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1990年 第12卷 第2期
1990, 12(2): 113-119.
摘要:
本文采用模式展开与散射叠加法推导出填充分段介质的矩形波导并矢格林函数。推导结果可直接推广至圆波导、椭圆波导等其他直波导情况。
本文采用模式展开与散射叠加法推导出填充分段介质的矩形波导并矢格林函数。推导结果可直接推广至圆波导、椭圆波导等其他直波导情况。
1990, 12(2): 120-127.
摘要:
本文用镜像法推导出加载矩形波导中的并矢格林函数。在具体计算中,由于应用积分变换以及将多重无穷求和化为单一无穷和,极大地简化了计算,节省了计算时间。作为并矢格林函数应用的例子,给出了位于加载波导宽边上的金属球散射场的矩量解.计算结果与实验和文献的结果吻合很好。这种方法还能推广到其它波导。
本文用镜像法推导出加载矩形波导中的并矢格林函数。在具体计算中,由于应用积分变换以及将多重无穷求和化为单一无穷和,极大地简化了计算,节省了计算时间。作为并矢格林函数应用的例子,给出了位于加载波导宽边上的金属球散射场的矩量解.计算结果与实验和文献的结果吻合很好。这种方法还能推广到其它波导。
1990, 12(2): 128-136.
摘要:
本文用时间步进法求解线天线的时域积分方程,计算分析了直线振子和V形振子的时域辐射特性。分析了馈源位置、加载大小对振子输入电流及远区辐射场的影响。对V形振子的长度及张角等参数作了优化,找到了获得前向辐射场强最大瞬时冲击值的结构参数,结果可供此类天线的设计参考。
本文用时间步进法求解线天线的时域积分方程,计算分析了直线振子和V形振子的时域辐射特性。分析了馈源位置、加载大小对振子输入电流及远区辐射场的影响。对V形振子的长度及张角等参数作了优化,找到了获得前向辐射场强最大瞬时冲击值的结构参数,结果可供此类天线的设计参考。
1990, 12(2): 137-145.
摘要:
本文导出了导电媒质在被其包围的球形空腔中的圆环天线内产生的输入阻抗的公式。描述了导电媒质中天线辐射性能的定义。导出了圆环天线的辐射电阻公式。数值计算结果表明所得的两个公式收敛迅速,一般只需取第一项或前两项之和即可。探讨了这些数值与空腔半径等参数之间的关系。
本文导出了导电媒质在被其包围的球形空腔中的圆环天线内产生的输入阻抗的公式。描述了导电媒质中天线辐射性能的定义。导出了圆环天线的辐射电阻公式。数值计算结果表明所得的两个公式收敛迅速,一般只需取第一项或前两项之和即可。探讨了这些数值与空腔半径等参数之间的关系。
1990, 12(2): 146-151.
摘要:
本文提出一种用逻辑对称轴的关系,解决N维布尔序集唯一相邻的逻辑路径问题。同时还给出一种限维内任一逻辑相邻子集的确定方法。其结果简单直观,适合于计算机实现。这种思想,对于二分树快速搜寻和二分树排序决策等,也具有一定意义。
本文提出一种用逻辑对称轴的关系,解决N维布尔序集唯一相邻的逻辑路径问题。同时还给出一种限维内任一逻辑相邻子集的确定方法。其结果简单直观,适合于计算机实现。这种思想,对于二分树快速搜寻和二分树排序决策等,也具有一定意义。
1990, 12(2): 152-160.
摘要:
本文应用回路阻抗矩阵的行列式和广义余因式导出一种分析线性反馈网络的新方法,深入系统地研究了网络函数,灵敏度、回归差、零回归差及其矩阵等,得到了规律性很强适合机辅分析的一系列公式。此法不局限于研究平面网络,特别适用于RLCM和流控电压源组成的受电压源激励的网络。
本文应用回路阻抗矩阵的行列式和广义余因式导出一种分析线性反馈网络的新方法,深入系统地研究了网络函数,灵敏度、回归差、零回归差及其矩阵等,得到了规律性很强适合机辅分析的一系列公式。此法不局限于研究平面网络,特别适用于RLCM和流控电压源组成的受电压源激励的网络。
1990, 12(2): 161-168.
摘要:
在变形电子束曝光机中,为使曝光均匀必须保证靶上束斑电流密度物边缘分辨率不随束斑形状和尺寸的变化而改变。实现这一目标的关键是正确设计成形偏转器。本文讨论采用高灵敏度平行板偏转器实现成形偏转时,为达到上述目标应进行的线性补偿和旋转补偿的设计计算方法。给出了用实验方法改变电子源象与偏转板几何中心的轴向距离所测得的线性补偿因子和旋转补偿因子的值。实验结果与计算值符合较好。
在变形电子束曝光机中,为使曝光均匀必须保证靶上束斑电流密度物边缘分辨率不随束斑形状和尺寸的变化而改变。实现这一目标的关键是正确设计成形偏转器。本文讨论采用高灵敏度平行板偏转器实现成形偏转时,为达到上述目标应进行的线性补偿和旋转补偿的设计计算方法。给出了用实验方法改变电子源象与偏转板几何中心的轴向距离所测得的线性补偿因子和旋转补偿因子的值。实验结果与计算值符合较好。
1990, 12(2): 169-178.
摘要:
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
1990, 12(2): 179-186.
摘要:
用多晶X射线衍射方法,研究钪酸盐阴极发射材料在烧结过程中物理化学变化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3组成的发射材料中,在10001300℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系与CaO的混合物;在13001500℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系互溶生成热力学上的亚稳定态的Ba-Al-Sc-O固溶体。先形成组成约为5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,属正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成组成约为4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,属四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游离状态。
用多晶X射线衍射方法,研究钪酸盐阴极发射材料在烧结过程中物理化学变化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3组成的发射材料中,在10001300℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系与CaO的混合物;在13001500℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系互溶生成热力学上的亚稳定态的Ba-Al-Sc-O固溶体。先形成组成约为5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,属正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成组成约为4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,属四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游离状态。
1990, 12(2): 187-191.
摘要:
本文根据电磁位差分方程组系数矩阵对角元素占优以及稀疏性的特点,将直接求解一维线性方程组的追赶法与迭代法相结合,发展了一种准直接法。该方法对计算机内存的要求小于直接法,而收敛速度快于连续超松驰迭代法,适用于计算各种静态电磁场的有限差分解。文中介绍了准直接法的基本原理与特点,并与连续超松弛方法进行了比较。
本文根据电磁位差分方程组系数矩阵对角元素占优以及稀疏性的特点,将直接求解一维线性方程组的追赶法与迭代法相结合,发展了一种准直接法。该方法对计算机内存的要求小于直接法,而收敛速度快于连续超松驰迭代法,适用于计算各种静态电磁场的有限差分解。文中介绍了准直接法的基本原理与特点,并与连续超松弛方法进行了比较。
1990, 12(2): 192-195.
摘要:
利用散射体的几何和物理特征,减少用矩量法求解散射场过程中所需要的存储量和计算时间,是当前具有理论和实际意义的重要课题。本文利用群论方法,给出了处理对称与反对称结构电磁散射问题的统一方法和理论依据。
利用散射体的几何和物理特征,减少用矩量法求解散射场过程中所需要的存储量和计算时间,是当前具有理论和实际意义的重要课题。本文利用群论方法,给出了处理对称与反对称结构电磁散射问题的统一方法和理论依据。
1990, 12(2): 196-198.
摘要:
本文提出一种求线性互易二端口网络输入反射系数圆的新的数值解法。这种方法的优点是:原理简单,上机运行时间短。所得结果与文献[2]、[4]的几乎完全相同。
本文提出一种求线性互易二端口网络输入反射系数圆的新的数值解法。这种方法的优点是:原理简单,上机运行时间短。所得结果与文献[2]、[4]的几乎完全相同。
1990, 12(2): 199-203.
摘要:
本文提出用实际的多端口网络来实现任意传递矩阵的简捷方法,即通过RC梯形网络和输入输出加法器进行状态反馈和状态交叉输出的实现方法。主要工作是确定各加法器系数。
本文提出用实际的多端口网络来实现任意传递矩阵的简捷方法,即通过RC梯形网络和输入输出加法器进行状态反馈和状态交叉输出的实现方法。主要工作是确定各加法器系数。
1990, 12(2): 204-207.
摘要:
本文提出一种适用于LSI/VLSI任意元胞布局的K行安置的算法。当矩形单元的拓朴位置确定后,每个单元有横放、竖放两个态共有2n个态。在K行安置时,从这2n个态中选出包络矩形面积最小的问题,可归结为求n个态中的包络矩形面积最小,所以是很有效的算法。可以和结群法混合使用;在一定条件下,还可以直接用于准BBL布局。
本文提出一种适用于LSI/VLSI任意元胞布局的K行安置的算法。当矩形单元的拓朴位置确定后,每个单元有横放、竖放两个态共有2n个态。在K行安置时,从这2n个态中选出包络矩形面积最小的问题,可归结为求n个态中的包络矩形面积最小,所以是很有效的算法。可以和结群法混合使用;在一定条件下,还可以直接用于准BBL布局。
1990, 12(2): 208-213.
摘要:
正向小注入下分析了p+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比Cp/Cn。
正向小注入下分析了p+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比Cp/Cn。
1990, 12(2): 214-218.
摘要:
本文研究了p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-Zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP边发光管的p面电极,器件的Rs4--6。
本文研究了p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-Zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP边发光管的p面电极,器件的Rs4--6。
1990, 12(2): 219-224.
摘要:
本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8A/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。
本文详细地介绍了在圆偏振光作用下,NEA GaAs表面发射目旋极化光电子的原理,及NEA GaAs表面的制备和装置。介绍了表面Cs-O激活的方法。在用此法激活的NEA GaAs(100)表面上可得到灵敏度为8A/mW,极化度约用35%以上的光电子束。发现清洁的GaAs表面覆盖以50%60%Cs单原子层时,光电子的发射出现第一个极大值,同时发现稳定的发射取决于铯吸附量。
