2013, 35(7): 1677-1681.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.01634
刊出日期：2013-07-19
该文在现有译码算法的基础上提出一种高效的非二进制低密度奇偶校验码(NB-LDPC)译码方法，充分利用了分层译码算法与Min-max算法的优点，不但译码复杂度低、需要的存储空间小，而且可将译码速度提高一倍。应用该算法，对一种定义在GF(25)上的(620,509)码进行了仿真。该码的仿真结果表明：在相同误码率下，该文译码算法所需最大迭代次数仅为Zhang的算法(2011)的45%。
2023, 45(7): 2358-2365.
doi: 10.11999/JEIT221210
刊出日期：2023-07-10
无人机(UAV)、非正交多址(NOMA)和反向散射通信(BC)相结合，可以满足热点地区高容量需求，提高通信质量。该文提出一种无人机辅助的NOMA反向散射通信系统最小速率最大化资源分配算法。考虑无人机发射功率、能量收集、反射系数、传输速率以及连续干扰消除(SIC)解码顺序约束，建立基于系统最小速率最大化的资源分配模型。首先利用块坐标下降将原问题分解为无人机发射功率优化、反射系数优化和无人机位置与SIC解码顺序联合优化3个子问题，然后使用反证法给出无人机最优发射功率，再用变量替换法和连续凸逼近将剩余子问题进一步转化为凸优化问题进行求解。仿真结果表明，所提算法在系统和速率与用户公平性之间具有较好折中。
1990, 12(2): 179-186.
刊出日期：1990-03-19
用多晶X射线衍射方法,研究钪酸盐阴极发射材料在烧结过程中物理化学变化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3组成的发射材料中,在10001300℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系与CaO的混合物;在13001500℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系互溶生成热力学上的亚稳定态的Ba-Al-Sc-O固溶体。先形成组成约为5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,属正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成组成约为4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,属四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游离状态。
2003, 25(1): 131-134.
刊出日期：2003-01-19
用XRD技术对浸渍Ba-W阴极所用的铝酸盐(6BaO:CaO:2Al2O3)结构进行了分析。结果表明俄罗斯和国内某单位的铝酸盐峰位较复杂,结构不单一。该文作者用新的配方,新的烧结方式生成了主峰为Ba5CaAl4O12的结构单一的铝酸盐,且烧结温度比传统烧结温度低200℃,单一结构的铝酸盐具有浸渍温度低、发射较好、性能稳定、蒸发少等特点,从而可望改善Ba-W阴极的性能。
1986, 8(6): 408-415.
刊出日期：1986-11-19
碱或碱土金属的原子吸附于过渡金属表面时,会使后者的逸出功急剧下降。作者提出了胶体-原子薄片模型来研究这一现象。过渡金属基底用薄膜线性级加平面波(LAPW)法精确处理,而简单金属覆层则用胶体(jellium)模拟。此模型可在充分考虑构成基底的过渡金属特点的情况下,研究单原子层覆盖度以下的吸附系统的电子性质。 文中给出了计算所得W(100)面吸附Cs后的-曲线。所得逸出功极小值min=1.441.48eV与实验结果(min=1.351.55eV)吻合较好,文中还讨论了Ev参量的选择等问题。
1987, 9(4): 348-358.
刊出日期：1987-07-19
各种铝酸盐钡钨阴极的发射物质中存在着2BaOCaOAl2O3和可利用氧化钡的共同成分。氧化钙的作用在于参予组成了2BaOCaOAl2O3相成分,稳定了可利用氧化钡。在掺氧化钪的发射物质5BaO3CaO2Al2O30.6Sc2O3中,氧化钪的作用则在于它和铝酸盐中的可利用氧化钡结合为2BaOSc2O3,成为电子发射源氧化钡或钡原子的载体,它起控制和补充发射源的作用。这个机理得到实验证实。
2014, 36(3): 754-757.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
刊出日期：2014-03-19
为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求，该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaO- Sc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线，并探讨了发射机制。结果表明，在1100C工作温度下，该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2；阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。
1987, 9(6): 571-576.
刊出日期：1987-11-19
为了在InP/InGaAs(P)材料中进行精确的选择扩散,同时又要保证外延生长的多层异质结构不被破坏,提出了一种新的低温开管Zn扩散方法。该法直至在T=500℃,t=5min的条件下,重复性仍很好。应用该法研究了低温条件下Zn在InP,InGaAs(P)材料中的扩散行为。实验首次发现,Zn在InGaAsP材料中的扩散速率与材料中P含量的平方成正比。
1987, 9(5): 420-427.
刊出日期：1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
1994, 16(5): 541-544.
刊出日期：1994-09-19
文本采用SIMS技术,分析了BF2+注入多晶硅栅退火前后F原子在多晶硅和SiO2中的迁移特性。结果表明,80keV,21015和51015cm-2 BF2+注入多晶硅栅经过900℃,30min退火后,部分F原子已扩散到SiO2中。F在多晶硅和SiO2中的迁移行为呈现不规则的特性,这归因于损伤缺陷和键缺陷对F原子的富集作用。
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