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一种抗中毒的阴极

王永树 邓耀德 王奇

王永树, 邓耀德, 王奇. 一种抗中毒的阴极[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(1): 64-65.
引用本文: 王永树, 邓耀德, 王奇. 一种抗中毒的阴极[J]. 电子与信息学报, 1983, 5(1): 64-65.
Wang Yong-Shu, Deng Yao-De, Wang Qi. A GAS POISONING RESISTIVE CATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(1): 64-65.
Citation: Wang Yong-Shu, Deng Yao-De, Wang Qi. A GAS POISONING RESISTIVE CATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1983, 5(1): 64-65.

一种抗中毒的阴极

A GAS POISONING RESISTIVE CATHODE

  • 摘要: 正 随着各种特殊电真空器件和电子束设备的发展,要求阴极能适应相应的环境。如密封油膜光阀管,就需要能抵抗油蒸汽中毒的阴极。国外使用一种含钍的储备式阴极,但钍有放射性污染。我们研制了一种没有放射性污染的镧钨阴极。Albert等人曾发表过这类阴极的发射数据。Gallagher报道过这类阴极抗氧中毒的性能。但迄今,尚未见到这类阴极的其他性能和运用情况的报道。 几年来,我们对镧钨阴极进行了研究,选择了一种新配方,做出了以WC,La,Pt三
      关键词:
    •  
  • M.J.Albert et al., Metal and Material, 1(1967), 43.[3]M.J.Albert et al., Brit. J. Appl. Phys., 18(1967), 627.
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出版历程
  • 收稿日期:  1982-08-18
  • 刊出日期:  1983-01-19

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