超薄的金属/LB绝缘膜/半导体结构的CV和I-V特性
C-V AND I-V CHARACTERISTICS OF ULTRATHIN METAL/LB INSULATING FILMS/SEMICONDUCTOR STRUCTURE
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摘要: 本文研究了超薄的金属/LB绝缘膜/半导体(MLS)结构的C-V和I-V特性,理论分析与实验结果相一致,结论如下:(1)超薄MLS结构具有正常的C-V特性和I-V特性;(2)以LB薄膜作为绝缘层可调整肖特基器件势垒高度。
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关键词:
- LB绝缘薄膜; C-V特性; I-V特性
Abstract: C-V and I-V characteristics of ultratllin metal/LB insulating films/semiconductor structure are studied. Theoretical analysis are well in accord with experimental results. The results indicate that: (1) Ultrathin MLS structure has normal C-V and I-V characteristics; (2) It is possible to modify the barrier height of Schottky devices by using LB thin films as insulators. -
专集,日本科学与技术,2(1987), 1-72.[2]任云珠等,固体电子学研究与进展,6(1986)4, 337- 341.[3]舒占永等,采用Langmluir-Blodgett技术制备MOCVD-InP MIS结构,1988年全国LB膜学术讨论会文集,河南,开封. 期刊类型引用(5)
1. 刘继忠，郑恩涛，贺艳涛，付珊珊，赵鹏. 一种分块图像的BP压缩感知重构算法. 新疆大学学报(自然科学版). 2018(03): 340-347 . 
百度学术2. 葛永新，林梦然，洪明坚. 联合局部和全局稀疏表示的磁共振图像重建方法. 重庆大学学报. 2017(01): 93-102 . 百度学术3. 赵扬，汤敏. 基于不同全变差的医学图像压缩感知重构. 计算机工程与设计. 2017(09): 2443-2450+2463 . 百度学术4. 王锋，孙桂玲，张健平，何静飞. 基于压缩感知的加速前向后向匹配追踪算法. 电子与信息学报. 2016(10): 2538-2545 . 
本站查看5. 温海滨，毕笃彦，马时平，何林远. 消除阶梯效应与增强细节的变分Retinex红外图像增强算法. 光学学报. 2016(09): 130-139 . 百度学术其他类型引用(14)
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