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1982年 第4卷 第6期
1982, 4(6): 325-330.
摘要:
以往国内外采用种种锁相方法,而直接控制体效应振荡器偏压的锁相法则被认为是不切实际的方法。本文作者在实验上成功地克服了文献[1]所提出的困难,运用直接控制体效应振荡器偏压的方法实现了8mm(35GHz)锁相标准频率源和8mm固定中频锁相跟踪系统,本文分析了这种新的锁相方法所具有的独特优越性并给出了实验结果。
以往国内外采用种种锁相方法,而直接控制体效应振荡器偏压的锁相法则被认为是不切实际的方法。本文作者在实验上成功地克服了文献[1]所提出的困难,运用直接控制体效应振荡器偏压的方法实现了8mm(35GHz)锁相标准频率源和8mm固定中频锁相跟踪系统,本文分析了这种新的锁相方法所具有的独特优越性并给出了实验结果。
1982, 4(6): 331-336.
摘要:
本文提出了短背射天线的一种分析方法,它较好地解释了背射天线的工作原理。按此分析方法研制的短背射天线的增益比普通短背射天线的约高2.5dB。
本文提出了短背射天线的一种分析方法,它较好地解释了背射天线的工作原理。按此分析方法研制的短背射天线的增益比普通短背射天线的约高2.5dB。
1982, 4(6): 337-345.
摘要:
硅整流器过电压损坏事故常有发生，因此本文介绍的过电压保护对国民经济有一定的价值.本文叙述了硅整流器过电压的起因和防止方法.本文还介绍了新型浪涌吸收器用压敏电阻的选择方法.本文所介绍的保护措施也适用于其他半导体装置.
硅整流器过电压损坏事故常有发生，因此本文介绍的过电压保护对国民经济有一定的价值.本文叙述了硅整流器过电压的起因和防止方法.本文还介绍了新型浪涌吸收器用压敏电阻的选择方法.本文所介绍的保护措施也适用于其他半导体装置.
1982, 4(6): 346-353.
摘要:
VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一些作者报道MOS器件有负阻击穿效应,而这种负阻击穿效应也会引起二次击穿,导致器件烧毁。我们在测量自制的VVMOS晶体管时,也观察到了负阻击穿,经过研究,提出了纵向寄生npn双极晶体管的VVMOS晶体管负阻击穿模型,在此基础上还提出了几种抑制负阻击穿效应的方法,在采用了这些方法后,负阻击穿效应被减弱,甚至被消除,从而证实了所提出的VVMOS晶体管负阻击穿模型。
VVMOS晶体管是一种开有V形槽的垂直沟道高频功率MOS场效应器件,它的一个主要优点是与其它MOS器件一样不会发生二次击穿,然而近来一些作者报道MOS器件有负阻击穿效应,而这种负阻击穿效应也会引起二次击穿,导致器件烧毁。我们在测量自制的VVMOS晶体管时,也观察到了负阻击穿,经过研究,提出了纵向寄生npn双极晶体管的VVMOS晶体管负阻击穿模型,在此基础上还提出了几种抑制负阻击穿效应的方法,在采用了这些方法后,负阻击穿效应被减弱,甚至被消除,从而证实了所提出的VVMOS晶体管负阻击穿模型。
1982, 4(6): 354-364.
摘要:
本文提出了设计宽带速调管滤波器型输出回路的新的设计标准和相应的设计方法,由此可以求得符合速调管设计要求,并具有最大阻抗频带特性的输出段。本文还从等效电路出发,直接计算间隙作用阻抗,并求得输出回路各参数对阻抗-频带特性的影响,根据计算曲线,调整输出回路参数,可在实际研制工作中求得最佳结果。
本文提出了设计宽带速调管滤波器型输出回路的新的设计标准和相应的设计方法,由此可以求得符合速调管设计要求,并具有最大阻抗频带特性的输出段。本文还从等效电路出发,直接计算间隙作用阻抗,并求得输出回路各参数对阻抗-频带特性的影响,根据计算曲线,调整输出回路参数,可在实际研制工作中求得最佳结果。
1982, 4(6): 365-371.
摘要:
本文对几种不同类型的迴旋谐振脉塞振荡器的电动力学系统、工作原理、性能进行了分析比较。表明:外激励迴旋谐振脉塞双腔同步振荡器和具有外反馈的迴旋谐振脉塞双腔振荡器是比较理想的大功率毫米波和亚毫米波振荡器。
本文对几种不同类型的迴旋谐振脉塞振荡器的电动力学系统、工作原理、性能进行了分析比较。表明:外激励迴旋谐振脉塞双腔同步振荡器和具有外反馈的迴旋谐振脉塞双腔振荡器是比较理想的大功率毫米波和亚毫米波振荡器。
1982, 4(6): 372-383.
摘要:
塞普帖透镜作为低球差静电透镜,经实践证明是一种比较理想的结构。本文提供的在不同几何尺寸和电极电压下的计算结果,可供不同场合下选择使用的依据。
塞普帖透镜作为低球差静电透镜,经实践证明是一种比较理想的结构。本文提供的在不同几何尺寸和电极电压下的计算结果,可供不同场合下选择使用的依据。
1982, 4(6): 384-389.
摘要:
本文介绍了一种借助线路技术快速测定热阴极的脉冲拐点发射的方法。这一方法可避免测试对阴极的损伤,可提高测量的准确性,可用于比较不同热阴极的发射水平和监测寿命试验过程中阴极活性的变化。本文还叙述了热阴极脉冲拐点发射快速测量的原理,实现了拐点在伏安特性曲线上的自动显示,给出了鉴定拐点真实性的方法,并讨论了仪器的测量误差,通过对各种实用热阴极的大量测试表明,该仪器是有实用意义的。
本文介绍了一种借助线路技术快速测定热阴极的脉冲拐点发射的方法。这一方法可避免测试对阴极的损伤,可提高测量的准确性,可用于比较不同热阴极的发射水平和监测寿命试验过程中阴极活性的变化。本文还叙述了热阴极脉冲拐点发射快速测量的原理,实现了拐点在伏安特性曲线上的自动显示,给出了鉴定拐点真实性的方法,并讨论了仪器的测量误差,通过对各种实用热阴极的大量测试表明,该仪器是有实用意义的。
1982, 4(6): 390-392.
摘要:
正 (一)引言 超导现象早在1911年就发现了,但作为一门新技术应用于不同领域,还只是本世纪60年代以后的事情。但是超导技术在最近十几年内的发展是迅速的。超导体在许多科学领域,特别是在托克马克聚变动力堆和超导输电等电工、电子技术方面已经或将得到应用。因此,超导技术近年来得到各国科学工作者的广泛重视。 临界温度是超导体重要性能之一。关于高温超导体的临界温度的变化规律,已有不
正 (一)引言 超导现象早在1911年就发现了,但作为一门新技术应用于不同领域,还只是本世纪60年代以后的事情。但是超导技术在最近十几年内的发展是迅速的。超导体在许多科学领域,特别是在托克马克聚变动力堆和超导输电等电工、电子技术方面已经或将得到应用。因此,超导技术近年来得到各国科学工作者的广泛重视。 临界温度是超导体重要性能之一。关于高温超导体的临界温度的变化规律,已有不
1982, 4(6): 393-396.
摘要:
正 随着迴旋管研制工作的进展,目前在毫米波和亚毫米波段迴旋管输出功率要比普通微波管高12个数量级。因此迴旋管对其输出窗提出了更高的要求,即:(1)具有较宽的带宽,以减小对不同模式波的反射,(2)具有高的功率容量,使高频损耗、电子轰击、二次电子倍增效应等都不致导致损坏。蓝宝石作输出窗,其性能远好于氧化铝和氧化铍。按文献[4]的公式我们作过粗略计算,在窗结构、工作频率、匹配状态等都相同的情况下
正 随着迴旋管研制工作的进展,目前在毫米波和亚毫米波段迴旋管输出功率要比普通微波管高12个数量级。因此迴旋管对其输出窗提出了更高的要求,即:(1)具有较宽的带宽,以减小对不同模式波的反射,(2)具有高的功率容量,使高频损耗、电子轰击、二次电子倍增效应等都不致导致损坏。蓝宝石作输出窗,其性能远好于氧化铝和氧化铍。按文献[4]的公式我们作过粗略计算,在窗结构、工作频率、匹配状态等都相同的情况下
