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Zn在Ge中扩散的研究
张桂成
1987, 9(3): 264-268.  刊出日期:1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
p型Si1-xGex应变层中重掺杂禁带窄变的计算
吴文刚, 张万荣, 江德生, 罗晋生
1996, 18(6): 638-643.  刊出日期:1996-11-19
关键词: 锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2~31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
一种通用的时间数字转换器码密度校准信号产生方法及其实现
李海涛, 李斌康, 田耕, 阮林波, 赵前, 吕宗璟
2021, 43(8): 2121-2127. doi: 10.11999/JEIT200769  刊出日期:2021-08-10
关键词: 时间数字转换器, 码密度校准, 相干采样, TDC主时钟, 校准信号
该文提出一种通用的时间数字转换器(TDC)码密度校准信号产生方法,该方法基于相干采样理论,通过合理设置TDC主时钟和校准信号之间的频率差,结合输出信号保持电路,产生校准用的随机信号,在码密度校准过程中,随机信号均匀分布在TDC的延时路径上,实现对TDC的bin-by-bin校准。基于Xilinx公司的28 nm工艺的Kintex-7 现场可编程门阵列(FPGA)内部的进位链实现一种plain TDC,利用该方法校准plain TDC的码宽(抽头延迟时间),研究校准了2抽头方式下的TDC的性能参数,时间分辨率(对应TDC的最低有效位,Least Significant Bit, LSB)为24.9 ps,微分非线性为(–0.84~3.1)LSB,积分非线性为(–5.0~2.2)LSB。文中所述的校准方法采用时钟逻辑资源实现,多次测试考核结果表明,单个延时单元的标准差优于0.5 ps。该校准方法采用时钟逻辑资源代替组合逻辑资源,重复性、稳定性较好,实现了对plain TDC的高精度自动校准。该方法同样适用于其他类型的TDC的码密度校准。
覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合
郑京亮, 杨弃疾
1989, 11(4): 410-415.  刊出日期:1989-07-19
关键词: 天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
一种用于T-DMB系统IP业务传输的GSE-FEC方案
李立, 刘元安, 刘凯明, 刘炀, 程飞
2009, 31(5): 1233-1236. doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108  刊出日期:2009-05-19
关键词: 地面数字多媒体广播;通用流封装;RS码;带擦除译码;循环冗余校验
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输,提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE),进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE,用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明,IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比,均表现出更强的纠错能力,另外,与GE方案相比,IGE可以更好的保护正确字节,有效的减少信息浪费。
带铁心任意形状偏转器磁场的计算
谢志行, 林文彬, 沈庆垓
1990, 12(2): 169-178.  刊出日期:1990-03-19
关键词: 电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
张桂成,
1989, 11(3): 333-336.  刊出日期:1989-05-19
关键词: 发光管; GaAlAs/GaAs双异质结; 深能级
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
短码长四元最优局部修复码的构造
李瑞虎, 展秀珍, 付强, 张茂, 郑尤良
2021, 43(12): 3749-3757. doi: 10.11999/JEIT200740  刊出日期:2021-12-21
关键词: 最优码, 局部修复码, 生成阵, 校验阵
在分布式存储系统中,当节点发生故障时局部修复码(LRC)可以通过访问少量其他节点来恢复数据,然而LRC的局部度不尽相同,该文构造了短码长且局部度较小的四元LRC。当码长不超过20,最小距离大于2时,若四元距离最优线性码的生成阵维数不超过校验阵维数,可利用其生成阵给出LRC,否则利用其校验阵给出LRC。对已构造的LRC的生成阵或校验阵,利用删除、并置等方法得到新矩阵,从而构造出190个码长$n \le 20$,最小距离$d \ge 2$的LRC。除12个LRC外,其他LRC是局部度最优的。
Lai-Massey结构平均差分概率和平均线性链概率的上界估计
凡如亚, 金晨辉, 崔霆
2018, 40(12): 2986-2991. doi: 10.11999/JEIT180196  刊出日期:2018-12-01
关键词: 密码学, Lai-Massey 结构, 差分分析, 线性分析, 可证明安全, 正型置换
Lai-Massey结构是由IDEA算法发展而来的一个分组密码结构,FOX系列密码算法是该密码结构的代表。该文从差分概率关于独立等概轮密钥的平均概率上界和给定起点和终点的线性链的平均概率上界两个角度出发,研究Lai-Massey 结构的差分和线性可证明安全性。该文证明了2轮Lai-Massey结构的非平凡差分对应关于独立等概的轮密钥的平均概率 $ \le p{}_{\max }$ ;证明了当Lai-Massey 结构的F函数是正型置换时,轮数 $r \ge 3$ 的非平凡差分对应关于独立等概的轮密钥的平均概率 $ \le p_{\max }^2$ 。针对给定起点和终点的线性链的平均概率上界,该文也获得了类似的结论。
基于模2pm的欧拉商的二元序列的线性复杂度
杜小妮, 李丽, 张福军
2019, 41(12): 3000-3005. doi: 10.11999/JEIT190071  刊出日期:2019-12-01
关键词: 有限域, 二元序列, 欧拉商, 线性复杂度, 极小多项式
基于欧拉商模奇素数幂构造的伪随机序列均具有良好的密码学性质。该文根据剩余类环理论,利用模$2{p^m}$($p$为奇素数,整数$m \ge 1$)的欧拉商构造了一类周期为$2{p^{m + 1}}$的二元序列,并在${2^{p - 1}}\not \equiv 1 ({od}\,{p^2})$的条件下借助有限域${F_2}$上确定多项式根的方法,给出了序列的线性复杂度。结果表明,序列的线性复杂度取值为$2({p^{m + 1}} - p)$$2({p^{m + 1}} - 1)$不小于其周期的1/2,能够抵抗Berlekamp-Massey(B-M)算法的攻击,是密码学意义上性质良好的伪随机序列。
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