1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
关键词:
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
关键词:
天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
2019, 41(6): 1442-1449.
doi: 10.11999/JEIT180595
刊出日期：2019-06-01
针对半诚信的数据收集者对包含敏感属性(SA)数据收集和使用过程中可能造成隐私泄露问题，该文在传统模型中增加实时的数据领导者，并基于改进模型提出一个隐私保护的数据收集协议，确保无可信第三方假设前提下，数据收集者最大化数据效用只能建立在K匿名处理过的数据基础上。数据拥有者分布协作的方式参与协议流程，实现了准标识(QI)匿名化后SA的传输，降低了数据收集者通过QI关联准确SA值的概率，减弱内部标识揭露造成隐私泄露风险；通过树形编码结构将SA的编码值分为随机锚点和补偿距离两份份额，由K匿名形成的等价类成员选举获取两个数据领导者，分别对两份份额进行聚集和转发，解除唯一性的网络标识和SA值的关联，有效防止外部标识揭露造成的隐私泄露；建立符合该协议特性的形式化规则并对协议进行安全分析，证明了协议满足隐私保护需求。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输，提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE)，进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE，用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明，IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比，均表现出更强的纠错能力，另外，与GE方案相比，IGE可以更好的保护正确字节，有效的减少信息浪费。
2000, 22(3): 509-512.
刊出日期：2000-05-19
关键词:
半群; 密钥分享; 密码学
如何将密钥信息分配给n个被授权的单位(记为：S1, S2, , Sn), 每一个被授权单位Si(#em/em#=1, 2, , n)有qi个被授权人, 使得每一个被授权人所得到的密钥信息与该授权人所在的单位的任何其他被授权人所得到的密钥信息是一致的, 而任意K个被授权人所得到的密钥信息, 若至少包含每一个被授权单位中的至少一个被授权人的密钥信息时, 能够恢复完整的密钥信息, 其他情形时, 无法完全恢复密钥信息, 这种需要经常会遇到. 本文利用代数半群理论, 绐出了一种能实现这种密钥分享的方案.
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
关键词:
电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
2023, 45(6): 2089-2097.
doi: 10.11999/JEIT220627
刊出日期：2023-06-10
量子成像(QI)具有抗侦察、抗干扰和高分辨力等特性，是量子光学领域重要的研究方向。为了解决实际量子成像过程中因环境光引起符合计数值异常所导致成像质量下降的问题，该文提出一种基于符合计数滤波优化的光量子成像方法。首先，对原始的符合计数值进行3层离散小波变换(DWT)得到相应的小波系数；然后，对小波系数中的高频成分进行高斯滤波去噪，并通过小波逆变换得到去噪后的符合计数值；最后，基于该符合计数值，利用线性映射方法实现对目标的量子成像。该文通过仿真分析了图像像素数、单像素曝光时间和符合门宽值对成像结果的影响，并搭建了实际的量子成像光路来验证仿真结果的有效性。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
2021, 43(12): 3749-3757.
doi: 10.11999/JEIT200740
刊出日期：2021-12-21
在分布式存储系统中，当节点发生故障时局部修复码(LRC)可以通过访问少量其他节点来恢复数据，然而LRC的局部度不尽相同，该文构造了短码长且局部度较小的四元LRC。当码长不超过20，最小距离大于2时，若四元距离最优线性码的生成阵维数不超过校验阵维数，可利用其生成阵给出LRC，否则利用其校验阵给出LRC。对已构造的LRC的生成阵或校验阵，利用删除、并置等方法得到新矩阵，从而构造出190个码长$n \le 20$ ，最小距离$d \ge 2$ 的LRC。除12个LRC外，其他LRC是局部度最优的。
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