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高稳定长寿命反射式GaAs(Cs,F)光阴极

谈凯声

谈凯声. 高稳定长寿命反射式GaAs(Cs,F)光阴极[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(2): 161-164.
引用本文: 谈凯声. 高稳定长寿命反射式GaAs(Cs,F)光阴极[J]. 电子与信息学报, 1987, 9(2): 161-164.
Tan Kaisheng. A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(2): 161-164.
Citation: Tan Kaisheng. A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1987, 9(2): 161-164.

高稳定长寿命反射式GaAs(Cs,F)光阴极

A HIGH STABLE LONG LIFE-SPAN REFLACTIVE GaAs(Cs, F) PHOTOCATHODE

  • 摘要: 一个稳定的光阴极表面层是获得一个稳定的长寿命光阴极的必不可少的条件。由于反射式GaAs(Cs,F)光阴极用氟代替氧进行表面激活,氟的强烈的电负性使得表面层的稳定性得到改善。反射式GaAs(Cs,F)光阴极的寿命达到8500小时。除此之外,它的工艺重复性和抗污染能力也比GaAs(Cs,O2)光阴极的好。
      关键词:
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  • H. Schade, H. Nelson and H. Kressel, Appl. Phys. Lett.,20(1972), 385.[2]H. Kressel, H. Schade and H. Nelson, J. Lumin., 7(1973),146.[3]Hirofumi Kan, et al., Appl. Phys. Lett., 9(1979), 545.[4]Hirofumi Kan, et al., J. Appl. Phys., 6(1980), 3404.[5]E. I. Garwin, et al., Oxide effects on photoemisston from high current GaAs photocathodes. SLAG Pub. 2715, March 1981.[6]B. E. Evans, et al., Surface Sci., 11(1968). 1.[7]S. Gatde, Phys. Stat. Sol. (A), 2(1970), 497.[8]I. Shita, et al., J. Electrochem. Soc., 124(1977), 155.
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出版历程
  • 收稿日期:  1985-03-27
  • 修回日期:  1985-04-25
  • 刊出日期:  1987-03-19

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