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用胶体-原子薄片模型计算W(100)-Cs吸附系统的逸出功

王宁 王鼎盛

王宁, 王鼎盛. 用胶体-原子薄片模型计算W(100)-Cs吸附系统的逸出功[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 408-415.
引用本文: 王宁, 王鼎盛. 用胶体-原子薄片模型计算W(100)-Cs吸附系统的逸出功[J]. 电子与信息学报, 1986, 8(6): 408-415.
Wang Ning, Wang Dingsheng. THE WORK FUNCTION CALCULATIONS FOR W(100)-Cs ADSORBED SYSTEMS BYJELLIUM ON ATOMIC SLAB MODEL[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 408-415.
Citation: Wang Ning, Wang Dingsheng. THE WORK FUNCTION CALCULATIONS FOR W(100)-Cs ADSORBED SYSTEMS BYJELLIUM ON ATOMIC SLAB MODEL[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1986, 8(6): 408-415.

用胶体-原子薄片模型计算W(100)-Cs吸附系统的逸出功

THE WORK FUNCTION CALCULATIONS FOR W(100)-Cs ADSORBED SYSTEMS BYJELLIUM ON ATOMIC SLAB MODEL

  • 摘要: 碱或碱土金属的原子吸附于过渡金属表面时,会使后者的逸出功急剧下降。作者提出了胶体-原子薄片模型来研究这一现象。过渡金属基底用薄膜线性级加平面波(LAPW)法精确处理,而简单金属覆层则用胶体(jellium)模拟。此模型可在充分考虑构成基底的过渡金属特点的情况下,研究单原子层覆盖度以下的吸附系统的电子性质。 文中给出了计算所得W(100)面吸附Cs后的-曲线。所得逸出功极小值min=1.441.48eV与实验结果(min=1.351.55eV)吻合较好,文中还讨论了Ev参量的选择等问题。
      关键词:
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  • N. D. Lang and W. Kohn, Phys. Rev. B, 1(1970), 4555.[2]N. D. Lang and W. Kohn, ibid., 3(1971), 1215.[3]N. E. Lang, ibid., 4(1971), 4234.[4]H. Krakauer, M. Posternak and A. J. Freeman, Bull. Am. Phys., 23(1978), 258.[5]H. Krakauer, and M. Posternak, Phys. Rev. B, 19(1979), 1706.[6]M. Posternak and H.Krakauer, ibid., 21(1980), 5601.[7]Wang Dingsheng, A. J. Freeman and H. Krakauer, ibid., 24(1981), 3092.[8]O. K. Anderson, ibid., 12(1975), 3060.[9]D. D. Knelling and G. O. Arbman, J. Phys. F, 5(1975), 2055.[10]L. W. Swanson and R. W. Strayer, J. Chem. Phys.,48(1968), 2421.[11]R. W. Strayer, W. Mackie and L. N. Swanson, Surf. Sci. 34(1973), 225.[12]私人通讯.[13]S. L. Cunningham, Phys. Rev. B, 10(1974), 4998.
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-05-13
  • 修回日期:  1986-06-24
  • 刊出日期:  1986-11-19

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