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均匀磁场聚焦部分屏蔽流电子注的一种设计方法

袁光泉

袁光泉. 均匀磁场聚焦部分屏蔽流电子注的一种设计方法[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(1): 32-37.
引用本文: 袁光泉. 均匀磁场聚焦部分屏蔽流电子注的一种设计方法[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(1): 32-37.
Yuan Guang-Quan. A METHOD OF THE DESIGN OF ELECTRON BEAMS FROM PARTIALLY SHIELDED CATHODE WITH UNIFORM MAGNETIC FOCUSING FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(1): 32-37.
Citation: Yuan Guang-Quan. A METHOD OF THE DESIGN OF ELECTRON BEAMS FROM PARTIALLY SHIELDED CATHODE WITH UNIFORM MAGNETIC FOCUSING FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(1): 32-37.

均匀磁场聚焦部分屏蔽流电子注的一种设计方法

A METHOD OF THE DESIGN OF ELECTRON BEAMS FROM PARTIALLY SHIELDED CATHODE WITH UNIFORM MAGNETIC FOCUSING FIELD

  • 摘要: 本文叙述了适用于轴对称强流电子光学系统各种磁结构的部分屏蔽流过渡区的设计方法。通过综合选取磁系统和电子枪参数,实现了磁系统与电子枪的最佳匹配,获得了屏蔽系数大于0.8,波动小于1%的电子注。
      关键词:
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  • V. Bevc.[J].J. L. Palmer and C. ssskind, the Journal of the British I. R. E..1958,18:-[2]И.В.Алямовский著,黄高年译,电子注与电子枪,电子管技术编组,1974年.[3]电子管手册编委会,微波管电子光学系统设计手册,第五章,国防工业出版社,1981年.[4]电子管手册编委会,强流电子枪优选系列,国防工业出版社,1979年.
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出版历程
  • 收稿日期:  1981-08-05
  • 刊出日期:  1983-01-19

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