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多孔钨铯离子源

赵守珍 周清 姜永丰

赵守珍, 周清, 姜永丰. 多孔钨铯离子源[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(4): 446-448.
引用本文: 赵守珍, 周清, 姜永丰. 多孔钨铯离子源[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(4): 446-448.
Zhao Shouzhen, Zhou Qing, Jiang Yongfeng. A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(4): 446-448.
Citation: Zhao Shouzhen, Zhou Qing, Jiang Yongfeng. A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(4): 446-448.

多孔钨铯离子源

A POROUS TUNGSTEN CESIUM ION SOURCE

  • 摘要: 在光电阴极的制备及对光电阴极作表面分析中,铯离子源较中性铯源具有一定的优点。根据表面电离的原理,铯离子源使用了多孔钨、铯盐及其还原剂。本文介绍了铯离子源的制备,报告了实际测量结果。
  • 张华顺,离子束源和大功率中性束源,原子能出版社,1987年,第二章,第五节.[2]吴兆皓,电子科学学刊,8(1986) 6,442-448.[3]D. L. Schaefer, Rev. Sci. Instrum., 41(1970)2,274-275.[4]赵守珍等,真空科学与技术,9(1989)3,203-204.[5]李昌全等,真空技术,5(1976)2,40-52.
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-07-25
  • 修回日期:  1900-01-01
  • 刊出日期:  1990-07-19

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