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用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型

黄艺 沈楚玉

黄艺, 沈楚玉. 用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型[J]. 电子与信息学报, 1997, 19(1): 77-82.
引用本文: 黄艺, 沈楚玉. 用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型[J]. 电子与信息学报, 1997, 19(1): 77-82.
Huang Yi, Shen Chuyu. A STATISTICAL MODEL OF MICROWAVE FET S-PARAMETER USING FACTOR ANALYSIS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1997, 19(1): 77-82.
Citation: Huang Yi, Shen Chuyu. A STATISTICAL MODEL OF MICROWAVE FET S-PARAMETER USING FACTOR ANALYSIS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1997, 19(1): 77-82.

用因子分析法建立徽波场效应管S参数的统计模型

A STATISTICAL MODEL OF MICROWAVE FET S-PARAMETER USING FACTOR ANALYSIS

  • 摘要: 本文提出用因子分析法建立微波场效应管S参数的统计模型,给出了建模的算法步骤和模拟结果,并与主成分分析法建立的统计模型进行了比较。从结果可以看出,用因子分析法建立的统计模型具有比较高的精度。
  • Meehan M D, Purviance J. Yield and Reliability in Microwave Circuit and System Design, Boston: Artech House, 1993, chapter 6, pp. 179-207.[2]Purvisnce J, et al. A linear statistical FET model using principal component analysis. IEEE Trans. on MTT, 1989, MTT-37(9): 1389-1394.[3]Joreskog K G. Factor analysis勿least squares and maximum likelihood, in Statistical Methods for[4]Digital Computers, K. Enstein, A. Ralston, and H. S. Wilf (eds.), New York: John Wiley, 1975. Chapter 2.[5]Bandler J W, et al. Integrated physics-oriented statistical modeling, simulation and optimization. IEEE Trans. on MTT, 1992; 40(6): 1374-1399.
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-05-30
  • 修回日期:  1995-10-30
  • 刊出日期:  1997-01-19

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