1980, 2(4): 187-190.
刊出日期：1980-10-19
本文讨论了15W氩离子激光器结构的设计基础。并在一个分段石墨结构的氩放电管中,采用4mm的放电孔径,在60A的放电电流下,获得了15W左右的激光功率输出。
1992, 14(1): 96-100.
刊出日期：1992-01-19
本文介绍利用WT57 GaAs体效应管研制的W波段宽带机械调谐振荡器。连续调谐范围为75110GHz。在带宽为10--15GHz的中心频段,可输出大于10mW的功率。并对振荡器的偏压电子调谐特性进行了实验研究。
1997, 19(2): 214-216.
刊出日期：1997-03-19
关键词:
H-布尔函数; 密码特性; 构造和计数
本文是杨义先以前工作(1988)的继续,利用特征矩阵分析n元H-布尔函数的结构性质,求出了目前为止最好的计数下界。
1983, 5(2): 100-107.
刊出日期：1983-03-19
本文分析了圆波导中同心螺旋线内外的圆电波H○01、H◎01之间的耦合系数,指出了文献[1]关于H○01H○02模式变换器设计中的不妥之处。给出了较完整的设计公式。实验证实了本文的理论分析是正确的。在3237.5 GHz频率范围内,变换损耗低于0.6 dB,杂模(H○01)幅度低于15 dB,输入驻波比低于1.2。
1991, 13(5): 552-555.
刊出日期：1991-09-19
关键词:
微波元件; 模式变换器; 迴旋管
本文叙述了一种新型的开槽耦合型H01H0n 模式变换器的设计原理、制作技术以及在8mm波段的实测结果。它显示了宽带特性。在32-37GHz的频带内,输入驻波比低于1.1;变换损耗低于1dB;杂模H01幅度低于－15dB。
2001, 23(2): 203-207.
刊出日期：2001-02-19
分析和模拟了SiC JFET在高温下出现的栅电流。模拟结果反映出在温度高于700K以后栅电流对SiC JFET的影响将越来越显著,在此基础上该文建立起了一个6H-SiC JFET的高温模型。模型中采用了SiC的两极电离杂质模型和Caughey-Thomas方程。在300-773K的温度范围内,模型的模拟结果和实验数据相符。
1989, 11(6): 656-660.
刊出日期：1989-11-19
将PECVD方法制备的多层a-Si∶H/a-SiNx∶H膜在N2气氛中进行不同温度的退火处理后,利用红外吸收谱、核反应方法,次级离子质谱(SIMS)和透射电镜(TEM)对膜中氢从表面渗出及其与温度的依赖关系进行了测试和分析。最后对氢的外扩散现象提出了几种可能的简单解释。
2001, 23(12): 1384-1389.
刊出日期：2001-12-19
关键词:
W-CDMA; 性能分析; 功率控制
功率控制是码分多址(CDMA)移动通信系统中克服远近效应问题,减小小区间干扰,提高系统容量的有效方法,同时。功率控制可以使W-CDMA系统中的不同业务达到不同的服务质量要求。但在衰落环境中,功率控制很难做到完善。在这篇文章中,作者模拟了W-CDMA系统在衰落环境中功率控制步长的选取对功率控制补偿无线信道衰落的影响,分析了功率控制对W-CDMA系统性能的影响,给出了数字计算结果,这些结果有利于进行W-CDMA系统设计。
2018, 40(5): 1266-1270.
doi: 10.11999/JEIT170461
刊出日期：2018-05-19
该文介绍了中国科学院电子学研究所研制的一套高分辨率W波段SAR系统，对系统的指标、组成、实现方案以及数据处理方法进行了描述，提出了非线性系统误差校正、高精度运动补偿、高隔离度收发系统设计等关键问题的解决方案。通过机载飞行实验，验证了W波段SAR系统的有效性。
1982, 4(5): 293-299.
刊出日期：1982-09-19
本文所述的H○02波波型变换器由中心激励型H10H○02波波型变换器、H02波过渡器和H10波过渡器三部分组成。文中对上述有关部分分别列出了设计公式,给出了计算结果。在8mm波段实测的结果表明:这种变换器在 3238 GHz频带内,对H○01波的抑制在 30dB以上。
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