1987, 9(5): 420-427.
刊出日期：1987-09-19
以反射高能电子衍射的方法研究了用Ar+离子轰击和高温处理技术获得的洁净的Si(100)和(111)面,以及在室温下这些表面上分子束外延生长镍硅化物。实验获得了Si(111)77以及它的负区衍射图,Si(100)21,Si(111)1919Ni和Si(100)42Ni的表面结构。实验同时表明,在低外延生长速率下(0.150.5/min)生成的镍硅化物的晶格结构与硅基底的一样。
1986, 8(1): 76-80.
刊出日期：1986-01-19
正 1.引言 由于PbTiO3压电陶瓷较难合成,因而使它的推广应用比PZT陶瓷晚。但是由于它的介电常数小(200左右),居里温度高(490℃),故在高频器件、红外器件等方面有应用前途。目前应用较广的(Ba,Pb)TiO3-PTC陶瓷的转变温度就是利用PbTiO3的高温特性来提高的。 本文介绍的是利用PbTiO3的介电常数小、Kt大和频率稳定度高的特点,把它用作滤
1988, 10(4): 360-366.
刊出日期：1988-07-19
蒸涂法获得的Si-Ni界面在室温到800℃下热处理,并用透射式电子显微镜对它进行原位研究。在化学清洗的洁净的Si(100)及(111)面上生成了Ni2Si,NiSi和NiSi2系列。实验表明,在真空度为110-6mmHg,温度为650℃时,化学清洗的Si表面上生成了SiC;各种镍硅化物的出现不是在某一确定温度;在Si(111)面上外延生长镍硅化物比在(100)面上容易。
1985, 7(6): 458-465.
刊出日期：1985-11-19
本文提出了一种在光照和短路条件下测量Ni/-Si∶H肖特基结势垒宽度的方法。同时,又在实验确定的参数的基础上,从理论上计算了在AM1太阳光谱照射下Ni/-Si∶H太阳电池的I-V曲线。由此得到的非晶硅少子扩散长度的数值与作者1983年用表面光电压法(SPV)测得的是一致的。从计算结果出发,着重分析了影响填充因子的各种因素。与实验对比可以得出结论:被测太阳电池的填充因子小是串、并联电阻造成的,而不是扩散长度太短的缘故。
1980, 2(1): 38-41.
刊出日期：1980-01-19
一、前言 随着我国电视工业的迅速发展,对电视机所用显像管的寿命指标提出了愈来愈高的要求。国产23X5B(9英寸)显像管的寿命原部颁标准为750小时,目前多数管的实际寿命一般不超过2000小时,远不能满足要求。 本实验的目的是试备用Ni-W-Ca合金代替Si-Ni合金作阴极基底金属,以提高9英寸显像管的寿命。实验表明,在不改变原制管工艺的情况下,更换阴极基底金属后,9英寸管的寿命可以提高到700012000小时,甚至更高
1981, 3(2): 125-127.
刊出日期：1981-04-19
正 一、引言 长期以来,氧化物阴极基金属一般都采用镍镁、镍硅等镍合金。但用它们作直热式阴极时,在强度和热变形等方面都不能很好满足要求,如用在直热式发射管FD-422中,就常出现阴极断裂、高压跳火,掉粉等问题。为了解决这一问题,我们研制出一种Ni-Co-W合金。用杯卣热式发射管FD-422中,得到较好效果
2006, 28(4): 597-602.
刊出日期：2006-04-19
基于视觉采样原理，该文提出了一般化的视觉采样聚类方法VSC。该方法将视觉原理与著名的Weber定律结合起来，其特点是：对聚类初始条件不敏感；Weber定律提供了新的聚类有效性标准，并且该方法所得到的合理的聚类数可以依据Weber定律而得到。大量的实验结果表明了算法VSC的有效性。文中讨论了算法VSC与由Yang Miin-Shen等人(2004)新近提出的基于相似度量的聚类算法SCA之间的内在联系，得出了这两个算法具有一定的同解性质，从而揭示了该文所提方法VSC能够有效地克服算法SCA中参数 不易确定的困难。
2006, 28(8): 1415-1417.
刊出日期：2006-08-19
关键词:
数字签名;代理签名;多重代理;多重签名
为克服多重代理签名方案中无法确认谁是真正签名者的弱点，Sun于1999年提出了不可否认的代理签名方案。2000年Hwang等人指出Sun的方案不安全，并对Sun的方案进行了改进，2004年 Tzeng, Tan, Yang各自对Hwang等人的方案进行了安全性分析，指出Hwang方案容易受到内部伪造攻击。该文通过让原始签名组与代理签名组互动来实现秘密共享和密钥分配的方法，设计了一种新的安全的多重代理、多重签名方案，它能够满足不可否认性和不可伪造性的要求。
2007, 29(10): 2529-2532.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.00414
刊出日期：2007-10-19
Gu-Zhang-Yang(2005)提出了一个不需要可信第三方参与的匿名代理签名方案，由于该方案的签名验证数据中没有回避孤悬因子这一现象，因此并不满足强不可伪造性，原始签名人可以伪造一个有效的代理签名通过验证，并成功地在代理签名者身份揭示阶段向公众证明该伪造的代理签名是由合法的代理签名者产生的。本文在分析该方案安全性的基础上提出了改进的匿名代理签名方案，克服了原方案的不足。
2003, 25(2): 259-262.
刊出日期：2003-02-19
关键词:
硅纳米线; SLS生长机制; 升温特性
该文报道一种直接在硅片上热生长硅纳米线的新方法。与传统的VLS生长机制不同,该方法在生长硅纳米线的过程中没有引入任何气态或液态硅源.是一种全新的固液固(SLS)生长机制。实验中使用了Ni,Au等金属作为催化剂,由Ar,H2等作为载流气体.系统压强为2.5104Pa,生长温度为950-1000℃.生长出的硅纳米线表面光滑,呈纯非晶态,直径为10-40 nm,长度可达数十微米,升温特性对硅纳米线SLS热生长起重要作用。研究了各项实验参数(包括气氛压强,加热温度及加热时间等)对硅纳米线生长的影响。
