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变形电子束曝光机成形偏转器的设计和性能

康念坎 江钧基 吴伟 黄兰友 吴明均

康念坎, 江钧基, 吴伟, 黄兰友, 吴明均. 变形电子束曝光机成形偏转器的设计和性能[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(2): 161-168.
引用本文: 康念坎, 江钧基, 吴伟, 黄兰友, 吴明均. 变形电子束曝光机成形偏转器的设计和性能[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(2): 161-168.
Kang Niankan, Jiang Junji, Wu Wei, Huang Lanyou, Wu Mingjun. DESIGN AND PERFORMANCE OF SHAPING DEFLECTORS FOR VARIABLE SHAPED ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(2): 161-168.
Citation: Kang Niankan, Jiang Junji, Wu Wei, Huang Lanyou, Wu Mingjun. DESIGN AND PERFORMANCE OF SHAPING DEFLECTORS FOR VARIABLE SHAPED ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(2): 161-168.

变形电子束曝光机成形偏转器的设计和性能

DESIGN AND PERFORMANCE OF SHAPING DEFLECTORS FOR VARIABLE SHAPED ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

  • 摘要: 在变形电子束曝光机中,为使曝光均匀必须保证靶上束斑电流密度物边缘分辨率不随束斑形状和尺寸的变化而改变。实现这一目标的关键是正确设计成形偏转器。本文讨论采用高灵敏度平行板偏转器实现成形偏转时,为达到上述目标应进行的线性补偿和旋转补偿的设计计算方法。给出了用实验方法改变电子源象与偏转板几何中心的轴向距离所测得的线性补偿因子和旋转补偿因子的值。实验结果与计算值符合较好。
  • G .Cogswell et al., Proc.8th International Conference on Electron and Ion Beam science and Technology,1978,PP.117-133.[2]M. Fujinami et al., J.Vac.Sci.Technology, 19(1981),941-945.[3]R. D. Moore, et al., J.Vac.Sci.Technology, 19(1981), 950-952.[4]S. Moriya, et al., J.Vac.Sci.Technology, B1(1983),990-994.[5]K. Nakamura, et al., J.Vac.Sci.Technology, B3(1985),94-97.[6]H. K.King, et al., J.Vac. Sci. Technology, B3(1985),98-101.[7]E. de Chambost, et al., J.Vac.Sci.Technology, B4(1986), 78-82.[8]M. Fujinami, et al., J.Vac. Sci.Technology, B5(1987),61-65.[9]R.Yoshikawa,et al.,J.Vac. Sci.Technology, B5(1987),70-73.[10]S.Tamamushi, et al., J.Vac Sci.Technology, B6(1988),209-212.[11]H .C. Pfeiffer, J.Vac. Sci. Technology, 15(1978),887-890.[12]江钧基,电子科学学刊, 8(1986),359-366.
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-12-28
  • 修回日期:  1989-10-31
  • 刊出日期:  1990-03-19

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