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非晶硅薄膜的应用前景

奚中和 杨大同

奚中和, 杨大同. 非晶硅薄膜的应用前景[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(2): 156-165.
引用本文: 奚中和, 杨大同. 非晶硅薄膜的应用前景[J]. 电子与信息学报, 1984, 6(2): 156-165.
Xi Zhong-He, Yang Da-Tong. PROSPECTS FOR APPLICATION OF a-Si:H FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(2): 156-165.
Citation: Xi Zhong-He, Yang Da-Tong. PROSPECTS FOR APPLICATION OF a-Si:H FILMS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1984, 6(2): 156-165.

非晶硅薄膜的应用前景

PROSPECTS FOR APPLICATION OF a-Si:H FILMS

  • 摘要: 本文评述并探讨了-Si:H薄膜在电子学领域的种种应用。-Si:H太阳电池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究课题仍是改进材料性质和器件参数,以提高电池的能量转换效率。利用-Si:H灵敏的光敏效应记录图象信息,可能有广阔的应用前景(如用于摄象管和静电复印等)。以-Si:H场效应管为基础的集成电路,易于实现大面积和结构的立体化,因此有很大吸引力。-Si:H FET驱动的液晶大面积显示和材料本身的场致发光在大面积平面显示中直接应用的可能性亦引人注目。以整流、检测等为目的的其它-Si:H二极管也都具有相当的价值。
      关键词:
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  • 奚中和等,无线电电子学汇刊,1981年,第3, 4期,第74页.[3]S. R. Ovshinsky, Nature, 276(1978), 482.[4]Y. Tawada et al., Jap. J. Appl. Phys., 20(1981), 213.[5]G. Nakamura et al., Proc. 9th Int. Conf. on Amorphous and Liquid Semiconductors, Grenoble,1981, C4-483.[6]杨大同,太阳能学报,3(1982), 241.[7]林璇英等,无线电电子学汇刊,1982年,第3期,第7页.[8]Y. L. Dalal, IEEE Trans. on ED, ED-27(1980), 662.[9]D. E. Carlson, J. Non-Crys. Solids, 35/36(1980), 707.[10]Y. Imamura, Appl. Phys. Lett.,35(1979), 349.[13]I. Shimizu et al., J. Non-Cryst. Solids, 35/36(1980), 773.[14]D. L. Staebler et al., Appl. Phys. Lett., 31(1977), 292.[18]A. J. Snell, Appl. Phys., 24(1981), 357.[19]D. E. Carlson et al., RCA Rev., 38(1977), 211.[20]R. A. Gibson, Appl. Phys., 21(1980), 307.[21]毛友德等,中国电子学会第三届年会论文集,1982年,第273页.
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-09-10
  • 刊出日期:  1984-03-19

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