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双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象

王茂祥 吴宗汉 孙承休 章继高

王茂祥, 吴宗汉, 孙承休, 章继高. 双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象[J]. 电子与信息学报, 2000, 22(3): 492-495.
引用本文: 王茂祥, 吴宗汉, 孙承休, 章继高. 双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象[J]. 电子与信息学报, 2000, 22(3): 492-495.
Wang Maoxiang, Wu Zonghan, Sun Chengxiu, Zhang Jigao. THE NEGATIVE RESISTANCE PHENOMENON IN THE I-V CURVE WITH DOUBLE BARRIER LIGHT EMISSION TUNNEL JUNCTIONS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2000, 22(3): 492-495.
Citation: Wang Maoxiang, Wu Zonghan, Sun Chengxiu, Zhang Jigao. THE NEGATIVE RESISTANCE PHENOMENON IN THE I-V CURVE WITH DOUBLE BARRIER LIGHT EMISSION TUNNEL JUNCTIONS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 2000, 22(3): 492-495.

双势垒隧道发光结Ⅰ-Ⅴ特性中的负阻现象

THE NEGATIVE RESISTANCE PHENOMENON IN THE I-V CURVE WITH DOUBLE BARRIER LIGHT EMISSION TUNNEL JUNCTIONS

  • 摘要: 制备了含两层绝缘层的双势垒结构隧道发光结,介绍了其结构特点,分析了电子在结中的共振隧穿特性。结合电子隧穿特性及结的发光机理,对结I-V特性中负阻现象的产生及其与表面等离极化激元激发发光的关系进行了研究。
  • lambe J,McCarthy S L. Light emission from inelastic electron tunneling.Phys.Rev.Lett.,1976, 37(4):923-925.[2]Ushioda S,Uehara Y,Takada M,et al.Grating-coupled light emission from the slow mode of metal-insulator-metal tunnel junction[J].Jpn.J.Appl.Phys.1992,31(7):870-873[3]Donohue J F,Wang E Y,Surface plasmon dispersion analysis in the metal-oxide-metal tunnel diode,J.Appl.Phys.,1987,62(4):1313-1317.[4]Sentirmay Z,Prog,Quant.Electron.,1991,15(2):175-230.[5]张佑文. MIM 隧道发光结的研究:[硕士论文].南京:东南大学,1997.
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-08-10
  • 修回日期:  1999-05-04
  • 刊出日期:  2000-05-19

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