概念,提出了二值约束的最大有界熵复原法。文中将上述复原法同维纳滤波法和最大熵法进行了比较,实验结果表明,用二值约束的最大(有界)熵法复原线性退化图象可以提高复原的质量。
本文主要用最大熵方法对线性退化二值图象的复原进行了研究。利用原始图象的二值特性,提出了二值约束的最大熵复原方法,并对其解的存在性和唯一性进行了论述,对双约束最大熵的求解问题给出了算法;运用最大有界熵概念,提出了二值约束的最大有界熵复原法。文中将上述复原法同维纳滤波法和最大熵法进行了比较,实验结果表明,用二值约束的最大(有界)熵法复原线性退化图象可以提高复原的质量。
1989, 11(5): 518-527.
摘要:
本文讨论了谐振腔中亥姆霍兹定理的合理形式,即谐振腔内的电场怎样分解为相互正交的电旋量场和电无旋场的形式。并由此证明:电无旋场可在L类矢量波函数上展开成一收敛的级数,而旋量场可在M和N类矢量波函数上层开成一收敛的级数。这样也就证明了L,M和N类矢量波函数,对谐振腔内的电场组成了一个完备的正交基。
本文讨论了谐振腔中亥姆霍兹定理的合理形式,即谐振腔内的电场怎样分解为相互正交的电旋量场和电无旋场的形式。并由此证明:电无旋场可在L类矢量波函数上展开成一收敛的级数,而旋量场可在M和N类矢量波函数上层开成一收敛的级数。这样也就证明了L,M和N类矢量波函数,对谐振腔内的电场组成了一个完备的正交基。
1989, 11(5): 528-531.
摘要:
本文用线性理论研究了一种采用静电聚束系统和角向摆动场(Wiggler)的环形自由电子激光器,导出了自由电子激光不稳定性色散方程,并从此方程求得了最大自由电子激光不稳定性增长率。文中还就有关问题进行了讨论。
本文用线性理论研究了一种采用静电聚束系统和角向摆动场(Wiggler)的环形自由电子激光器,导出了自由电子激光不稳定性色散方程,并从此方程求得了最大自由电子激光不稳定性增长率。文中还就有关问题进行了讨论。
1989, 11(5): 532-535.
摘要:
本文提出一种新的CT重建法非均匀反投影重建法。新方法与通常的均匀反投影重建方法不同,它不是把投影差值均匀地分配给有关象素,而是根据象素的灰度加权系数非均匀地分配投影差值。这种新的重建方法使重建象的质量有明显改善,特别是在投影方向数较少的非完全投影情况下,改善效果更加明显。
本文提出一种新的CT重建法非均匀反投影重建法。新方法与通常的均匀反投影重建方法不同,它不是把投影差值均匀地分配给有关象素,而是根据象素的灰度加权系数非均匀地分配投影差值。这种新的重建方法使重建象的质量有明显改善,特别是在投影方向数较少的非完全投影情况下,改善效果更加明显。
1989, 11(5): 536-541.
摘要:
本文导出第Ⅰ、Ⅱ种奇、偶离散正、余弦变换的变换域乘积与时域卷积的严格关系,从而可用这些正弦族正交变换做数字滤波。
本文导出第Ⅰ、Ⅱ种奇、偶离散正、余弦变换的变换域乘积与时域卷积的严格关系,从而可用这些正弦族正交变换做数字滤波。
1989, 11(5): 542-546.
摘要:
文中提出一个V/Q变换的广义跨导概念,并应用在开关电容阻抗模拟中。使用V/Q变换器,可以用电压传递函数实现所希望的阻抗函数。由此概念出发,分别导出了前差FD,后差BD和双线性S/Z变换的三种接地开关电容频变负阻SC-FDNR电路。如果所选用的电压传递函数电路对杂散电容不灵敏,那么实现的模拟阻抗电路对杂散电容也是不灵敏的。作为文中的一个例子,用FD-FDNR电路组成一个谐振回路,实验表明其频响特性与理论分析相一致。
文中提出一个V/Q变换的广义跨导概念,并应用在开关电容阻抗模拟中。使用V/Q变换器,可以用电压传递函数实现所希望的阻抗函数。由此概念出发,分别导出了前差FD,后差BD和双线性S/Z变换的三种接地开关电容频变负阻SC-FDNR电路。如果所选用的电压传递函数电路对杂散电容不灵敏,那么实现的模拟阻抗电路对杂散电容也是不灵敏的。作为文中的一个例子,用FD-FDNR电路组成一个谐振回路,实验表明其频响特性与理论分析相一致。
1989, 11(5): 547-550.
摘要:
本文介绍了为新型电子束曝光机研制的高精度30kV高压稳压电源。该电源采用双闭环调整,集中补偿和分散补偿相结合的设计方案。对电源的关键性技术采取了有力措施,使各项技术指标均达到设计要求。
本文介绍了为新型电子束曝光机研制的高精度30kV高压稳压电源。该电源采用双闭环调整,集中补偿和分散补偿相结合的设计方案。对电源的关键性技术采取了有力措施,使各项技术指标均达到设计要求。
1989, 11(5): 551-556.
摘要:
本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是正确有效的。
本文用简单模型描述了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器在周期冲激作用下的分频锁相特性。对于任何分数p/q,给出了在参数空间中分频锁相区的普遍的分析表达式。对于BNRT张弛振荡器进行了分频锁相实验,实验结果与计算相符,说明理论分析是正确有效的。
1989, 11(5): 557-560.
摘要:
本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
