高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

侧风效应和SG方法

滕志猛 何野 童勤义

滕志猛, 何野, 童勤义. 侧风效应和SG方法[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 329-333.
引用本文: 滕志猛, 何野, 童勤义. 侧风效应和SG方法[J]. 电子与信息学报, 1995, 17(3): 329-333.
Teng Zhimeng, He Ye, Tong Qinyi. THE CROSSWIND EFFECT AND THE SG SCHEME[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 329-333.
Citation: Teng Zhimeng, He Ye, Tong Qinyi. THE CROSSWIND EFFECT AND THE SG SCHEME[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1995, 17(3): 329-333.

侧风效应和SG方法

THE CROSSWIND EFFECT AND THE SG SCHEME

  • 摘要: 本文分析了SG方法存在侧风效应的起因及其对SG方法的影响,为SG方法的应用提供了依据。
  • Bank R E, Coughran J W M, Mirtner W. et al, IEEE Trans. on ED, 1985, ED-32(12): 1992-2007.[2]Bank R E, Rose D J, Fitchner W. IEEE Trans. on ED, 1983, ED-30(9): 1031-1041.[3]He Y, Cao G. IEEE Trans. on CAD, 1991, CAD-10(12): 1579-1582.[4]Chou T Y. Cendes Z J. IEEE Trans. on CAD, 1991, CAD-10(10): 1193-1200.[5]Polak S J, Heifer C D, Schilders W H A. Int[J].J. Numer. Meth. Eng.1987, 24(5):763-838[6]Brooks A N, Hughes T J R. Comput[J].Meth. Appl. Mech. Eng.1982, 32(2):199-259[7]集成电路工艺及器件的模型和模拟实验室.短沟道MOSFET的热电子效应模型和数值模拟上海:复旦大学微电子学研究所,1990.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2094
  • HTML全文浏览量:  155
  • PDF下载量:  391
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1993-05-24
  • 修回日期:  1994-12-15
  • 刊出日期:  1995-05-19

目录

    /

    返回文章
    返回