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多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

黄流兴 魏同立 郑茳

黄流兴, 魏同立, 郑茳. 多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(5): 545-549.
引用本文: 黄流兴, 魏同立, 郑茳. 多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究[J]. 电子与信息学报, 1994, 16(5): 545-549.
Huang Liuxing, Wei Tongli, Zheng Jiang. INVESTIGATION OF LOW TEMPERATURE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTORS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(5): 545-549.
Citation: Huang Liuxing, Wei Tongli, Zheng Jiang. INVESTIGATION OF LOW TEMPERATURE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTORS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1994, 16(5): 545-549.

多晶硅发射极晶体管的低温频率特性研究

INVESTIGATION OF LOW TEMPERATURE FREQUENCY CHARACTERISTICS OF POLYSILICON EMITTER BIPOLAR TRANSISTORS

  • 摘要: 本文考虑低温下半导体中载流子冻析效应和浅能级杂质的陷阱效应等因素,分析了多晶硅发射极晶体管的低温频率特性。研究表明,受载流子冻析效应的影响,基区电阻在低温下随温度下降接近于指数上升,使晶体管的频率性能变环;而由于浅能级杂质的陷阱效应,低温下基区和发射区渡越时间变长,截止频率下降。这些因素在低温器件设计中应予重视。
  • Kapoor A K, et al. Polysilicon Emitter Bipolar Transistors. New York: IEEE Press. 1989. 3-16.[2]黄流兴,等.电子科学学刊,1994,16(2):207-211.[3]Yu Z, et al. IEEE Trans. on ED, 1984. ED-31(6): 773-784.[4]Selberherr S. In: Raider S I, et al. ed, Proc. Symp. Low Temperature Electronics and High[5]Temperature Superconductors, 1988, 70-86.[6]Van den Biesen I J. Solid State Electronics, 1986, 29(5): 529-534.[7]Suzuki K. IEEE Trans. on ED, 1991, ED-38(11): 2512-2518.[8]Dumke W P. IEEE Trans. on ED, 1970, ED-17(4): 388-389.[9]郑茳,等.固体电子学研究与进展,1991,11(1): 33-37.
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-06-07
  • 修回日期:  1994-01-04
  • 刊出日期:  1994-09-19

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