1990, 12(2): 179-186.
刊出日期：1990-03-19
用多晶X射线衍射方法,研究钪酸盐阴极发射材料在烧结过程中物理化学变化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3组成的发射材料中,在10001300℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系与CaO的混合物;在13001500℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系互溶生成热力学上的亚稳定态的Ba-Al-Sc-O固溶体。先形成组成约为5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,属正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成组成约为4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,属四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游离状态。
2006, 28(1): 151-153.
刊出日期：2006-01-19
关键词:
认证加密;签名;公开验证;机密性
该文对可转变认证加密进行了研究，指出了Wu-Hsu(2002)方案和Huang-Chang(2003)方案中存在的问题，分别给出了这两个方案的改进方案，很好地解决了认证加密方案的公开验证问题。
1986, 8(4): 309-315.
刊出日期：1986-07-19
正 一、引言 计算矩形同轴带状线的电容是相当困难的,迄今只见到尺寸满足一定条件时的近似解,尚未见到一般情况下的准确解。有关计算电容的已有近似公式大多是基于保角变换法导得的,例如,Tippet和Chang应用变换式t=sn2(mz,k)将Z平面上的O
1990, 12(6): 584-592.
刊出日期：1990-11-19
关键词:
正交变换; 离散哈脱莱变换; 分离基算法
Soo-Chang Pei,Ja-Ling wu(1986)和茅一民(1987)提出了长度为2m的分离基2/4哈脱莱变换算法。本文将分离基算法推广到长度为pm的哈脱莱变换,并证明基p2算法实乘次数比基p算法少,而基p/p2算法实乘次数比前两者都少。作为例子,给出了长度为N=3m的基3/9哈脱莱变换快速算法和流图。
2003, 25(1): 131-134.
刊出日期：2003-01-19
用XRD技术对浸渍Ba-W阴极所用的铝酸盐(6BaO:CaO:2Al2O3)结构进行了分析。结果表明俄罗斯和国内某单位的铝酸盐峰位较复杂,结构不单一。该文作者用新的配方,新的烧结方式生成了主峰为Ba5CaAl4O12的结构单一的铝酸盐,且烧结温度比传统烧结温度低200℃,单一结构的铝酸盐具有浸渍温度低、发射较好、性能稳定、蒸发少等特点,从而可望改善Ba-W阴极的性能。
1981, 3(2): 128-128.
刊出日期：1981-04-19
正 自1970年T.Y.Chang报道了光泵CH3F远红外激光器以来,至今已发现有几十种工作物质,可在远红外波段产生1000多条激光线。远红外激光器有广泛的应用,在等离子体诊断中,通过Thompson散射,可确定Tokamak中离子密度和温度;在半导体中,可用来确定载流子浓度和杂质浓度;作为标准波长,可构成频率链的一环;在军事上,远红外激光可用于亚毫米通讯;用远红外激光照射石英晶体,可产生频率为几THz的声子,在
2009, 31(1): 246-249.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2007.01234
刊出日期：2009-01-19
关键词:
群签名;伪造攻击;安全性分析
该文对王晓明等(2003)和林松等(2006)最近依据Tseng-Jan(1999)群签名方案各自提出的一种改进群签名设计了两种伪造攻击策略。利用该伪造攻击，攻击人不需要任何签名者的保密身份信息和秘密密钥信息，只是通过选取随机参数、改变原方案的部分设计步骤就能成功伪造出群成员证书，进而伪造出验证有效的群签名，从而威胁到群签名人的合法权益。该文的伪造攻击策略对Lee-Chang(1998)群签名、Tseng-Jan群签名及由其演化而来的所有群签名方案都具有效性，从而证明该类群签名方案全都是不安全的。
1987, 9(4): 348-358.
刊出日期：1987-07-19
各种铝酸盐钡钨阴极的发射物质中存在着2BaOCaOAl2O3和可利用氧化钡的共同成分。氧化钙的作用在于参予组成了2BaOCaOAl2O3相成分,稳定了可利用氧化钡。在掺氧化钪的发射物质5BaO3CaO2Al2O30.6Sc2O3中,氧化钪的作用则在于它和铝酸盐中的可利用氧化钡结合为2BaOSc2O3,成为电子发射源氧化钡或钡原子的载体,它起控制和补充发射源的作用。这个机理得到实验证实。
2014, 36(3): 754-757.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
刊出日期：2014-03-19
为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求，该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaO- Sc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线，并探讨了发射机制。结果表明，在1100C工作温度下，该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2；阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。
1987, 9(1): 42-51.
刊出日期：1987-01-19
利用俄歇能谱就地定性、定量地测量了浸渍钡钨阴极(4.56∶1.44∶2)的蒸发成分和速率。得到的主要结果是:(1)老炼初期和寿命初期蒸发率可相差半个量级,前者的蒸发能为4.34eV,而后者为4.58eV;(2)蒸发物成分随阴极温度不同而变化,高温激活时,氧化钡在蒸发物中的比例缓慢减少,但Ca的蒸发增加,1250℃时,约占3.5％,在工作温度范围内,90％左右为金属钡,氧化钡约占9.3％;(3)与50年代蒸发测量相比,AES法得到的BaO蒸发量少得多,但与热力学理论计算的结果一致;(4)与AES计量的5∶3∶2,4∶1∶1阴极相比,所研究的阴极(4.56∶1.44∶2)的Ca蒸发量少得多,这是该阴极的特点;(5)逸出功测量和AST曲线都表明,当吸附了约1.51014at./cm2的钡时,多晶钨表面已建立一个由吸附原子形成的均匀的屏蔽场。
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