1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
2007, 29(10): 2508-2511.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2006.00310
刊出日期：2007-10-19
论文研究了新近提出的Liu混沌系统(2004)的模糊反馈同步方法。Liu混沌系统结构不同于以往的连续混沌系统，本文基于T-S(Takagi-Sugeno)模糊模型重构了Liu混沌系统；然后用Lyapunov理论和反馈同步的思想推导了两个重构的Liu系统同步的稳定性条件，并给出了误差系统以衰减率全局渐近稳定的充分条件；最后基于LMI方法进行了仿真实验。良好的仿真结果验证了本文算法的有效性和快速性。
2017, 39(3): 743-748.
doi: 10.11999/JEIT160300
刊出日期：2017-03-19
微支付交易具有交易量极大且单次交易额极小的特点，使得复杂的认证协议不适用于微支付。Micali等人(2002)提出的基于概率选择微支付方案，把微支付聚合成宏支付，大幅提高了微支付的效率。Liu-Yan在(2013)提出了保证所有参与者的数据融入概率选择结果的生成, 而且使得所有参与者可以验证结果的公平性。然而，Liu-Yan方案中银行可能获得额外利益，从而破坏了协议的公平性。该文首先分析了Liu-Yan方案的安全威胁，并且以1个用户-1个商家的模型代替Liu-Yan方案中大量用户-1个商家的模型，以数据承诺技术为基础保障结果的公平性与可验证性。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
关键词:
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
2012, 34(12): 2881-2884.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2012.00804
刊出日期：2012-12-19
该文推广了Liu Fang等人(2010)给出的周期为pn, p为奇素数，n为正整数的广义分圆序列的构造，并确定了新构造序列的线性复杂度和自相关函数值的分布。结果表明，推广的构造保持了原构造的高线性复杂度等伪随机特性。由于取值更灵活，较之原构造新构造序列的数量要大得多。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
关键词:
天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
2009, 31(7): 1732-1735.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00928
刊出日期：2009-07-19
关键词:
环签名;密码分析;可转换性
通过对Zhang-Liu-He (2006)，Gan-Chen (2004)和Wang-Zhang-Ma (2007)提出的可转换环签名方案进行分析，指出了这几个可转换环签名方案存在可转换性攻击或不可否认性攻击，即，环中的任何成员都能宣称自己是实际签名者或冒充别的成员进行环签名。为防范这两种攻击，对这几个可转换环签名方案进行了改进，改进后的方案满足可转换环签名的安全性要求。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输，提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE)，进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE，用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明，IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比，均表现出更强的纠错能力，另外，与GE方案相比，IGE可以更好的保护正确字节，有效的减少信息浪费。
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
关键词:
电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
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