高级搜索

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析

刘晓梅 胡蓉香 罗晋生 李中江

刘晓梅, 胡蓉香, 罗晋生, 李中江. VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(6): 618-624.
引用本文: 刘晓梅, 胡蓉香, 罗晋生, 李中江. VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析[J]. 电子与信息学报, 1991, 13(6): 618-624.
Liu Xiaomei, Hu Rongxiang, Luo Jinsheng, Li Zhongjiang. TWO-DIMENSIONAL NUMERICAL SIMULATION FOR VDMOS DEVICE AND THE OPTIMIZATION OF ITS TYPICAL PARAMETERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(6): 618-624.
Citation: Liu Xiaomei, Hu Rongxiang, Luo Jinsheng, Li Zhongjiang. TWO-DIMENSIONAL NUMERICAL SIMULATION FOR VDMOS DEVICE AND THE OPTIMIZATION OF ITS TYPICAL PARAMETERS[J]. Journal of Electronics & Information Technology, 1991, 13(6): 618-624.

VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析

TWO-DIMENSIONAL NUMERICAL SIMULATION FOR VDMOS DEVICE AND THE OPTIMIZATION OF ITS TYPICAL PARAMETERS

  • 摘要: 本文编制了功率MOSFET二维稳态分析软件TDSPM程序基于漂移扩散模型,特别考虑了功率器件高压工作状态下的速场特性和强场产生机制,因此可以对器件各工作区(包括击穿区)进行模拟。用全耦合法求解联立方程,用截断法修正迭代结果,大大改善了程序求解的收敛性和稳定性,使求解加压步长可取得很大(饱和区漏压可取100200V)。用TDSPM模拟VDMOS,得到器件的外部特性曲线和内部物理量分布;着重分析了击穿过程的内部机制;最后用TDSPM对器件进行了优化分析。
  • B. J. Baliga, Mordern Power Device, New York, Weley, (1987).[2]S. Selberherr, Analysis and Simulation of Power Semiconductor Device, Springer-Verlay, Wien, New York, (1984).[3]A. F. Franz, IEEE Trans. on CAD, CAD-4(1985)3, 177-189.[4]粱苏军,开关功率MOSFET的设计与研制,电子科技大学硕士论文,成都,1986年.[5]A. Schuetz, Simulation of Avalanche Breakdown in MOS Transistor, Ph. D. Dissertation, Techniche Univ.[6]Wien (in German), (1982).[7]R. Van overstraeten, Solid State Electronics, 13(1970)5, 583-608.[8]K. Hwang, D. H. Navon et al., IEEE Trans. on ED, ED-32(1985)6, 1143-1145.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  2343
  • HTML全文浏览量:  90
  • PDF下载量:  612
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1990-07-16
  • 修回日期:  1991-03-29
  • 刊出日期:  1991-11-19

目录

    /

    返回文章
    返回