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1987年 第9卷 第2期
1987, 9(2): 97-106.
摘要:
本文论述了瞬态电磁场用于目标识别的一种新方法,给出了激励目标的单模散射场的基本理论及其数学推导过程。把这一理论用于线性目标和导电球体,已获得了较为满意的结果,给出了计算目标冲击响应得到的有用的结论。最后提出了一个实际可行的,在时域中测试目标冲击响应的方案。实验证明这一方案是可行的。
本文论述了瞬态电磁场用于目标识别的一种新方法,给出了激励目标的单模散射场的基本理论及其数学推导过程。把这一理论用于线性目标和导电球体,已获得了较为满意的结果,给出了计算目标冲击响应得到的有用的结论。最后提出了一个实际可行的,在时域中测试目标冲击响应的方案。实验证明这一方案是可行的。
1987, 9(2): 107-115.
摘要:
本文研究了在确定的观察时间内,在有色高斯噪声中离散时间检测和估计的性能与样本数之间的关系。指出相邻样本之间相关系数在0.10.2范围内,广义信噪比就能相当接近极限值S2(T)。在讨论二阶相关噪声时指出,由二阶微分方程描写的高斯过程的样本序列一般不是AR(2)模型,但是当样本间隔△0时,却可用AR(2)模型近似描写序列,因此求极限信噪比时,可以较简便地采用AR(2)模型。最后指出最大似然估计与似然比检验之间和两者的性能测度之间的联系。
本文研究了在确定的观察时间内,在有色高斯噪声中离散时间检测和估计的性能与样本数之间的关系。指出相邻样本之间相关系数在0.10.2范围内,广义信噪比就能相当接近极限值S2(T)。在讨论二阶相关噪声时指出,由二阶微分方程描写的高斯过程的样本序列一般不是AR(2)模型,但是当样本间隔△0时,却可用AR(2)模型近似描写序列,因此求极限信噪比时,可以较简便地采用AR(2)模型。最后指出最大似然估计与似然比检验之间和两者的性能测度之间的联系。
1987, 9(2): 116-124.
摘要:
本文讨论E/D NMOS斩波稳零运算放大器的设计方法,着重分析了斩波稳零运算放大器的失调因素,并导出了计算公式。 电路设计利用SPICE-Ⅱ程序进行了计算机模拟,样片的测试结果与分析结果一致。
本文讨论E/D NMOS斩波稳零运算放大器的设计方法,着重分析了斩波稳零运算放大器的失调因素,并导出了计算公式。 电路设计利用SPICE-Ⅱ程序进行了计算机模拟,样片的测试结果与分析结果一致。
1987, 9(2): 125-134.
摘要:
开关电容滤波器(SCF)在集成电路中占有极为重要的地位,它具有集成度高,设计精度高,温度稳定性好,并可采用成熟的MOS工艺实现等优点,为了提高电路设计的效率和准确性,计算机辅助分析受到越来越多的重视。 本文采用SPICE电路模拟程序和等效电路变换方法,讨论了对SCF电路进行计算机辅助分析的步骤和方法,并用此方法设计了一个用于脉码调制(PCM)电话系统的D3通道的五阶椭圆低通滤波器,所得结果与传输函数结果一致。
开关电容滤波器(SCF)在集成电路中占有极为重要的地位,它具有集成度高,设计精度高,温度稳定性好,并可采用成熟的MOS工艺实现等优点,为了提高电路设计的效率和准确性,计算机辅助分析受到越来越多的重视。 本文采用SPICE电路模拟程序和等效电路变换方法,讨论了对SCF电路进行计算机辅助分析的步骤和方法,并用此方法设计了一个用于脉码调制(PCM)电话系统的D3通道的五阶椭圆低通滤波器,所得结果与传输函数结果一致。
1987, 9(2): 135-139.
摘要:
本文提出了一种测定放电消电离时间以确定等离子体电子温度的方法。给出了实验装置简图和实验结果。所得结果的数值与探针测量结果比较一致,表明这种方法是简易可行的。
本文提出了一种测定放电消电离时间以确定等离子体电子温度的方法。给出了实验装置简图和实验结果。所得结果的数值与探针测量结果比较一致,表明这种方法是简易可行的。
1987, 9(2): 140-148.
摘要:
本文推导了两种类型的多极静电偏转器在无穷长情况下场分布的普遍解;提供了多极静电偏转器在光轴附近获得均匀偏转场的方法;计算了六种实用的多极静偏器,给出了有关公式和数据,分析了两种多极静偏器之间的联系和区别。
本文推导了两种类型的多极静电偏转器在无穷长情况下场分布的普遍解;提供了多极静电偏转器在光轴附近获得均匀偏转场的方法;计算了六种实用的多极静偏器,给出了有关公式和数据,分析了两种多极静偏器之间的联系和区别。
1987, 9(2): 149-155.
摘要:
本文报道研究扩散掺钛的硅中深能级的结果。用DLTS法观测到三个与钛有关的深能级,即在n-Si(Ti)中有二个电子陷阱,能级位置分别为Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一个空穴陷阱,能级位置为Ev+0.32eV。详细的电容瞬态研究得到了这些能级在一定测试温度范围内的热激活能和俘获截面以及其它有关参量。本文还就测量结果对能级的键合性质和钉扎于那一能带做了讨论。
本文报道研究扩散掺钛的硅中深能级的结果。用DLTS法观测到三个与钛有关的深能级,即在n-Si(Ti)中有二个电子陷阱,能级位置分别为Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一个空穴陷阱,能级位置为Ev+0.32eV。详细的电容瞬态研究得到了这些能级在一定测试温度范围内的热激活能和俘获截面以及其它有关参量。本文还就测量结果对能级的键合性质和钉扎于那一能带做了讨论。
1987, 9(2): 156-160.
摘要:
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对xj-t1/2关系的影响,Zn在InxGa1-xAs中的扩散速度(xj2/t)较Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面浓度为1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面浓度较在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m发光管的接触层可使接触电阻降低。
本文利用ZnAs2、ZnAs2+Cd作扩散源,研究了Zn、Zn-Cd在InxGa1-xAs中的扩散。给出了扩散温度和扩散时间,扩散源的种类和材料的组份对xj-t1/2关系的影响,Zn在InxGa1-xAs中的扩散速度(xj2/t)较Zn-Cd在InxGa1-xAs中的快。在500600℃,Zn在InxGa1-xAs的表面浓度为1101921020cm-3。Zn在InxGa1-xAs中的表面浓度较在InP中的高。利用InxGa1-xAs作1.3m发光管的接触层可使接触电阻降低。
1987, 9(2): 161-164.
摘要:
一个稳定的光阴极表面层是获得一个稳定的长寿命光阴极的必不可少的条件。由于反射式GaAs(Cs,F)光阴极用氟代替氧进行表面激活,氟的强烈的电负性使得表面层的稳定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光阴极的寿命达到8500小时。除此之外,它的工艺重复性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光阴极的好。
一个稳定的光阴极表面层是获得一个稳定的长寿命光阴极的必不可少的条件。由于反射式GaAs(Cs,F)光阴极用氟代替氧进行表面激活,氟的强烈的电负性使得表面层的稳定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光阴极的寿命达到8500小时。除此之外,它的工艺重复性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光阴极的好。
1987, 9(2): 165-171.
摘要:
赫芝(Hertz)于1887年发现光电发射效应,为了纪念光电发射效应发现100周年,本文对实用光阴极的发展历史作一简单的回顾,并对其现况作扼要的评述。
赫芝(Hertz)于1887年发现光电发射效应,为了纪念光电发射效应发现100周年,本文对实用光阴极的发展历史作一简单的回顾,并对其现况作扼要的评述。
1987, 9(2): 172-175.
摘要:
本文进一步讨论了作者(1986)提出的双△函数逆问题,并提出了剔除卷积核谱零点的具体做法。
本文进一步讨论了作者(1986)提出的双△函数逆问题,并提出了剔除卷积核谱零点的具体做法。
1987, 9(2): 176-180.
摘要:
本文研究了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器的分段线性(具有四段折线和三段折线)动力学模型。给出了电路和动态方程。讨论了张弛振荡器的一些性质。实验结果与计算结果一致,表明这种动力学模型是适当而有效的。
本文研究了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器的分段线性(具有四段折线和三段折线)动力学模型。给出了电路和动态方程。讨论了张弛振荡器的一些性质。实验结果与计算结果一致,表明这种动力学模型是适当而有效的。
1987, 9(2): 181-187.
摘要:
本文介绍了一种根据状态转换图直接设计时序电路的实用方法。此方法具有许多优点,特别适用于多个输入和多个状态的情况。
本文介绍了一种根据状态转换图直接设计时序电路的实用方法。此方法具有许多优点,特别适用于多个输入和多个状态的情况。
1987, 9(2): 188-192.
摘要:
本文阐述了波纹圆锥喇叭的多频段工作原理,并介绍了一个至少能在4,6和11 GHz三个频段共用的波纹圆锥喇叭。此喇叭在4,6 GHz频段的交叉极化峰值优于-25dB,在11GHz频段的幅度方向图性能优良。理论和实践表明,使用不止在一个工作区工作的波纹圆锥喇叭可以实现多频段共用的馈源喇叭。
本文阐述了波纹圆锥喇叭的多频段工作原理,并介绍了一个至少能在4,6和11 GHz三个频段共用的波纹圆锥喇叭。此喇叭在4,6 GHz频段的交叉极化峰值优于-25dB,在11GHz频段的幅度方向图性能优良。理论和实践表明,使用不止在一个工作区工作的波纹圆锥喇叭可以实现多频段共用的馈源喇叭。
