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1983年 第5卷 第1期
1983, 5(1): 1-5.
摘要:
作者曾提出利用王氏代数产生图的全部哈密顿圈,本文继续研究了这种算法。为了简化计算,给出一个关于王积度数约束的定理,为了避免算法中的不必要的重复,提出一种改进的方法。 最后讨论了本算法在布线设计中的应用等。
作者曾提出利用王氏代数产生图的全部哈密顿圈,本文继续研究了这种算法。为了简化计算,给出一个关于王积度数约束的定理,为了避免算法中的不必要的重复,提出一种改进的方法。 最后讨论了本算法在布线设计中的应用等。
1983, 5(1): 6-15.
摘要:
本文讨论了用有限元法求解非均匀介质填充波导本征值问题的具体过程。给出了有关的计算公式和程序。作为例子,对条形介质填充矩形波导主模场结构的分析和色散特性的计算,获得了与解析解十分一致的结果,从而证实了所述程序的可靠性。
本文讨论了用有限元法求解非均匀介质填充波导本征值问题的具体过程。给出了有关的计算公式和程序。作为例子,对条形介质填充矩形波导主模场结构的分析和色散特性的计算,获得了与解析解十分一致的结果,从而证实了所述程序的可靠性。
1983, 5(1): 24-31.
摘要:
本文用磁流体力学方程组推导了纵向磁化迴旋漂移相对论电子束的介电张量,然后将迴旋行波管作为部分填充各向异性介质的波导,计算了各本征模之间的耦合系数。计算结果表明,只有角向变化次数相同的模才发生耦合。本文对工作在非基模的迴旋脉塞器件估计模式纯度有一定实用价值。
本文用磁流体力学方程组推导了纵向磁化迴旋漂移相对论电子束的介电张量,然后将迴旋行波管作为部分填充各向异性介质的波导,计算了各本征模之间的耦合系数。计算结果表明,只有角向变化次数相同的模才发生耦合。本文对工作在非基模的迴旋脉塞器件估计模式纯度有一定实用价值。
1983, 5(1): 32-37.
摘要:
本文叙述了适用于轴对称强流电子光学系统各种磁结构的部分屏蔽流过渡区的设计方法。通过综合选取磁系统和电子枪参数,实现了磁系统与电子枪的最佳匹配,获得了屏蔽系数大于0.8,波动小于1％的电子注。
本文叙述了适用于轴对称强流电子光学系统各种磁结构的部分屏蔽流过渡区的设计方法。通过综合选取磁系统和电子枪参数,实现了磁系统与电子枪的最佳匹配,获得了屏蔽系数大于0.8,波动小于1％的电子注。
1983, 5(1): 38-48.
摘要:
电视摄象管用于脉冲曝光时,会显出灵敏度下降和图象质量变坏。为了克服这些缺点,可以用在阴极上加适当的偏压脉冲,并延迟读出的方法。考虑到隔行扫描的电子束在靶面上部分地相互重叠所造成的靶面的复杂情况,可把靶面上的扫描光栅分为两部分,然后分别分析这两部分脉冲曝光后的讯号电流。 导出的公式可以计算讯号电流特性,这些公式在设计摄象机中的r校正器时是有用的。 为了表明阴极偏压的作用,计算了某些情况下的讯号电流特性。对于实际应用,加适当的阴极偏压是有实际意义的。最后,本文指出什么样的摄象管适用于脉冲摄象。
电视摄象管用于脉冲曝光时,会显出灵敏度下降和图象质量变坏。为了克服这些缺点,可以用在阴极上加适当的偏压脉冲,并延迟读出的方法。考虑到隔行扫描的电子束在靶面上部分地相互重叠所造成的靶面的复杂情况,可把靶面上的扫描光栅分为两部分,然后分别分析这两部分脉冲曝光后的讯号电流。 导出的公式可以计算讯号电流特性,这些公式在设计摄象机中的r校正器时是有用的。 为了表明阴极偏压的作用,计算了某些情况下的讯号电流特性。对于实际应用,加适当的阴极偏压是有实际意义的。最后,本文指出什么样的摄象管适用于脉冲摄象。
1983, 5(1): 49-53.
摘要:
本文叙述了无镜远红外激光器的结构及其实验结果。用可调谐TEA CO2激光器作为泵浦源,其输出能量在9P(20),9R(22)线上均可达1J左右。用CO29P(20)线泵浦CH3F分子,获得了能量为0.5mJ,波长为496m的激光输出;用9R(22)线泵浦D2O分子,获得了能量为1mJ,波长为385m的激光输出。输出能量和波长是分别用热电堆和Fabry-Perot干涉仪测量的。
本文叙述了无镜远红外激光器的结构及其实验结果。用可调谐TEA CO2激光器作为泵浦源,其输出能量在9P(20),9R(22)线上均可达1J左右。用CO29P(20)线泵浦CH3F分子,获得了能量为0.5mJ,波长为496m的激光输出;用9R(22)线泵浦D2O分子,获得了能量为1mJ,波长为385m的激光输出。输出能量和波长是分别用热电堆和Fabry-Perot干涉仪测量的。
1983, 5(1): 16-23.
摘要:
本文介绍了Ga-AsCl3-H2体系,研究了气相外延时硫的掺杂行为,讨论了硫的掺杂机理和生长了亚微米薄层。制得的亚微米外延层的质量表明,表面形貌良好,缺陷少,重复性好。典型的电学性质为:当厚度0.4m和浓度为121017/cm3时,击穿电压VB=710V。在单层和多层外延结构中,界面浓度基本是突变的,过渡区约0.1m。这些外延片已用于制备变容管和远红外探测器等。
本文介绍了Ga-AsCl3-H2体系,研究了气相外延时硫的掺杂行为,讨论了硫的掺杂机理和生长了亚微米薄层。制得的亚微米外延层的质量表明,表面形貌良好,缺陷少,重复性好。典型的电学性质为:当厚度0.4m和浓度为121017/cm3时,击穿电压VB=710V。在单层和多层外延结构中,界面浓度基本是突变的,过渡区约0.1m。这些外延片已用于制备变容管和远红外探测器等。
1983, 5(1): 54-57.
摘要:
正 (一)引言 我们知道,在真空条件下可以由化学反应产生氧,例如,加热氧化亚铜、氧化锰或过氧化钡等;也可通过真空阀门向真空室内放入纯氧;而通过加热银管向系统内放入高纯氧则是较简便的方法,这是本文所要讨论的内容。当然,更新的获取高纯氧的方法是用氧化钙稳定氧化锆作渗透膜。 (二)实验技术和结果 我们的实验系统如图1所示。它包括抽速为60l/s的三极式溅射钛离子泵(日本
正 (一)引言 我们知道,在真空条件下可以由化学反应产生氧,例如,加热氧化亚铜、氧化锰或过氧化钡等;也可通过真空阀门向真空室内放入纯氧;而通过加热银管向系统内放入高纯氧则是较简便的方法,这是本文所要讨论的内容。当然,更新的获取高纯氧的方法是用氧化钙稳定氧化锆作渗透膜。 (二)实验技术和结果 我们的实验系统如图1所示。它包括抽速为60l/s的三极式溅射钛离子泵(日本
1983, 5(1): 58-63.
摘要:
正 单通道电子倍增器(简称CEM)作为辐射探测器已应用于有关科技领域。本实验的目的在于了解在包含光电阴极和CEM的器件内,烘烤温度和Cs蒸汽对CEM的电阻和电子增益的影响。 (一)实验装置和测量方法 实验测量装置原理图如图1所示
正 单通道电子倍增器(简称CEM)作为辐射探测器已应用于有关科技领域。本实验的目的在于了解在包含光电阴极和CEM的器件内,烘烤温度和Cs蒸汽对CEM的电阻和电子增益的影响。 (一)实验装置和测量方法 实验测量装置原理图如图1所示
1983, 5(1): 64-65.
摘要:
正 随着各种特殊电真空器件和电子束设备的发展,要求阴极能适应相应的环境。如密封油膜光阀管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的阴极。国外使用一种含钍的储备式阴极,但钍有放射性污染。我们研制了一种没有放射性污染的镧钨阴极。Albert等人曾发表过这类阴极的发射数据。Gallagher报道过这类阴极抗氧中毒的性能。但迄今,尚未见到这类阴极的其他性能和运用情况的报道。 几年来,我们对镧钨阴极进行了研究,选择了一种新配方,做出了以WC,La,Pt三
正 随着各种特殊电真空器件和电子束设备的发展,要求阴极能适应相应的环境。如密封油膜光阀管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的阴极。国外使用一种含钍的储备式阴极,但钍有放射性污染。我们研制了一种没有放射性污染的镧钨阴极。Albert等人曾发表过这类阴极的发射数据。Gallagher报道过这类阴极抗氧中毒的性能。但迄今,尚未见到这类阴极的其他性能和运用情况的报道。 几年来,我们对镧钨阴极进行了研究,选择了一种新配方,做出了以WC,La,Pt三
1983, 5(1): 66-66.
摘要:
正 在微波器件和精密仪器中,要求所用的永磁材料在很宽的温度范围内磁通基本保持不变,亦即要求所用的永磁材料具有很低的可逆温度系数()。铝镍钴、铁氧体、铂钴和普通的稀土钴永磁材料均不能满足上述要求。我们根据轻稀土钴和重稀土钴化合物的磁化强度随温度变化的相反性质,即轻稀土钴化合物的磁化强度随温度增加而降低,而重稀土钴化合物的磁化强度在一定温度范围内随温度增加而增加。通过用重稀土Gd、Er取代SmCo5中一部分Sm,并适当调节Sm与Gd、Er之间的比例,制备成了可逆温度系
正 在微波器件和精密仪器中,要求所用的永磁材料在很宽的温度范围内磁通基本保持不变,亦即要求所用的永磁材料具有很低的可逆温度系数()。铝镍钴、铁氧体、铂钴和普通的稀土钴永磁材料均不能满足上述要求。我们根据轻稀土钴和重稀土钴化合物的磁化强度随温度变化的相反性质,即轻稀土钴化合物的磁化强度随温度增加而降低,而重稀土钴化合物的磁化强度在一定温度范围内随温度增加而增加。通过用重稀土Gd、Er取代SmCo5中一部分Sm,并适当调节Sm与Gd、Er之间的比例,制备成了可逆温度系
1983, 5(1): 67-68.
摘要:
正 控制栅栅网是栅控脉冲行波管的关键部件之一。这种栅网是由钼片经电火花加工制成的。制成的栅网的网丝上常常有毛刺和其它黑色附着物。这些附着物不易清除干净并因此往往造成管子打火,栅极截获电流偏大,从而影响管子的性能和成品率。因此,设法将栅网表面处理干净是十分重要的。 清除栅网表面附着物目前通常用手工去除毛刺和金刚砂超声处理,但效果较差。为了寻求一种较有效的处理工艺,我们先用离子探针和俄歇电子谱仪对网丝表面进行了组
正 控制栅栅网是栅控脉冲行波管的关键部件之一。这种栅网是由钼片经电火花加工制成的。制成的栅网的网丝上常常有毛刺和其它黑色附着物。这些附着物不易清除干净并因此往往造成管子打火,栅极截获电流偏大,从而影响管子的性能和成品率。因此,设法将栅网表面处理干净是十分重要的。 清除栅网表面附着物目前通常用手工去除毛刺和金刚砂超声处理,但效果较差。为了寻求一种较有效的处理工艺,我们先用离子探针和俄歇电子谱仪对网丝表面进行了组
