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Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究

高铭台

高铭台. Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 420-427.
引用本文: 高铭台. Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(5): 420-427.
Gao Mingtai. STUDY OF Si(100) AND (111) SURFACES AND MOLECULAR BEAM EPITAXY OF Ni ON THEM BY RHEED[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 420-427.
Citation: Gao Mingtai. STUDY OF Si(100) AND (111) SURFACES AND MOLECULAR BEAM EPITAXY OF Ni ON THEM BY RHEED[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(5): 420-427.

Si(100)和(111)面和在其上Ni分子束外延的反射高能电子衍射研究

STUDY OF Si(100) AND (111) SURFACES AND MOLECULAR BEAM EPITAXY OF Ni ON THEM BY RHEED

  • 摘要: 以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
      关键词:
    •  
  • Shozo Ino, Jpn. J. Applied Phys., 16(1977), 891.[2]H. Fll, Philosophical Magazine A, 45(1982), 31.
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出版历程
  • 收稿日期:  1986-05-30
  • 修回日期:  1986-08-16
  • 刊出日期:  1987-09-19

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