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硅中钛的若干物理性质

曾树荣 鲁永令 傅春寅

曾树荣, 鲁永令, 傅春寅. 硅中钛的若干物理性质[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(2): 149-155.
引用本文: 曾树荣, 鲁永令, 傅春寅. 硅中钛的若干物理性质[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(2): 149-155.
Zeng Shurong, Lu Yongling, Fu Chunyin. SEVERAL PROPERTIES OF Ti IN SILICON[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(2): 149-155.
Citation: Zeng Shurong, Lu Yongling, Fu Chunyin. SEVERAL PROPERTIES OF Ti IN SILICON[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(2): 149-155.

硅中钛的若干物理性质

SEVERAL PROPERTIES OF Ti IN SILICON

  • 摘要: 本文报道研究扩散掺钛的硅中深能级的结果。用DLTS法观测到三个与钛有关的深能级,即在n-Si(Ti)中有二个电子陷阱,能级位置分别为Ec0.23eV和Ec0.53eV,在p-Si(Ti)中有一个空穴陷阱,能级位置为Ev+0.32eV。详细的电容瞬态研究得到了这些能级在一定测试温度范围内的热激活能和俘获截面以及其它有关参量。本文还就测量结果对能级的键合性质和钉扎于那一能带做了讨论。
      关键词:
    •  
  • W. Fahrner, et al., Appl. Phys. Lett., 21(1972), 329.[2]M. Schultz, Appl. Phys., 4(1974), 225.[3]J. W. Chen, et al., Solid-State Electron., 22(1979), 810.[4]A. M. Salama, et al., J. Elcctrochem. Soc., 127(1980), 1164.[5]L. C. Kimerling, et al., Defects and Radiation Effects in Semiconductors, 1980, p217. [6] J. R. Morante, et al., Solid-State Electron., 26(1983), 1.[6]D. Stievenard, et al., J. Appl. Phys., 55(1984), 1477.[7]傅春寅等, 物理学报(待发表).[8]秦国刚等,中国科学(A辑),27(1984), 432.
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-02-15
  • 修回日期:  1985-06-24
  • 刊出日期:  1987-03-19

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