2006, 28(8): 1530-1532.
刊出日期：2006-08-19
Whitenoise是由BSB Utilities公司提出的一个序列密码算法。Wu在2003年8月巧妙地给出了破译Whitenoise算法的一个解方程组方法。该文对Wu的破译算法进行了深入分析, 证明了Wu方法的两个基本假设是错误的, 因而Wu的方法不可能求出正确密钥。此外, 该文还对Wu的破译方法进行了改进, 给出了求解Whitenoise密码的秘密整数和秘密素数的方法, 并给出了对Whitenoise密码的一个预测攻击方法, 利用该方法可由其前80445个乱数求出其任一时刻的乱数。此外, 该文还给出了求出其全部秘密要素的一个思路。
2013, 35(7): 1677-1681.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.01634
刊出日期：2013-07-19
该文在现有译码算法的基础上提出一种高效的非二进制低密度奇偶校验码(NB-LDPC)译码方法，充分利用了分层译码算法与Min-max算法的优点，不但译码复杂度低、需要的存储空间小，而且可将译码速度提高一倍。应用该算法，对一种定义在GF(25)上的(620,509)码进行了仿真。该码的仿真结果表明：在相同误码率下，该文译码算法所需最大迭代次数仅为Zhang的算法(2011)的45%。
2023, 45(7): 2358-2365.
doi: 10.11999/JEIT221210
刊出日期：2023-07-10
无人机(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相结合，可以满足热点地区高容量需求，提高通信质量。该文提出一种无人机辅助的NOMA反向散射通信系统最小速率最大化资源分配算法。考虑无人机发射功率、能量收集、反射系数、传输速率以及连续干扰消除(SIC)解码顺序约束，建立基于系统最小速率最大化的资源分配模型。首先利用块坐标下降将原问题分解为无人机发射功率优化、反射系数优化和无人机位置与SIC解码顺序联合优化3个子问题，然后使用反证法给出无人机最优发射功率，再用变量替换法和连续凸逼近将剩余子问题进一步转化为凸优化问题进行求解。仿真结果表明，所提算法在系统和速率与用户公平性之间具有较好折中。
1988, 10(2): 127-136.
刊出日期：1988-03-19
关键词:
电磁导弹; 频谱渐近条件; 瞬态场
本文发展了T.T.Wu教授(1985)提出的电磁导弹理论,总结出能产生电磁导弹效应的激励信号频谱渐近条件,提出了几种可能的电磁导弹系统。
2006, 28(1): 151-153.
刊出日期：2006-01-19
关键词:
认证加密;签名;公开验证;机密性
该文对可转变认证加密进行了研究，指出了Wu-Hsu(2002)方案和Huang-Chang(2003)方案中存在的问题，分别给出了这两个方案的改进方案，很好地解决了认证加密方案的公开验证问题。
1990, 12(6): 584-592.
刊出日期：1990-11-19
关键词:
正交变换; 离散哈脱莱变换; 分离基算法
Soo-Chang Pei,Ja-Ling wu(1986)和茅一民(1987)提出了长度为2m的分离基2/4哈脱莱变换算法。本文将分离基算法推广到长度为pm的哈脱莱变换,并证明基p2算法实乘次数比基p算法少,而基p/p2算法实乘次数比前两者都少。作为例子,给出了长度为N=3m的基3/9哈脱莱变换快速算法和流图。
1986, 8(6): 408-415.
刊出日期：1986-11-19
碱或碱土金属的原子吸附于过渡金属表面时,会使后者的逸出功急剧下降。作者提出了胶体-原子薄片模型来研究这一现象。过渡金属基底用薄膜线性级加平面波(LAPW)法精确处理,而简单金属覆层则用胶体(jellium)模拟。此模型可在充分考虑构成基底的过渡金属特点的情况下,研究单原子层覆盖度以下的吸附系统的电子性质。 文中给出了计算所得W(100)面吸附Cs后的-曲线。所得逸出功极小值min=1.441.48eV与实验结果(min=1.351.55eV)吻合较好,文中还讨论了Ev参量的选择等问题。
1987, 9(6): 571-576.
刊出日期：1987-11-19
为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性仍很好。应用该法研究了低温条件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的扩散行为。实验首次发现,Zn在InGaAsP材料中的扩散速率与材料中P含量的平方成正比。
1987, 9(5): 420-427.
刊出日期：1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
1994, 16(5): 541-544.
刊出日期：1994-09-19
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
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