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非晶硅肖特基太阳电池的I-V特性分析

徐乐

徐乐. 非晶硅肖特基太阳电池的I-V特性分析[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(6): 458-465.
引用本文: 徐乐. 非晶硅肖特基太阳电池的I-V特性分析[J]. 电子与信息学报, 1985, 7(6): 458-465.
Xu Le. THE I-V CHARACTERISTIC ANALYSIS OF SCHOTTKY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(6): 458-465.
Citation: Xu Le. THE I-V CHARACTERISTIC ANALYSIS OF SCHOTTKY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1985, 7(6): 458-465.

非晶硅肖特基太阳电池的I-V特性分析

THE I-V CHARACTERISTIC ANALYSIS OF SCHOTTKY AMORPHOUS SILICON SOLAR CELLS

  • 摘要: 本文提出了一种在光照和短路条件下测量Ni/-Si∶H肖特基结势垒宽度的方法。同时,又在实验确定的参数的基础上,从理论上计算了在AM1太阳光谱照射下Ni/-Si∶H太阳电池的I-V曲线。由此得到的非晶硅少子扩散长度的数值与作者1983年用表面光电压法(SPV)测得的是一致的。从计算结果出发,着重分析了影响填充因子的各种因素。与实验对比可以得出结论:被测太阳电池的填充因子小是串、并联电阻造成的,而不是扩散长度太短的缘故。
      关键词:
    •  
  • M. H. Brodsky, Amorphous Semiconductors, Springer-Verlag,Berlin, 1979, Chap. 10.[2]Y.Kuwano, S. Tsuda and M. Ohnishi, Jpn. J. Appl. Phys. 21(1982), 235.[3]M.Konagai, H. Miyamoto and K.Takahashi, ibid, 19(1980),1923.[4]徐乐,刘启一,电子科学学刊,6(1984), 247.[5]A. Catalano et al., 16th IEEE Photovoltaic Specialists Conf., San Diego, (1982).[6]A. R. Moore, J. Appl. Phys.,54(1983), 222.[7] Xu Le, D. K. Reinhard and M.G.Thompson, IEEE Trans. on ED, ED-29(1982), 1004.[7]R. C. Neville, Solar Energy Conversion: The Solar Cell,Elsevier Scientific Publishing Co. New York, 1978, p.37.[8]F.S.Sinencio and R. Williams, J. Appl. Phys., 54(1983), 2757.[9]R.S. Crandall, R. Williams and B. E. Tompkins, ibid, 50(1979),5506.[10]J.Beichler, W. Fuhs, H. Mell and H. M. Welsch, J. Non-Cryst.[11]Solids, 35/36 (1980), 587.
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出版历程
  • 收稿日期:  1984-04-16
  • 修回日期:  1985-05-20
  • 刊出日期:  1985-11-19

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