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NTDCZSi中辐照施主的研究

任丙彦 李伟

任丙彦, 李伟. NTDCZSi中辐照施主的研究[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(3): 332-336.
引用本文: 任丙彦, 李伟. NTDCZSi中辐照施主的研究[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(3): 332-336.
Ren Bingyan, Li Wei. INVESTIGATION OF IRRADIATION DONOR IN NTD CZ SI[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(3): 332-336.
Citation: Ren Bingyan, Li Wei. INVESTIGATION OF IRRADIATION DONOR IN NTD CZ SI[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(3): 332-336.

NTDCZSi中辐照施主的研究

INVESTIGATION OF IRRADIATION DONOR IN NTD CZ SI

  • 摘要: 本文对中子嬗变掺杂直拉硅(NTDCZSi)中辐照施主(ID)的退火行为和性质进行了研究,并探讨了不同中子辐照剂量和氧、碳含量对辐照施主形成的影响。首次报道了低于750℃热处理所产生的施主平台现象,并分别利用低温Hall测量和透射电镜对其进行了研究。结果表明,ID在禁带中产生~20meV的浅施主能级,其电活性起源于硅和二氧化硅沉淀的界面态。
  • 徐岳生等,NTDCZSi的本征吸除效应,1988年硅材料学术会议论文集,河北 北戴河,第524页.[2]孟祥提,电子学报,1986年,第2期,第15页.[3]R. T. Young, et al., J. Appl. phys., 49 (1978), 4752.[4]Л.С.Смирнов著,王正元,杜光庭译,半导体的反应方法掺杂,科学出版社,1981年,第73-120页.[5]J. Bourgoin, et al., Point Defects in Semiconductors II, Germany, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, (1983), P. 247.[6]曹建中等,电子技术与测试,1986年,第1期,第25页.
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-09-26
  • 修回日期:  1990-06-29
  • 刊出日期:  1991-05-19

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