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p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用

张桂成 程宗权 蒋惠英 俞志中

张桂成, 程宗权, 蒋惠英, 俞志中. p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(2): 214-218.
引用本文: 张桂成, 程宗权, 蒋惠英, 俞志中. p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用[J]. 电子与信息学报, 1990, 12(2): 214-218.
Zhang Guicheng, Chen Zongquan, Jiang Huiying, Yu Zhizhong. CONTACT CHARACTERISTICS OF THE p-InP/Ag-Zn/Mn SYSTEM AND APPLICATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(2): 214-218.
Citation: Zhang Guicheng, Chen Zongquan, Jiang Huiying, Yu Zhizhong. CONTACT CHARACTERISTICS OF THE p-InP/Ag-Zn/Mn SYSTEM AND APPLICATION[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1990, 12(2): 214-218.

p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性及其应用

CONTACT CHARACTERISTICS OF THE p-InP/Ag-Zn/Mn SYSTEM AND APPLICATION

  • 摘要: 本文研究了p-InP/Ag-Zn/Mn系的接触特性和界面互扩散问题。结果表明:该系的比接触电阻与Au-Zn系相当。而Ag的内扩散程度较Au低,有利于器件可靠性的改善。该系用作InGaAsP/InP边发光管的p面电极,器件的Rs4--6。
  • E. Kuphal, Solid-state Electronics, 24(1981), 69.[2]A. K. Chin, et al., Jpn. J. Appl. Phys., 8(1981), 1487.[3]张桂成等,电子科学学刊,2(1984),174.[4]H. Temkin, et al., Appl. Phys. Lett., 36 (1980), 444.[5]A. K. Chin, et al., Appl. Phys. Lett., 41 (1982), 555.[6]张桂成等,发光与显示,1(1985), 5.[7]W. Tseng, et al., J. Vac. Sci. Technol., 19 (1981), 623.[8]A. J. Volois, et al., Solid-state Electronics, 25(1982), 973.
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-01-09
  • 修回日期:  1988-05-01
  • 刊出日期:  1990-03-19

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