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1990年 第12卷 第4期
1990, 12(4): 337-343.
摘要:
线性八元树提供一种非常紧凑并适于传统客体处理运算的三维客体体积表示法。然而,利用体积交技术由正交三轮廓图生成三维客体的线性八元树表示取决于观察点。匹配客体到模型达到识别目的需要客体表示独立于观察点。为了得到独立于观察点的表示,应通过计算惯量矩阵的特征向量确定客体的三个主轴。线性八元树投影到三个主视(沿着主轴)的图象平面上得到三个标准线性四元树。客体匹配包括两步过程:第一步是利用对称差的度鞋匹配待识别客体的标准线性四元树到库中一模型子集;第二步是生成客体和这些候选模型的标准线八元树,然后匹配待识别客体的标准线性八元树到具有最小对称差的模型。
线性八元树提供一种非常紧凑并适于传统客体处理运算的三维客体体积表示法。然而,利用体积交技术由正交三轮廓图生成三维客体的线性八元树表示取决于观察点。匹配客体到模型达到识别目的需要客体表示独立于观察点。为了得到独立于观察点的表示,应通过计算惯量矩阵的特征向量确定客体的三个主轴。线性八元树投影到三个主视(沿着主轴)的图象平面上得到三个标准线性四元树。客体匹配包括两步过程:第一步是利用对称差的度鞋匹配待识别客体的标准线性四元树到库中一模型子集;第二步是生成客体和这些候选模型的标准线八元树,然后匹配待识别客体的标准线性八元树到具有最小对称差的模型。
1990, 12(4): 344-351.
摘要:
本文从一维到多维的下标变换出发,得到了一种通用顺序,即位素因子FFT算法。与现在的素因子FFT算法相比较,这种算法不仅节省了约一半内存,而且有更高的计算效率。此外,这种算法能很方便地将逆变换也包括在同一程序内。
本文从一维到多维的下标变换出发,得到了一种通用顺序,即位素因子FFT算法。与现在的素因子FFT算法相比较,这种算法不仅节省了约一半内存,而且有更高的计算效率。此外,这种算法能很方便地将逆变换也包括在同一程序内。
1990, 12(4): 352-360.
摘要:
本文提出了一种多端口无耗网络的广义测量方程。对二端口情况,即梁昌洪等(1988)提出的三角方程。并以H面T三端口情况为例进行了测量,给出了实验结果。
本文提出了一种多端口无耗网络的广义测量方程。对二端口情况,即梁昌洪等(1988)提出的三角方程。并以H面T三端口情况为例进行了测量,给出了实验结果。
1990, 12(4): 361-368.
摘要:
本文用几何光学法计算反射器天线的镜面场,用等效电磁流法(根据物理绕射论与与电流线积分公式导出)计算边缘的绕射场,得到了任意旋转反射器天线在任意极化平面波入射下的单站雷达截面积(RCS)的计算公式,并给出了一些典型的数值计算结果及相应的立体RCS图。在水平和垂直极化入射下,本文理论值与已有的实验结果以及与一致性绕射理论的结果吻合较好。
本文用几何光学法计算反射器天线的镜面场,用等效电磁流法(根据物理绕射论与与电流线积分公式导出)计算边缘的绕射场,得到了任意旋转反射器天线在任意极化平面波入射下的单站雷达截面积(RCS)的计算公式,并给出了一些典型的数值计算结果及相应的立体RCS图。在水平和垂直极化入射下,本文理论值与已有的实验结果以及与一致性绕射理论的结果吻合较好。
1990, 12(4): 369-377.
摘要:
本文提出了计算任意形状导体表面上感应电流分布的一种新的电流模型节点单元电流模型。这种模型摆脱了在建立电流模型时传统理论模式的局限,显著地减少了计算电流分布所需未知量的个数。文中还给出了利用这种模型计算一些典型问题的结果,它们和用其它方法(包括严格解)得到的结果非常一致。
本文提出了计算任意形状导体表面上感应电流分布的一种新的电流模型节点单元电流模型。这种模型摆脱了在建立电流模型时传统理论模式的局限,显著地减少了计算电流分布所需未知量的个数。文中还给出了利用这种模型计算一些典型问题的结果,它们和用其它方法(包括严格解)得到的结果非常一致。
1990, 12(4): 378-384.
摘要:
本文用改进的微扰法分析了毫米波介质栅漏波天线的辐射特性。文中通过横向谐振法确定漏波天线的相位常数,而漏波常数的计算归结为对有源传输线方程的求解。所得数据和用场匹配方法得到的精确值进行了比较,结果表明,本文方法在保持相同精度的情况下,简化了分析和计算过程。
本文用改进的微扰法分析了毫米波介质栅漏波天线的辐射特性。文中通过横向谐振法确定漏波天线的相位常数,而漏波常数的计算归结为对有源传输线方程的求解。所得数据和用场匹配方法得到的精确值进行了比较,结果表明,本文方法在保持相同精度的情况下,简化了分析和计算过程。
1990, 12(4): 385-392.
摘要:
本文结合关于介质谐振器与微带线之间耦合的等效集总参数分析、S参量分析和作者过去所作的有关电磁场分析,形成了一个系统。实验表明,本文关于耦合的计算精度较高。本文还对光控介质谐振器振荡器以及金属盒子的尺寸进行了探讨。
本文结合关于介质谐振器与微带线之间耦合的等效集总参数分析、S参量分析和作者过去所作的有关电磁场分析,形成了一个系统。实验表明,本文关于耦合的计算精度较高。本文还对光控介质谐振器振荡器以及金属盒子的尺寸进行了探讨。
1990, 12(4): 393-401.
摘要:
本文给出一种求解非均匀填充波导截止频率的新方法,称为网络模型分解法。文中首先利用区域剖分和电磁场的微分形式理论建立了该问题的拓扑填型及其相应的网络模型,然后利用电路理论中的网络分解节点分析法建立了计算非均匀填充波导截止频率的一般算法。最后将该算法应用于若干典型实例,验证了方法的可行性和有效性。
本文给出一种求解非均匀填充波导截止频率的新方法,称为网络模型分解法。文中首先利用区域剖分和电磁场的微分形式理论建立了该问题的拓扑填型及其相应的网络模型,然后利用电路理论中的网络分解节点分析法建立了计算非均匀填充波导截止频率的一般算法。最后将该算法应用于若干典型实例,验证了方法的可行性和有效性。
1990, 12(4): 402-414.
摘要:
本文讨论了透镜和偏转器在电子束系统中不对中装配造成的电子光学性质影响的数值计算问题,包括推导出不对中的透镜和偏转器在系统中的电磁场表示式,电子轨迹方程及象差积分式等。根据这些公式所编制的计算机程序已用来计算了若干个实例,从中可见不对中误差效应的数值计算对于设计和装配电子束聚焦偏转系统起到指导性的作用。
本文讨论了透镜和偏转器在电子束系统中不对中装配造成的电子光学性质影响的数值计算问题,包括推导出不对中的透镜和偏转器在系统中的电磁场表示式,电子轨迹方程及象差积分式等。根据这些公式所编制的计算机程序已用来计算了若干个实例,从中可见不对中误差效应的数值计算对于设计和装配电子束聚焦偏转系统起到指导性的作用。
1990, 12(4): 415-417.
摘要:
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
1990, 12(4): 418-423.
摘要:
本文报道了复铼膜扩散阴极的发射和表面特性的研究结果,并与S-型阴极进行了比较。实验结果表明:S-型阴极复铼膜后,其热电子发射明显提高,且分布均匀。月极表面上主要元素的俄歇像显示Ba在复铼膜阴极表面上的分布要比在S-型阴极表面上均匀得多,Ba的低能Auger谱和XPS的研究表明:与S-型阴极相比Ba在复铼膜阴极表面上呈现更强的金属特性。这可能是S-型阴极复铼膜后发射增大的主要原因。
本文报道了复铼膜扩散阴极的发射和表面特性的研究结果,并与S-型阴极进行了比较。实验结果表明:S-型阴极复铼膜后,其热电子发射明显提高,且分布均匀。月极表面上主要元素的俄歇像显示Ba在复铼膜阴极表面上的分布要比在S-型阴极表面上均匀得多,Ba的低能Auger谱和XPS的研究表明:与S-型阴极相比Ba在复铼膜阴极表面上呈现更强的金属特性。这可能是S-型阴极复铼膜后发射增大的主要原因。
1990, 12(4): 424-430.
摘要:
本文通过引入一个参量伏安特性曲线的弧长,并吸取分段线性函数的绝对值函数表达法,建立了一种新的分段线性电阻网络的描述法和分析法。采用此法,可避免现有方法的诸多缺陷。
本文通过引入一个参量伏安特性曲线的弧长,并吸取分段线性函数的绝对值函数表达法,建立了一种新的分段线性电阻网络的描述法和分析法。采用此法,可避免现有方法的诸多缺陷。
1990, 12(4): 431-435.
摘要:
本文给出了一种新的图象纹理分析法快速特征滤波法。在Ade特征滤波法基础上,本文应用实对称矩阵特征值表示特征向量相对于该矩阵的分布性质,以及卷积结合律,最终导出了快速特征滤波器。使Ade的特征滤波法中的nn个滤波器在快速特征滤波法中变为一个滤波器,从而增快了计算速度和减少了存贮空间。
本文给出了一种新的图象纹理分析法快速特征滤波法。在Ade特征滤波法基础上,本文应用实对称矩阵特征值表示特征向量相对于该矩阵的分布性质,以及卷积结合律,最终导出了快速特征滤波器。使Ade的特征滤波法中的nn个滤波器在快速特征滤波法中变为一个滤波器,从而增快了计算速度和减少了存贮空间。
1990, 12(4): 436-439.
摘要:
(n,F,k)系统由n个单元组成,当且仅当大于F个单元发生故障,或者k个或k个以上相邻单元发生故障,则系统失效本文提出了(n,F,k)系统可靠性的一般计算公式,并给出该系统可靠性的上下界。
(n,F,k)系统由n个单元组成,当且仅当大于F个单元发生故障,或者k个或k个以上相邻单元发生故障,则系统失效本文提出了(n,F,k)系统可靠性的一般计算公式,并给出该系统可靠性的上下界。
1990, 12(4): 440-445.
摘要:
本文利用矩形谐振腔中的教扰公式结合准静态近似,导出了矩形波导中小导体异物的等效串联电抗和并联电纳。求出了反射系数,传输相移及功率容量降低的表示式.这种表示式在试验中表明是适合的。
本文利用矩形谐振腔中的教扰公式结合准静态近似,导出了矩形波导中小导体异物的等效串联电抗和并联电纳。求出了反射系数,传输相移及功率容量降低的表示式.这种表示式在试验中表明是适合的。
1990, 12(4): 446-448.
摘要:
在光电阴极的制备及对光电阴极作表面分析中,铯离子源较中性铯源具有一定的优点。根据表面电离的原理,铯离子源使用了多孔钨、铯盐及其还原剂。本文介绍了铯离子源的制备,报告了实际测量结果。
在光电阴极的制备及对光电阴极作表面分析中,铯离子源较中性铯源具有一定的优点。根据表面电离的原理,铯离子源使用了多孔钨、铯盐及其还原剂。本文介绍了铯离子源的制备,报告了实际测量结果。
