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1984年 第6卷 第2期
1984, 6(2): 89-95.
摘要:
通过对文献中提出的有关钡系统热阴极的数据,特别是用近代表面分析仪器所获得的数据的综合和分析,我们得到一个统一的理论,即动态表面发射中心模型。在氧化物阴极中,钡吸附在碱土金属氧化物上;在钡钨阴极中,钡吸附在铝酸盐或钨酸盐等上都可以形成发射中心。发射中心应该大到足以屏蔽基金属所产生的势场,但又应小到有利于电子从基金属到中心的传递,最后对表面发射中心的组成和动态性质也进行了讨论。
通过对文献中提出的有关钡系统热阴极的数据,特别是用近代表面分析仪器所获得的数据的综合和分析,我们得到一个统一的理论,即动态表面发射中心模型。在氧化物阴极中,钡吸附在碱土金属氧化物上;在钡钨阴极中,钡吸附在铝酸盐或钨酸盐等上都可以形成发射中心。发射中心应该大到足以屏蔽基金属所产生的势场,但又应小到有利于电子从基金属到中心的传递,最后对表面发射中心的组成和动态性质也进行了讨论。
1984, 6(2): 166-171.
摘要:
正 (一)引言 用晶体振荡法测量阴极蒸发率,一般是把阴极当作点蒸发源。这可能是为了便于计算蒸发率。在其它报道,例如文献[3]中,阴极则被当作是平面元蒸发源,蒸发物接受器被当作是阴极面法向上某处的一个平面元。 本文采取有效措施克服了晶体因温度变化引起的振荡频率漂移(晶体谐振频率漂移)对测量蒸发率的影响。这不仅提高了测量蒸发物引起的振荡频率变化(晶体谐振频率变
正 (一)引言 用晶体振荡法测量阴极蒸发率,一般是把阴极当作点蒸发源。这可能是为了便于计算蒸发率。在其它报道,例如文献[3]中,阴极则被当作是平面元蒸发源,蒸发物接受器被当作是阴极面法向上某处的一个平面元。 本文采取有效措施克服了晶体因温度变化引起的振荡频率漂移(晶体谐振频率漂移)对测量蒸发率的影响。这不仅提高了测量蒸发物引起的振荡频率变化(晶体谐振频率变
1984, 6(2): 172-175.
摘要:
正 (一)引言 近年来InP在光电和微波器件中的应用已引起广泛重视。对InP的欧姆接触和肖特基势垒已有报道,这些结果表明,Bp较Bn大,n-InP的比接触电阻较p-lnP的低。以InP为衬底的多层结构器件中,表面层有时是p-InP,因此研究p-InP与接触金属界面上的冶金行为和电学特性,对改善器件参数和提高器件的可靠性有实际意义。对p-InP与接触金属Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇电子能谱(AES)和电子探针(EP)进行的研究结果
正 (一)引言 近年来InP在光电和微波器件中的应用已引起广泛重视。对InP的欧姆接触和肖特基势垒已有报道,这些结果表明,Bp较Bn大,n-InP的比接触电阻较p-lnP的低。以InP为衬底的多层结构器件中,表面层有时是p-InP,因此研究p-InP与接触金属界面上的冶金行为和电学特性,对改善器件参数和提高器件的可靠性有实际意义。对p-InP与接触金属Pd,Mg/Ag,Au-Zn,Mg/Au,Pd/Ag的界面特性,已有用俄歇电子能谱(AES)和电子探针(EP)进行的研究结果
1984, 6(2): 176-180.
摘要:
正 (一)引言 开关电容(SC)滤波器在1977年被重新提出后,受到了极大的注意。最近,一些作者又利用开关电容方法来实现别的模拟电路,如正弦波振荡器、过零检波器和峰值检波器、跟踪滤波器、锁相环和平衡解调器、压控张弛振荡器,以及模拟延迟线等。 本文描述一种采用感性开关电容的正弦波振荡器。与文献[3]中采用并联开关电容的方案相比,由于感性开关电容在一个时钟周期Tc内,完成两次信息传输,因而预期
正 (一)引言 开关电容(SC)滤波器在1977年被重新提出后,受到了极大的注意。最近,一些作者又利用开关电容方法来实现别的模拟电路,如正弦波振荡器、过零检波器和峰值检波器、跟踪滤波器、锁相环和平衡解调器、压控张弛振荡器,以及模拟延迟线等。 本文描述一种采用感性开关电容的正弦波振荡器。与文献[3]中采用并联开关电容的方案相比,由于感性开关电容在一个时钟周期Tc内,完成两次信息传输,因而预期
1984, 6(2): 96-106.
摘要:
本文简要地回顾了传统上对天线的要求,并以实例说明随着近代科学技术发展的需要,天线波束的相位特性应该引起重视和研究,在此背景下本文试图将天线波束相位和孔径电流分布等有关问题系统化,在前人工作的基础上,总结并讨论了关于相位参考点、不同相位参考点的天线方向图的变换关系、方向图的零点电平和相邻波束间的相位差,线阵电流分布的分解;提出并从理论上证明了天线同相波束的普遍条件和连续线阵的对称波束条件。归纳为几个定理,并将这些论述统称为天线波束相位理论。
本文简要地回顾了传统上对天线的要求,并以实例说明随着近代科学技术发展的需要,天线波束的相位特性应该引起重视和研究,在此背景下本文试图将天线波束相位和孔径电流分布等有关问题系统化,在前人工作的基础上,总结并讨论了关于相位参考点、不同相位参考点的天线方向图的变换关系、方向图的零点电平和相邻波束间的相位差,线阵电流分布的分解;提出并从理论上证明了天线同相波束的普遍条件和连续线阵的对称波束条件。归纳为几个定理,并将这些论述统称为天线波束相位理论。
1984, 6(2): 107-116.
摘要:
天线阵辐射图型强制零点控制,由于对定向干扰抑制的有效性,已成为天线阵辐射图型综合理论中心课题之一。本文围绕着这个课题,对三维天线阵辐射圈的零点控制进行了研究,它包括:用矢量空间方法,分析了多重零点控制的基本关系;根据零点本身的扩展性,引入了零域的概念,提出了多重强制零域的生成方法;导出了多重零点控制辐射图型的分解公式;揭示了由主波束和多个零点强制波束合成多重强制零点辐射图型的基本规律;给出了数值结果并进行了讨论;把这一分解原理与自适应成零天线阵辐射图型进行了类比。
天线阵辐射图型强制零点控制,由于对定向干扰抑制的有效性,已成为天线阵辐射图型综合理论中心课题之一。本文围绕着这个课题,对三维天线阵辐射圈的零点控制进行了研究,它包括:用矢量空间方法,分析了多重零点控制的基本关系;根据零点本身的扩展性,引入了零域的概念,提出了多重强制零域的生成方法;导出了多重零点控制辐射图型的分解公式;揭示了由主波束和多个零点强制波束合成多重强制零点辐射图型的基本规律;给出了数值结果并进行了讨论;把这一分解原理与自适应成零天线阵辐射图型进行了类比。
1984, 6(2): 117-124.
摘要:
本文用等效介电常数法及表面阻抗匹配法分析了耦合陷波镜象波导的奇偶模传播特性,进而分析了耦合陷波镜象线耦合器的理论特性,为实际耦合器的设计提供了理论依据。
本文用等效介电常数法及表面阻抗匹配法分析了耦合陷波镜象波导的奇偶模传播特性,进而分析了耦合陷波镜象线耦合器的理论特性,为实际耦合器的设计提供了理论依据。
1984, 6(2): 125-136.
摘要:
钇铁石榴石(YIG)振荡器具有调谐范围宽、调谐线性好、噪声低等优点,在部分覆盖式微波频率综合实验中,用它作压控振荡器(VCO),在 24 GHz 频段内,成功地综合出上万个具有高稳石英晶振稳定度和准确度的微波频率。本文从理论上研究了磁场滞后效应对此实验中的YIG锁相环非线性性能的影响。用解析近似法推导出存在磁场滞后效应的YIG锁相环的三个公式,即平均频差公式、捕捉时间公式和捕捉带公式,公式具有明确的物理意义。实验表明,捕捉带公式与实际测量结果有较好的一致性。
钇铁石榴石(YIG)振荡器具有调谐范围宽、调谐线性好、噪声低等优点,在部分覆盖式微波频率综合实验中,用它作压控振荡器(VCO),在 24 GHz 频段内,成功地综合出上万个具有高稳石英晶振稳定度和准确度的微波频率。本文从理论上研究了磁场滞后效应对此实验中的YIG锁相环非线性性能的影响。用解析近似法推导出存在磁场滞后效应的YIG锁相环的三个公式,即平均频差公式、捕捉时间公式和捕捉带公式,公式具有明确的物理意义。实验表明,捕捉带公式与实际测量结果有较好的一致性。
1984, 6(2): 137-146.
摘要:
本文利用电抗补偿的概念对集成串联体效应振荡器进行电抗补偿,使调谐带宽增加。在C波段,相对调谐带宽达10％以上;输出功率大于30毫瓦;起伏小于3dB。给出了调谐带宽的解析表达式和振荡器电路的设计。 这种宽带集成体效应振荡器采用微带和同轴相结合的结构。变并联谐振为串联谐振,频率调整比较方便,在雷达和通信上得到了广泛的应用。
本文利用电抗补偿的概念对集成串联体效应振荡器进行电抗补偿,使调谐带宽增加。在C波段,相对调谐带宽达10％以上;输出功率大于30毫瓦;起伏小于3dB。给出了调谐带宽的解析表达式和振荡器电路的设计。 这种宽带集成体效应振荡器采用微带和同轴相结合的结构。变并联谐振为串联谐振,频率调整比较方便,在雷达和通信上得到了广泛的应用。
1984, 6(2): 147-155.
摘要:
本文研究了耦合腔内场的相位分布函数对驻波场形和耦合阻抗计算的影响。计算表明,在不同的相位分布的假定下,负一次谐波耦合阻抗的计算值可以相差一倍。
本文研究了耦合腔内场的相位分布函数对驻波场形和耦合阻抗计算的影响。计算表明,在不同的相位分布的假定下,负一次谐波耦合阻抗的计算值可以相差一倍。
1984, 6(2): 156-165.
摘要:
本文评述并探讨了-Si:H薄膜在电子学领域的种种应用。-Si:H太阳电池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究课题仍是改进材料性质和器件参数,以提高电池的能量转换效率。利用-Si:H灵敏的光敏效应记录图象信息,可能有广阔的应用前景(如用于摄象管和静电复印等)。以-Si:H场效应管为基础的集成电路,易于实现大面积和结构的立体化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驱动的液晶大面积显示和材料本身的场致发光在大面积平面显示中直接应用的可能性亦引人注目。以整流、检测等为目的的其它-Si:H二极管也都具有相当的价值。
本文评述并探讨了-Si:H薄膜在电子学领域的种种应用。-Si:H太阳电池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究课题仍是改进材料性质和器件参数,以提高电池的能量转换效率。利用-Si:H灵敏的光敏效应记录图象信息,可能有广阔的应用前景(如用于摄象管和静电复印等)。以-Si:H场效应管为基础的集成电路,易于实现大面积和结构的立体化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驱动的液晶大面积显示和材料本身的场致发光在大面积平面显示中直接应用的可能性亦引人注目。以整流、检测等为目的的其它-Si:H二极管也都具有相当的价值。
