高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

1984年  第6卷  第4期

显示方式:
论文
实现Ricatti变换的有限元网格的自动剖分
孙乃华
1984, 6(4): 263-270.
摘要:
本文探讨了用单矩量法求解任意截面介质柱体电磁散射问题的计算技术,在用有限元法求解数学圆内部的场时,从计算程序上实现了解线性方程组的Ricatti变换法,以矩形柱体为例,采用了实现Ricatti变换的有限元网格的自动剖分技术,证明采用这些技术和方法在减少所占计算机内存、节省计算时间和简化有限元法的前处理工作等方面有显著效果,并为编制通用计算程序提供了条件。
H11O多模圆弯曲波导传输特性
鲍玉书
1984, 6(4): 271-278.
摘要:
近年来,N.Nakajima等对4、5、6GHz共用天线波导系统中一种高性能偏置激励的卡塞格伦微波天线所用多模圆弯曲波导的传输特性及其高次波型E01O的影响进行了分析和实验研究,而文中对弯波导所激发的另一重要高次波型H21O的影响和有效地处理方法并未解决。本文根据任意截面弯曲波导耦合波方程组分析并计算了H11O多模圆弯曲波导内高次波型耦合特性及其前两个最重要的较低阶高次波E01O、H21O的耦合系数和波型激发量,提出了一种宽频带H21O、E01O波型滤波器,实验表明波型滤波器的实用效果良好,从而使N.Nakajima等遇到的并待克服的问题可基本解决。
PIN调制器用于线性脉冲调制的可能性
赵建奇
1984, 6(4): 279-286.
摘要:
本文分析了PIN调制器的电流调制特性,对其在线性坐标上呈现的高度非线性作了讨论,并进一步提出了采用对数网络使其线性化的电路补偿方法,这种方法在实验中已获得成功。
MOSFET的高频热噪声
王利民
1984, 6(4): 287-301.
摘要:
从 A.Van der Ziel(1976)提出的电流电压方程出发,导出一个归一化扰动量微分方程。将归一化扰动量的傅氏变换按j的幂级数形式展开并且求解,得到在漏、栅端扰动量傅氏变换的各阶解析解,同时也就得到了漏、栅极的噪声电流谱和相关系数,在结论中,指出了方程的高阶解对噪声谱的影响。
线性调频微波锁相环
阮贵华
1984, 6(4): 302-309.
摘要:
本文介绍一种用在X波段、调频脉冲周期为1ms、脉宽为6s、幅度为7V,带宽宽于30MHz的微波固态源锁相环(简称线性调频微波锁相环)。锁相环用来稳定微波固态源振荡器产生的线性调频信号起始点的频率,使该点频率具有和5MHz晶振相同的高稳定度,这种环路与一般锁相环的工作状态不同,它是处在频繁的开关工作状态,这种环路具有最短的时延、最快的捕捉能力、较大的同步范围和良好的环路信噪比,在电路结构上,也作了特别考虑,该环路首次用在遥感系统中并取得了较好的结果,通过实际运用证明,该环路简单、可靠、输出功率大、性能优良。本文将着重介绍这种环路的工作特点和实现该环路所采取的一些特殊方法。
电子枪发射电流的数值计算
张水顺, 朱协卿
1984, 6(4): 310-316.
摘要:
本文根据热电子发射的统计理论,运用无穷大平板二极管中考虑电子纵向热速度效应的电位状态与普通电子枪中阴极前面的电位状态相等效的处理方法,编写了电子枪的计算机程序,得到了计算的电子枪发射电流值与实测的电流值相一致的结果,文中还通过计算分析指出,在计算电子束管电子枪的发射电流时,必须考虑电子的纵向热速度效应,其计算的电流值比3/2次方定律的电流值大,且更接近实测结果;微波管强流电子枪中,电子纵向热速度效应在低工作电压下比在高工作电压下影响大些,但总的来说,比在电子束管中的影响小得多;电子纵向热速度效应对发射电流的影响随阴极的发射电流密度与阴极发射本领差别的增大而增加,但当这一差别大于一定值后,这种影响的大小趋于恒值。
产生毫微秒脉冲高压的螺旋形带状线发生器的研究
杨凌云, 王毓华, 张奇
1984, 6(4): 317-325.
摘要:
本文叙述了能产生毫微秒脉冲高压的螺旋形带状线发生器(以下简称SSLG)的基本原理,给出了具有一个短路开关,内端为高压输出端,外端接地的SSLG的设计方法,并提供了为便携式X光发生器设计的SSLG的制作工艺。对该发生器电性能的实验研究表明:该发生器能输出脉宽40100ns、电压100kV的高压脉冲,接上X光管负载时,在距X光管输出窗1m处能得到4070R的X光辐照量。
热离子能量转换器中物理过程的分析
张二力, 金佑民
1984, 6(4): 326-338.
摘要:
本文介绍了热离子能量转换器(简称TEC)的点火型工作状态及其分析计算的物理模型,将电极之间分成五区:即阴、阳极鞘层,过渡区和中性等离子体区;讨论了TEC内的电离机构,计算伏安特性和等离子体参量分布的方法,给出了国外数值计算的结果。 文章指出:TEC内的电离主要决定于阶梯电离;等离子体参量由一维电子和离子流输运方程、连续方程和能量输运方程来描述;电极附近的过渡区则作为边界条件来处理。
研究简报
耦合腔结构的互作用阻抗的计算
宋文淼, 李镇淮, 陈秀岚, 吴静贤
1984, 6(4): 339-342.
摘要:
正 1.引言 互作用阻抗是行波管设计中一个十分重要的参量。在耦合腔行波管中,由于电路结构的复杂性,迄今还没有一种分析方法能够精确地计算其互作用阻抗。所以通过冷测来计算互作用阻抗几乎还是唯一实用的方法。虽然利用谐振法测量耦合腔结构的-图和用频率微扰法来测量电场已经是成熟的方法,但是如何从测量的结果来计算互作用阻抗却仍是一个正在探索的问题。本文讨论了从大微扰的测量结果,利用Kosmahl