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低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

黄流兴 魏同立 郑茳 曹俊诚

黄流兴, 魏同立, 郑茳, 曹俊诚. 低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(2): 207-211.
引用本文: 黄流兴, 魏同立, 郑茳, 曹俊诚. 低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(2): 207-211.
Huang Liuxing, Wei Tongli, Zheng Jiang, Cao Juncheng. MODEL AND MODELING OF LOW TEMPERATURE CURRENT GAIN OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(2): 207-211.
Citation: Huang Liuxing, Wei Tongli, Zheng Jiang, Cao Juncheng. MODEL AND MODELING OF LOW TEMPERATURE CURRENT GAIN OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTOR[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(2): 207-211.

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟

MODEL AND MODELING OF LOW TEMPERATURE CURRENT GAIN OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTOR

  • 摘要: 本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。
  • Yu Z, et al. IEEE Trans. on ED, 1984, ED-31(6): 773-784.[2]Suzuki K. IEEE Trans. on ED, 1991, ED-33(11): 2512-2518.[3]Blaudau W,et al. J. Appl. Phys., 1974, 45(4): 1846-1848.[4]Slotboom J W, et al. Solid-State Electron., 1976, 19(10):857-862.[5]Caughey D M, et al. Proc. IEEE, 1967, 52(12): 2192-2193.[6]王阳元,等. 多晶硅薄漠及其在集成电路中的应用.北京:科学出版社,1983,136-139.[7]Klaassen D B M. Solid-State Electron., 1992, 35(7): 953-967.[8]郑茳,等.电子科学学刊,1992,14(3): 325-328.[9]De Graaff H C, et al. IEEE Trans. on ED, 1979, ED-26(11): 1771-1776.
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-01-06
  • 修回日期:  1993-05-11
  • 刊出日期:  1994-03-19

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