1997, 19(2): 214-216.
刊出日期：1997-03-19
关键词:
H-布尔函数; 密码特性; 构造和计数
本文是杨义先以前工作(1988)的继续,利用特征矩阵分析n元H-布尔函数的结构性质,求出了目前为止最好的计数下界。
1983, 5(2): 100-107.
刊出日期：1983-03-19
本文分析了圆波导中同心螺旋线内外的圆电波H○01、H◎01之间的耦合系数,指出了文献[1]关于H○01H○02模式变换器设计中的不妥之处。给出了较完整的设计公式。实验证实了本文的理论分析是正确的。在3237.5 GHz频率范围内,变换损耗低于0.6 dB,杂模(H○01)幅度低于15 dB,输入驻波比低于1.2。
1991, 13(5): 552-555.
刊出日期：1991-09-19
关键词:
微波元件; 模式变换器; 迴旋管
本文叙述了一种新型的开槽耦合型H01H0n 模式变换器的设计原理、制作技术以及在8mm波段的实测结果。它显示了宽带特性。在32-37GHz的频带内,输入驻波比低于1.1;变换损耗低于1dB;杂模H01幅度低于－15dB。
2001, 23(2): 203-207.
刊出日期：2001-02-19
分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上该文建立起了一个6H-SiC JFET的高温模型。模型中采用了SiC的两极电离杂质模型和Caughey-Thomas方程。在300-773K的温度范围内,模型的模拟结果和实验数据相符。
1989, 11(6): 656-660.
刊出日期：1989-11-19
将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiNx∶H膜在N2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
1982, 4(5): 293-299.
刊出日期：1982-09-19
本文所述的H○02波波型变换器由中心激励型H10H○02波波型变换器、H02波过渡器和H10波过渡器三部分组成。文中对上述有关部分分别列出了设计公式,给出了计算结果。在8mm波段实测的结果表明:这种变换器在 3238 GHz频带内,对H○01波的抑制在 30dB以上。
1979, 1(2): 85-89.
刊出日期：1979-04-19
本文应用将波导中不连续处的场幅度展开为正规波级数的方法,分析在传输H001波的圆波导中,同心金属圆环对H00n波的激励问题。导出了任意环数与任意环间距的普遍计算公式。初步的计算结果表明,圆环与圆孔相比较,圆环对H001波的高次波型激励幅度较小。环数愈多对H001波的高次波型激励幅度愈小,而对H001波的耦合可以很强。
1991, 13(1): 57-64.
刊出日期：1991-01-19
本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n -Si∶H/Bi2S3或SnO2--Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它们的量子效率和积分灵敏度。二者的量子效率为1-10,灵敏度为103-105A/lm。外场模型的实验表明,结构设计是正确的。
1994, 16(4): 345-351.
刊出日期：1994-07-19
本文详细讨论了二进制多h连续相位移频键控(CPFSK)信号的最小平方欧几里德距离(MSED),提出了决定MSED的信号隔离度的概念。为了获得最大的MSED,则应使信号隔离度Ns尽可能大,所以本文在理论上系统地推导了信号隔离度取最大值时所应满足的充分和必要条件。最后,本文还讨论并给出了2-h CPFSK信号的隔离度及其MSED的精确求解公式。
1985, 7(2): 108-113.
刊出日期：1985-03-19
测量夹心结构-Si∶H膜的瞬态响应谱时,发现无论是在低的正向偏压还是在低的反向偏压下,起始部分都出现不正常的尖形脉冲,它的幅度随光波长的增长而减小。零场瞬态谱的研究表明,这种不正常的非传输部分来源于结区,它的升降特点决定于光照时的空间电荷限制光电流。从光电流幅值与光吸收系数的关系式,我们发展了一种确定光学隙的方法。
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