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-Si∶H光电发射的漂移场模型

海宇涵 陈远星 臧宝翠

海宇涵, 陈远星, 臧宝翠. -Si∶H光电发射的漂移场模型[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(1): 57-64.
引用本文: 海宇涵, 陈远星, 臧宝翠. -Si∶H光电发射的漂移场模型[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(1): 57-64.
Hai Yuhan, Chen Yuanxin, Zhang Baochui. -Si:H PHOTOEMISSIVE MODEL WITH DRIFT ELECTRIC FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(1): 57-64.
Citation: Hai Yuhan, Chen Yuanxin, Zhang Baochui. -Si:H PHOTOEMISSIVE MODEL WITH DRIFT ELECTRIC FIELD[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(1): 57-64.

-Si∶H光电发射的漂移场模型

-Si:H PHOTOEMISSIVE MODEL WITH DRIFT ELECTRIC FIELD

  • 摘要: 本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n -Si∶H/Bi2S3或SnO2--Si∶H-Al∶Cs∶O。估算了它们的量子效率和积分灵敏度。二者的量子效率为1-10,灵敏度为103-105A/lm。外场模型的实验表明,结构设计是正确的。
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-10-09
  • 修回日期:  1990-06-14
  • 刊出日期:  1991-01-19

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