高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级

张桂成 吴征

张桂成, 吴征. InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(5): 557-560.
引用本文: 张桂成, 吴征. InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级[J]. 电子与信息学报, 1989, 11(5): 557-560.
Zhang Guicheng, Wu Zhen. DEEP LEVEL IN InGaAsP/InP DH LED[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(5): 557-560.
Citation: Zhang Guicheng, Wu Zhen. DEEP LEVEL IN InGaAsP/InP DH LED[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1989, 11(5): 557-560.

InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级

DEEP LEVEL IN InGaAsP/InP DH LED

  • 摘要: 本文用DLTS谱仪研究了SiO2限制的InGaAsP/InP双异质结发光管中的深能级。结果表明:只有在p-n结位于p-InP/n-InGaAsP界面处的个别器件中,有△E=0.24eV的多子陷阱。
  • 高季林,半导体学报,6(1985), 245.[2]Yoichi Sasai, et al., Jpn. J. Appl Phys., 18(1979)7. 1415.[3]M. Levinson, et al., Appl Phys. Lett., 42(1983)7,605.[4]水海龙等,发光与显示,1982年,第3期,第72页.[5]邵永富等,半导体学报, 3(1982),215.[6]杨易等,电于科学学刊, 7(1985)5,395-400.[7]吴冠群等,通信学报,4(1982),88.[8]张桂成等,发光与显示,1982年,第2期,第65页.[9]J. Shirafuzi, et al., J.Appl. Phys., 52(1981), 4705.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1978
  • HTML全文浏览量:  134
  • PDF下载量:  450
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1987-07-13
  • 修回日期:  1988-02-15
  • 刊出日期:  1989-09-19

目录

    /

    返回文章
    返回